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21.
自改革开放以来,我国连续三十年保持了较高的经济增长速度,创造了举世瞩目的业绩,但是我国经济的高速增长是以资源和劳动力的高消耗为代价的。随着世界范围能源供需矛盾的曰益突出和国内劳动力成本的逐渐提高,我国的经济发展方式亟待向以科技进步为经济发展主要推动力的集约型经济发展模式转变。科技成果能否顺利转化为生产力将极大地影响这一转变的进程,其中公共财政资助项目产生的高新技术成果的转化尤为重要。 相似文献
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23.
中外科技投入情况比较(之一)——发达国家科技投入情况 总被引:1,自引:0,他引:1
进入21世纪,世界向多极化方向发展,为适应竞争的需要,很多国家和地区对科技发展战略和政策进行了大幅度的调整,较大规模地增加科技投入是重要措施之一,主要发达国家的科技投入强度,即研究开发经费(以下简称R&D)占国内生产总值(以下简称GDP)的比例都在2%至3%之间,而且,科技经费增长速度普遍高于GDP增长速度。各国领导人均将提高科技投入水平看作是在国际竞争中取胜的根本保证。本文将分别阐述中国与发达国家、中国与部分发展中国家科技投入的情况,并加以比较分析。一、部分发达国家科技投入情况1.美国的科技投入情况。美国的历届政府素有… 相似文献
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《华东科技》2006,(8):62-63
进入2006年,上海市进出口贸易继续保持“十五”时期较快的增长速度,尤其是高技术产品出口增长的态势十分喜人:其增幅高于上一年同期的增幅,其增速高于同期外贸商品出口总额的增速。但是,今年上半年近几个月来高技术产品出口占外贸商品出口的比重出现持续微降的趋势,因此,今年上海高技术产品出口状况喜中有忧的发展态势值得关注。高技术产品出口增幅高于去年同期增幅2006年1 ̄6月份,上海累计外贸商品出口532亿美元,比去年同期增长24.7%,其中,上海高技术产品出口207.94亿美元,同比增幅29.1%,高于去年同期增幅(25.9%)3.2个百分点(图1)。如图1所… 相似文献
25.
<正>2014年8月,国家首个地理信息产业发展规划出台,标志着我国地理信息产业进入了一个新的时代。产业增长速度25%、产值从千亿元向万亿跃进,其前景不可限量。然而,更具吸引力的是新一代地理信息产业,在与新技术、新服务结合的过程中,正在创造新的产业业态与生态系统。它让我们对地理信息数据及其商业模式有了新的认识,这其中,跨界融合正成为主流趋势,它为传统地理信息产业带来了许多新的突破。动态地理信息更具价值早上醒来,许多人第一时间会关心今天所在城市天气状况如何?驾车外出 相似文献
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<正>近一个时期的发展指数显示.增长速度虽然放缓.但结构转型取得积极成效、民生改善不断提质提速.中国经济正在发生一场深刻变革。这场变革的内因是什么,将要向何处走,值得我们探究。变革来自对经济逻辑的再认识。以往我们关注拉动经济的三驾马车——消费、投资、出口,如何并驾齐驱;而今,以内需为导向,我们更加关注消费对GDP的贡献,以及由消费拉动的有效投资、有效生产。显然,没有实体需求为支撑的投资、产出,必将引发金融泡沫、产能过剩;就资本谈资本、就产业谈产业,不与实际需求联动、挂钩,必将引发经济系 相似文献
27.
上海的软件产业连续四年保持50%以上的增长速度,近日,27家上海软件企业获得2005年国家规划布局内重点软件企业证书,占全国总量的近1/6。以微创等外包出口型企业为产业先锋;稳步发展宝信、华为、复旦光华等超亿元软件企业,铸造产业中流砥柱;并大力扶持万达、华腾.乾隆等贴近行业应用.定位于市场细分的系统集成型龙头企业。形成了软件产业协调发展的“三度空间”。 相似文献
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29.
Effect of reactor pressure on the growth rate and structural properties of GaN films 总被引:1,自引:0,他引:1
The effect of reactor pressure on the growth rate, surface morphology and crystalline quality of GaN films grown on sapphire by metalorganic chemical vapor deposition is studied. The results show that as the reactor pressure increases from 2500 to 20000 Pa, the GaN surface becomes rough and the growth rate of GaN films decreases. The rough surface morphology is associated with the initial high temperature GaN islands, which are large with low density due to low adatom surface diffusion under high reactor pressure. These islands prolong the occurrence of 2D growth mode and decrease the growth rate of GaN film. Meanwhile, the large GaN islands with low density lead to the reduction of threading dislocation density during subsequent island growth and coalescence, and consequently decrease the full width at half maximum of X-ray rocking curve of the GaN film. 相似文献
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