固溶体技术用于AlN-SiC微波衰减材料改性

结合AlN-SiC二元系相图的理论分析，提出了利用固溶体技术实现AlN-SiC微波衰减材料性能优化的研究思路；采用热压烧结工艺，通过合理的烧结温度及保温时间的控制，制备了性能优异的AlN-SiC微波衰减材料。通过XRD、SEM、网络分析仪等测试手段，研究了材料的显微结构（晶粒尺寸和晶粒形状等）对材料微波衰减性能的影响。结果表明，AlN-SiC局部固溶体具有广频衰减特性，而AlN-SiC均质固溶体具有选频衰减特性；并初步探讨了AlN-SiC固溶体陶瓷的微波衰减机理。     

新型半导体器件及工艺基础研究

为了提高系统芯片的可靠性和性能价格比,增强其市场竞争力,缩小器件特征尺寸并提高集成度仍是一个主要的途径。当器件特征尺寸进入亚50nm以后,大量来自于传统工作模式、传统材料、传统工艺乃至传统器件物理基础等方面的问题将成为器件特征尺寸进一步缩小的限制性因素。因此我们的973项目从新型材料、半导体器件分析、新型器件结构、关键制备工艺等方面开展了深入的研究。本文主要介绍我们在新型半导体器件结构以及制备工艺方面取得的主要成果,具体包括平面双栅器件、金属栅器件、垂直沟道双栅器件、DSOI器件、SON器件、SOI肖特基晶体管、高K介质器件等。     

用于双极型工艺认证的微电子测试图形研究

本文提出一种用于科学地评价双极型半导体器件(npn或pnp晶体管)工艺水平的微电子测试图形。该测试图形由物理分析及工艺参数测试结构、器件参数测试结构等部分组成,测试结构的探脚采用阵列式引出,适合2×N探卡进行探测。多数测试结构能用我们研制的微电子测试图形参数自动测试仪进行及数据处理。文中还给出利用本测试图形对工厂生产线工艺水平进行评估的实例。     

考虑磁场影响时一类半导体方程的弱解存在性

本文研究考虑磁场影响时的半导体基本方程组,这是一个抛物-椭圆耦合组,并带有混合初边值条件.利用正则化方法和 Moser 技巧得到了该问题弱解的存在性结果,从而减弱了作者在文[2]中的条件.     

PMOS—FET栅氧电荷动态行为的计算机模拟

分析了绝缘栅ＰＭＯＳ—ＦＥＴ结构的工艺及器件模拟数据，获得了衬底电阻车在８～１５Ω·ｃｍ范围内变化时与ＭＯＳ结构阈值电压之间的定量关系．模拟结果与实验现象相一致．同时，定量地描述了在常规偏压条件下栅氧层中表面电荷的分布及行为，揭示出阈值电压随衬底掺杂浓度的变化而发生变化的体效应机理．     

稀土元素Gd掺杂氮化物半导体在自旋电子器件中的应用

本研究利用分子束外延的方法生长了Gd掺杂氮化物半导体。根据X线衍射和XAFS测定未有发现第二相的析出。观察到了来自InGdGaN的光致发光,发光峰随着InN的摩尔份数的变化而变化。这些材料在室温明显地观测到了磁滞曲线。Si共掺杂的GaGdN超晶格显示出了超大的磁矩,其原因可归于载流子诱发铁磁。最后,说明了这一材料在自旋发光二极管中的应用。     

贝尔实验室半导体器件的研制

叙述了贝尔实验室有关半导体器件的研制工作，主要论述了早期半导体器件的开发，点接触晶体管和结型晶体管，场效应晶体管（ＦＥＴ），发光二极管（ＬＥＤｓ），里德二极管（ＩＭＰＡＴＴ），以及光生伏打电池等     

用于双极型工艺认证的微电子测试图形研究

本文提出一种用于科学地评价双极型半导体器件(npn或pnp晶体管)工艺水平的微电子测试图形。该测试图形由物理分析及工艺参数测试结构、器件参数测试结构等部分组成,测试结构的探脚采用阵列式引出,适合2×N探卡进行探测。多数测试结构能用我们研制的微电子测试图形参数自动测试仪进行及数据处理。文中还给出利用本测试图形对工厂生产线工艺水平进行评估的实例。     

P^＋掺杂浓度分布对硅半导体器件正向特性的影响

为提高硅半导体器件的正向导电特性,文中对器件浓硼扩散、磷扩散和烧结铝电极后P~+-P区掺杂浓度分布、少子寿命等因素的影响进行了实验研究.结果表明:对于烧铝电极器件浓硼扩散改善压降作用主要取决于能否提高器件的少子寿命;磷扩散工艺不当,引起结片阳极面反型,会造成正向压降过高而导致废品;采用烧结铝电极工艺形成的器件,铝硅接触处半导体表面浓度约为10~(18)个/cm~3,与原始表面浓度无明显关系;用P~+取代P~+-P区对降低压降明显有效.对以上实验结果,作者应用P—N结正向导电理论进行了分析和研讨.     

Cu表面氧化规律及其对铜—陶瓷材料键合强度的影响

在用于电力半导体模块的新型封装材料ＣｕＡｌ２Ｏ３陶瓷直接键合基板中,Ｃｕ与Ａｌ２Ｏ３间形成的键合,是通过ＣｕＡｌＯ化学键,以Ｃｕ２Ｏ为中介形成的,其键合强度主要受ＣｕＣｕ２Ｏ之间的结合力限制．从而可以认为,铜箔表面的氧化层对键合强度起着极为重要的作用．为此,文中对Ｃｕ表面的氧化规律、氧化层厚度与时间和温度间的关系及其对ＤＣＢ板界面键合强度的影响进行了仔细的研究,获得了较理想的结果．