有机半导体复合光导材料与器件的研究与发展

通过不同结构、不同组成、不同遥光导材料的复合，可以得到功能的协同增强、优化以及互补效应。采用分子内复合和分子间复合的方法，可以制备在可见光和近红外区域均有很高光敏性的有新型有机光导材料。同时，研制使材料与器件交叉渗透，结合为一体的单层有机光导体，可大大地降低生产成本．     

GD a-C:H膜对硅半导体器件的钝化作用

将氢化非晶碳薄膜(GDα-C:H)应用于硅半导体晶体管的表面钝化,取得了与α-Si:H 膜相类似的效果。对α-C:H 的钝化机理进行了初步探讨。     

稳态基本半导体方程的差分离散化

本文采用有限差分法对稳态基本半导体方程进行了离散化,并从减小离散引起的局部截断误差入手提出了一种合理的自动建网策略。模拟计算的结果表明了该方法的正确性、合理性。     

快速模拟退火算法用于MESFET大信号建模

对快速模拟退火算法的关键参数进行确定，将该算法应用于微波半导体大信号建模，解决了多变量非线性优化难题，实验结果表明该方法是有效的。从而为解决ＭＥＳＦＥＴ（ＭｅｔａｌＳｅｍ ｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｆｉｅｌｄ ＥｆｆｅｃｔＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ）大信号建模问题提供了一种新思路。     

《半导体器件》课程中GaN基光电器件差异性教学探讨

在《半导体器件》课程中加强宽禁带半导体器件的教学是科学技术与国民经济快速发展对高等学校基本职能所提出的根本要求。本文阐述了把第三代宽禁带半导体GaN基光电器件作为新型半导体器件进行重点教学的必要性和意义．同时也指出需要采用差异化的教学方法来讲授新型器件在结构、工作原理与光电性能等方面的特殊表现。     

半导体器件工作温度的光学干涉测量

采用光学干涉测温原理测量微电子器件在线工作温度，设计了干涉测温系统，进行了实际测量实验，并与红外微像仪的测量结果进行了比较。     

磁控溅射靶磁场的分布

用麦克斯韦方程，推导了射频磁控溅射靶磁场的数学表达式，并研究了靶磁场的三维分布规律，得到了磁控靶的磁场在中心圆环有较强的水平分量，边缘有较强的垂直分量的结果，计算结果与实验结果相符。     

计算机图形学在四探针技术有限元理论中的应用

在四探针测试半导体薄层电阻的有限元（ＦＥＭ）理论中，四根探针在样品上的位置靠键盘输输入有限元剖分节点示号来给定，当测试样品的形状较为复杂时，节点标号人工很难确定，本文提出在计算机视频显示和于图形模式采用鼠标输入的方法，这种方法直观、快捷为实际应用提供了很大的方便。     

量子阱器件的发展及其应用

随着半导体量子阱材料的发展，量子阱器件广泛应用于各种领域。本文主要介绍量子阱的基本原理，重点从量子阱材料．量子阱激光器、量子阱虹外探测器、量子阱LED、量子阱光集成器件等方面介绍量子阱理论在光电器件方面的发展及其应用。