漂移区槽氧高压SOI-LDMOS器件模型

为了获得SOI-LDMOS器件耐压和比导通电阻的良好折衷,提出了一种漂移区槽氧SOI-LDMOS高压器件新结构．利用漂移区槽氧和栅、漏场板优化横向电场提高了横向耐压和漂移区的渗杂浓度．借助二维仿真软件对该器件的耐压和比导通电阻特性进行了研究,结果表明该器件与常规SOI—LDMOS结构相比在相同漂移区长度下耐压提高了31％．在相同耐压下比导通电阻降低了34．8％．     

单区JTE终端结构4H-SiC PIN雪崩二极管击穿特性研究

作为第三代宽禁带半导体材料的碳化硅（SiC）具有高临界电场、高热导率等特性,以此材料制作成的PIN功率二极管器件可以满足高速轨道交通、航空航天等领域的高压、高温、抗辐射等要求。目前传统的4H-SiC PIN雪崩二极管容易受到电场集边效应的影响,从而导致器件的提前击穿。为了降低这种效应,利用Sentaurus TCAD软件设计一种具有单区结终端扩展结构（junction termination extension,JTE）的4H-SiC PIN雪崩二极管,在此基础上重点分析了JTE层的横向长度与掺杂浓度水平对二极管击穿特性的影响。仿真结果表明：从单区JTE终端结构4H-SiC PIN二极管研究中得到的最大外击穿电压约为1 670 V,为理论击穿电压的87%;相较于传统器件所具有的267.5 V的击穿电压,单区JTE二极管的耐压性更好,可靠性更高。     

绝缘栅场效应管工作原理的统一表述

关于绝缘栅场效应管的工作原理,现行教材有几种不同的讲解,观点各不相同。结构示意图和特性曲线画法不同。但是,对同一类的场效应管而言,结构示意图和特性曲线只能有一种表述形式是正确的。从场效应管的基本结构出发,用新观点、新方法说明其基本工作原理,击穿的位置,击穿的原因。提出工作原理结构示意图的统一表述方法应当是在源衬、漏衬PN结之间是正负离子对应的耗尽层,在反型层与衬底之间是单一离子层（它不应该与耗尽层混同）。漏极特性曲线的统一表述规律是截止状态时的漏源击穿电压|BV‘DS|是各个不同VGS时,击穿电压的最大值。     

超突变结构变容二极管雪崩击穿电压的研究

在改进的超突变结变容二极管掺杂分布模型的基础上，对超突变结构的雪崩击穿电压进行了理论研究并用二分法进行了详细的数值计算，得出了实用的击穿电压和交叉浓度的关系曲线及数据表。本文的推导和计算充分考虑了现行变容管的制作工艺，从而获得了优于Ｋａｎｎｍａ和Ｓｏｕｋｕｐ的掺杂分布模型和计算结果。     

电场下聚丙烯薄膜的光发射

采用电致发光测量方法对聚丙烯薄膜在均匀直流电场作用下的发光变化进行了研究,分析了聚丙烯薄膜在高电场作用下的发光特性和电场对发光的影响.研究结果表明:聚丙烯的发光量随电场而增大,场强越大,从两极注入的载流子获得的动能越大,越容易与发光中心发生碰撞,将能量转化为激发过程.在3.9 MV/cm以下,发光量随时间变化不大,在4.0 MV/cm时,发光量陡增,发生预击穿.     

飞秒脉冲激光产生及捕获微气泡的实验研究

采用高速光学摄像及高频超声成像技术对飞秒脉冲激光在介质水中发生光学诱导击穿的过程进行实验研究.结果表明,光学诱导击穿产生后,在高能激光自聚焦的焦点处产生一系列微气泡,最后只有一个微气泡可以被激光束稳定地捕获,并且这个微气泡可以在超声作用下进行非接触式三维操控.进一步分析了沿激光束产生和捕获的微气泡的时空特性以及激光束捕获微气泡的力学特性.实验结果为应用微气泡进行分子水平的靶向性治疗提供了全新的技术手段.     

变压器套管局部击穿的原因分析与对策措施

电力变压器使电力系统中的重要设备之一,套管作为变压器的一个重要附件,往往是引发变压器故障的主要因素。本文通过对110kV东林变#2主变零相套管出现局部击穿进行详细地解体分析。根据分析结果,对主变套管的预试和日常维护提出合理的对策及建议。     

固体中激光能量与光声信号强度关系

运用光声理论,研究了掺杂固体中激光能量与光声信号强度的变化关系,给出了激光能量与光声信号强度间的数学表达式。     

介质隔离横向高压p—i—n器件的击穿特性

对硅厚膜BESOI介质隔离横向高压p-i-n器件的击穿特性作了分析,并用计算机进行了模拟,从器件的几何图形和隔离偏压方面,提出了改善击穿特性的方法。     

铝基高阻化学转化膜形成工艺及应用

利用化学和电化学方法在铝表面形成高阻化学转化膜,对其有关性能进行了测试,结果表明该膜层绝缘电阻高,耐击穿电压性能良好,可用作金属绝缘复铜线路板基底材料。