水稻半矮秆基因sd-g的精细定位

矮秆基因的发掘、研究和利用是水稻株型改良育种和植物生长发育分子生物学研究的重要基础. 利用新桂矮双矮与02428杂交产生的F₂群体对sd-g进行了精细定位. sd-g基因首先被定位在水稻第5染色体上微卫星标记RM440和RM163之间, 遗传距离分别是0. 5和2.5 cM. 为了进一步精细定位sd-g基因, 利用已经公布的水稻基因组序列, 在sd-g基因附近区域寻找微卫星序列并发展新的标记, 在RM440和RM163之间发展了9个微卫星标记. sd-g基因被进一步定位在SSR5-1和SSR5-51之间, SSR5-1与sd-g之间距0. 1 cM, SSR5-51与sd-g之间相距0. 3 cM, 而SSR418与sd-g表现为共分离. 以此为基础, 构建覆盖sd-g基因区域的BAC重叠群, sd-g基因被定位在AC105319约85 kb的区段上, 这为sd-g基因的图位克隆奠定了基础.     

一类强双光子吸收分子材料的理论研究

在哈特利-福克理论基础上，从第一性原理出发，对最近合成的双光子有机分子材料的非线性光学特性进行了理论研究。计算结果表明，该类有机分子具有较大的双光子吸收截面。     

转几丁质酶基因烟草后代的遗传分析

本论文采用分子检测(PCR扩增、PCR-Southern杂交)与表型检测(接真菌实验、酶活力测定)相结合的手段，对花粉管通道法及载体法导入几丁质酶基因烟草后代的遗传表现进行研究。结果证明通过不同方法导入受体细胞基因组中的外源基因均能遗传给后代，并能在转化受体当代及后代中高效表达。但采用花粉管通道法导入的外源基因虽然能够遗传给后代，但分离比复杂，遗传规律性较差。而载体法导入的外源基因T1代x^2检测符合3：1的遗传分离比，遗传稳定性要好于DNA直接导入。因此，建立良好的遗传转化系统是外源基因稳定遗传和表达的前提。     

大豆磷脂酰乙醇胺分子种组成分析

用高效液相色谱法(HPLC)在反相Prodigy ODS(3)柱上，以甲醇-氯仿-乙腈-水为流动相，梯度洗脱程序分析了大豆磷脂酰乙醇胺的分子种组成，蒸发光散射检测器用做HPLC峰的检测，峰面积归一化法定量。组分定性由气．相色谱(GC)测定的HPLC峰的脂肪酸组成确定。分析结果表明，大豆磷脂酰乙醇胺由9个分子种组成，其中C18：2C18：2,C18：1C18：2,C16：0C18：2，C16：0C18：1，C18：0C18：2分子种是主要组分。     

外磁场作用下蚕体物理效应与机制的研究

运用磁场及统计物理的相变相关理论，分析了家蚕在磁场作用于下物理特性的变化及其变化原因。通过实验发现，经磁场处理后蚕体生长活力有所变化，蚕体发育匀正，食桑旺盛。     

SiO2/聚酰胺-6复合材料的制备与性能

探索聚酰胺胺(PAMAM)树形分子在复合材料体系中作无机粒子表面处理剂的应用.用PAMAM树形分子对沉淀白碳黑进行表面处理,并制备SiO2/PA6复合材料;用TEM、WD-300电子万能试验机、HAKKE平板流变仪等研究了PAMAM的分子代数、用量对SiO2/PA6复合材料的微观结构、力学性能及流变性能的影响.结果表明,PAMAM树形分子能有效改善沉淀白碳黑在基质中的分散状态,提高沉淀白碳黑的增强效果,并改善复合体系的流变性能.     

配位聚合物的设计合成与性质研究

综述了近年来国际上较为活跃的研究领域,配位聚合物以高新技术为背景的光、电、磁性质等方面取得的重要进展。根据配位聚合物的研究状况并结合本研究组的近期工作,分析讨论了配位聚合物的分子设计和组装,及其组成-结构-性能关系。     

Pr-Fe-V-Ti合金系ThMn12型化合物及氮化物的合成与磁性

本文报导成功地合成了Ti或V,Ti同时稳定的镨系1:12相化合物.Pr(Fe,V)12化合物不存在,PrFe11 Ti化合物仅在1110℃-1030℃狭窄的温度范围内形成,以部分V替代Ti,可使1:12相形成温度范围明显增大,形成温度降低.氮化之后,ThMn12结构不变,但体积膨胀约4.5%.PrFe11 V1-xTixNδ((0.2≤x≤1)合金样品的饱和磁化强度为144～150 emu/g,居里温度为457℃～477℃,各向异性场大于7 T.     

邻二氮苯与水复合物构型的理论研究

报道了邻二氮苯与水形成复合物的理论研究结果．把复合物看作一个超分子，运用Gaussian94量子化学程序包．在MP2／6—31G(d)基组水平上进行从头计算．探讨复合物的稳定性，研究施体与受体间的电荷转移及几何参数变化等规律．结果表明．邻二氮苯与水可形成稳定的分子间弱作用复合物，存在4种独立可区分的构象．但无论从稳定性、电荷转移．还是几何构型来说．都是以平面单氢键顺式构象为最好．形成复合物的过程包含着电荷转移。     

管道缺陷漏磁检测中巨磁阻传感器应用研究

磁性传感器在无损检测中已经有了很大的应用，与传统的磁性传感器相比，巨磁阻传感器有着灵敏度高、可靠性好、测量范围宽、体积小，价格低等优点．本介绍了漏磁检测及巨磁阻传感器的原理，设计了巨磁阻传感器阵列，以及基于PC104的数据采集装置，实验结果表明，系统可以检测到管道壁上的微小缺陷。