覆盖铝的不连续锡膜结构及光学性质研究

该文研究了不连续锡膜上覆盖铝膜的光学性质.发现覆盖铝对不连续锡膜的光学性质影响很大,增强了可见光区的光谱选择吸收和红外反射率.不连续锡膜的填隙因子对这种膜系的光学性质影响较大.应用所建立的结构模型和Maxwell-Garnett理论,计算了这种双层结构膜的反射曲线,结果与实验基本相符.这种膜系具有各种美丽的反射色,有可能作为新型的建筑、灯具、室内等装饰用的镜面材料.     

压电双层膜驱动管内移动微小型机器人的研究

提出了一种新型管内移动微小型机器人, 采用压电双层膜驱动器和惯性冲击式原理(IDM), 实现在直径为Φ16~18 mm的直管内的稳定运动. 对惯性冲击原理进行了理论分析和动态仿真, 通过实验, 验证了微小型机器人的运动原理和运动能力. 实验结果表明, 在峰值为50 V和频率为1100 Hz的锯齿波电压驱动下, 该微小型机器人的直线运动速率可以达到3.5 mm/s. 理论分析与实验结果验证了惯性冲击原理在本设计中的可行性和有效性, 并为管内移动微小型机器人的优化设计提供了理论依据.     

类脂双层膜BLMs的镶嵌修饰与应用

报道了类脂双层膜BLMs在离子通道和电子跨膜传递、光电转换、膜与溶液中离子、分子的相互作用以及作为传感器检测离子、分子等方面的镶嵌修饰与应用。     

Cu的表面偏聚对NiFe/FeMn交换耦合场的影响

采有磁控溅射方法制备了分别以Ta和Ta/Cu作为缓冲层的两种NiFe/FeMn双层膜。实验发现,以Ta为缓冲层的NiFe/FeMn双层膜的交换耦合场比以Ta/Cu为缓冲层的NiFe/FeMn双层膜的交换耦合场大。测量了这两种双层膜的织构、表面粗糙度和表面成分。结果表明以Ta/Cu为缓冲层时,Cu在NiFe层的表面偏聚是造成的NiFe/FeMn双层膜交换耦合场降低的重要原因。     

Tb14Fe86／Co双层膜中的交换偏置

利用磁控溅射技术制备了Tb14Fe86／Co双层膜．磁性测量表明,当金属Co的厚度小于30A时,Tb14Fe86层与Co层磁矩一致转动,Co的磁矩被耦合在垂直方向;Co的厚度大于30A时,出现了面内和垂直两磁性相的分离．在面内方向,无论金属层的厚度如何,Tb14Fe86／Co双层膜均出现了偏置现象,这是由于TbFe层与金属Co层之间的界面耦合,使Co产生了单向各向异性所致．     

反铁磁耦合双层膜结构体系的磁滞回线相图研究

基于Stoner-Wohlfarth模型研究了非对称型反铁磁耦合三层体系的磁滞特性,得到了不同磁层厚度以及磁参数下发生线性磁相变临界转换场的解析表达式,以及9种可能存在的不同类型易轴磁滞回线．基于磁相变的临界条件获得了非对称反铁磁耦合双层膜体系在k1-k2如空间的磁滞回线相图．非对称反铁磁耦合双层膜体系作为磁隧道结的自由层时,相对于单层结构自由层具有更好的热稳定性．     

Pd/a-Ge双层膜中金属诱导晶化引起的分形

目前,分形的研究已成为国内外普遍关注的问题.对于金属/半导体二元薄膜体系,在金属诱导非晶半导体晶化的过程中,常常出现雪花状的分形结构.见诸文献的有关报道,多为没有化合物生成的金属、半导体共晶系统,例如Au/a-Ge(Si),Ag/a-Ge(Si)和Al/a-Ge(Si)等等.对于有化合物生成的金属/半导体薄膜体系,这种研究报道很少.段建中等曾在Pd/a-Si中发现了分形,分形出现的同时有多种硅化物产生.对于分形形成的机制,已建立了若干模型,其中扩散限制聚集(DLA)模型是很成功的,但DLA模型难以解释金属/半导体二元薄膜体系中分形的成因.吴自勤教授等根据薄膜体系中分形晶化的微观结构观测,提出了由温度场控制的随机逐次成核(RSN)模型,在解释薄膜的分形晶化时十分令人满意.为     

Al/Ge双层膜退火过程中多中心晶化生长的模拟

对a—Ge／A1双层膜在退火过程中出现的分形晶化现象进行了模拟研究。结果显示，各团簇的生长呈现出各向异性。分形晶化是随机相继触发形核的结果。这种多中心分形晶化图形显示出多重分形特征，用盒计数法得到了模拟图形的多重分形谱。     

磁控溅射制备AlN过渡层ZnO薄膜及其性能研究

大量研究表明ZnO薄膜已在气敏器件、表面声波器件和压敏器件等方面得到较为广泛的应用。由于Si与ZnO的晶格常数及热膨胀系数的失配度均很大,难以实现高质量ZnO薄膜的外延生长,采用中间缓冲层是一种值得研究的工艺。由于AIN的晶格结构与ZnO相同,所以可作为生长高质量ZnO薄膜的缓冲层,并改善ZnO/AlN界面结构。实验采用射频磁控溅射制备了ZnO/AlN双层膜,研究了薄膜的结构和形貌。结果表明,相比于相同工艺下制备的ZnO/Si薄膜,双层膜的生长取向依然是(002),应力减小,结晶质量更好。     

含Teflon—AF层的NLO聚合物驻极体双层膜系统的电荷衰减动态特性

采用开路热刺激放电法研究了恒压电晕充电极化的含Ｔｅｆｌｏｎ－ＡＦ层的非线性光学聚合物驻极体双层膜系统的电荷动态特性,结合电光效应和表面电位衰减测量结果分析表明：双层膜系统中偶极分子有序取向稳定性明显优于单层非线性光学聚合驻极体,其原因在于Ｔｅｆｌｏｎ－ＡＦ层中高储存稳定性的空间电荷有效地抑制了分子偶极驻极体层中偶极分子有序向的松驰。