一维热传导型半导体器件的有限体积元逼近及分析

采用有限体积元方法来解决一维热传导型半导体器件数值模型,将分段线性函数和分段常数函数分别作为有限体积元方法的试探函数和检验函数,构造了半导体器件模型的全离散有限体积元逼近格式和计算程序．并进行理论分析,得到了最优阶H^1-模误差估计．     

浅谈计算机机房静电的处理

计算机房的防静电技术,是属于机房安全于防护范畴的一部分.由于种种原因而产生的静电,是发生最频繁,最难消除的危害之一.静电不仅会对计算机运行出现随机故障,而且还会导致某些元器件,如CMOS、MOS电路,双级性电路等的击穿和毁坏.此外,还会影响操作人员和维护人员的正常的工作和身心健康.     

硅低速刻蚀和钨膜刻蚀研究

针对半导体器件研制过程中等离子体刻蚀工艺的具体需要,研究了硅的低速率刻蚀和钨薄膜的刻蚀,得到了加磁场条件下刻蚀速率与刻蚀气体流量,射频功率的关系曲线,得到了不加磁场时不同的刻蚀气体流量下钨的刻蚀速率,以及在刻蚀气体中掺杂不同比例氧气时硅的刻蚀速率,对上述结果加以简单的讨论并给出了符合工艺要求的刻蚀条件。     

广东风华芯电科技股份有限公司——卓越的半导体器件及封装测试服务供应商

公司简介广东风华芯电科技股份有限公司是广东风华高新科技股份有限公司（股票代码是：000636）的控股子公司,成立于2000年,是一家专业从事半导体分立器件及集成电路研究、开发、生产、销售的高新技术企业。公司位于广州科学城,占地3万平方米,有两栋总面积4万平方的现代化厂房。拥有国际先进水平的半导体封装测试自动化生产设备。现有员工820余人,     

硅纳米晶及纳米结构在微电子设计中的应用

在纳米尺度，半导体器件将会呈现出不同于宏观尺度的光学、电学性能，充分利用这些性能可以制备很多具有特殊用途的器件。本书分别介绍了硅纳米晶及其纳米结构在光电器件、电子器件及功能器件等三方面的应用。     

三维半导体器件的Vlasov—Poisson模型

利用迭代方法，结合上下解，证明三维半导体器件Ｖｌａｓｏｖ－Ｐｏｉｓｓｏｎ模型的Ｃａｕｃｈｙ问题在小初值下存在唯一的整体光滑解。     

应用科学家用MonteCarlo方法

MonteCarlo方法是数学、物理及工程技术领域有效的计算手段。本书论述MonteCarlo方法在自然科学中的应用，为应用领域科技人员应用MonteCarlo数值方法给出系统的指导。与同类专著相比，本书更为注重算法的性能分析，并用实例表明MonteCarlo方法在半导体器件模型等实际问题中有着广阔的应用前景。本书还融入了作者在英国Reading大学为计算机科学专业开设的“随机方法和算法”课程的内容，使本书在理论上也有一定深度。     

电子技术基础教学的探索

课时减少后，为了保证教学质量，保持知识面，在提高效率、理论联系实际和实验配合，以及加强辅导等环节上做了一些探讨。