非对称晶闸管的阻断电压

在有效碰撞电离率近似下，出给定正向阻断电压和电流放大系数的AS－CR长基区参数满足的关系式。数值计算结果表明，把此关系与有效碰撞电离率系数和雪倍增因子参数的经验公式相结合，是一种快速、精确设计ASCR正向阻断电压的方法。     

平面型电力电子器件阻断能力的优化设计

利用场限环终端结构及P^ I(N^-)N^ 体耐压结构分析了平面型电力电子器件的阻断能力，提出了一种优化设计阻断能力的新方法，通过将器件作成体击穿器件，使其终端击穿电压与体内击穿电压之间达成匹配，从而可提高器件阻断能力的稳定性和可靠性，并降低器件的通态损耗及成本。最后通过制作具有PIN耐压结构的GTR和引用国外有关文献验证了该方法的正确性。该方法可直接推广到整流器，晶闸管，GTR，IGBT，IEGT和MCT等多种平面型电力电子器件设计中。     

激光能量与光声信号强度的关系

运用声学基础理论,讨论了激光能量与声信号强度间的变化关系．发现激光能量与声信号强度之间存在着对数线性关系;并根据液体中光声信号的连续性,得到了一种求取液体光击穿阈值的新方法     

VDMOS击穿电压与导通电阻的最佳设计

本文利用场限环理论和消除寄生晶体管效应等措施,提出了保证在原胞区击穿电压不降低的前提下,VDMOS导通电阻R_(on)及其结构参数的最佳设计方法。与以往的方法相比,具有使BV_(DS)容量和R_(on)值之间获得统筹考虑的优点。     

快速热氮化改善n-MOSFET栅氧化层的加速击穿

研究不同类型、不同沟道长度的ｎ沟金属－氧化物－半导体场效应晶体管（ＭＯＳＦＥＴ）在不同栅电压下工作时栅氧化层的击穿特性。结果表明，ＭＯＳＦＥＴ栅氧化层的加速击穿起因于沟道大电流，而栅氧化层进行快速热氮化可极大地改善其栅氧化层的击穿特性。     

VDMOSFET结构设计

本文论述了具有垂直沟道、多单元结构的高电压、大电流功率MOS场效应晶体管(VDMOSFET)的设计理论及方法.并从四个方面阐述了其结构特点,提供了具体设计参数及部分二维数值分析结果.     

TEA—CO_2激光诱发甲烷气体击穿现象的研究

利用 TEA-CO_2激光击穿 CH_4气体,研究了气体击穿阈值与压力之间的关系.用经典击穿模型讨论并得出击穿阈值和压力之间存在着 I∞P~(-1)的关系.理论和实验结果相吻合.     

BaTiO3陶瓷的击穿与电容器的耐压

介绍了ＢａＴｉＯ３陶瓷介质的极化机理，说明在居里温度以上和居里温度以下发生电击穿的部位是不同的，并用此理论解释了陶瓷材料的制造工艺，特别是烧成条件对直流耐压有较大影响的原因，此外还阐述了添加剂，粘合剂及其用量以及瓷料中针孔的产生，加工缺陷等对耐压的影响。     

锁模Nd∶YAG激光眼科治疗机的研制

探讨了光致击穿过程中眼组织手术的物理机制以及对非治疗组织的损伤机理．研制了超短脉冲的锁模ＹＡＧ激光眼科治疗机．ｐｓ激光脉冲与生物体作用效应的空间选择性更强，不易破坏邻近组织，其选择击穿作用优于ｎｓ 的调Ｑ 激光．解决了ＹＡＧ 激光眼科机治疗过程中的人工晶体损伤和其他副作用问题，整个治疗过程更加安全、可靠．