钛金属表面微弧氧化电击穿行为的研究

本文研究了钛金属在不同电解质溶液中微弧氧化时,电极的表面电击穿行为。通过分析数据,研究得到了微弧氧化时电极表面的电压和击穿电压与时间,溶液浓度及施加电流密度的关系。主要研究结果是微弧氧化过程中电极电压随时间的呈现不规则的锯齿型变化;在两种电解质溶液中,电压曲线的位置随着溶液浓度的增加不断下降。陶瓷膜表面的击穿电压随着电解质溶液浓度的增加呈指数规律衰减,其代数关系式为VB=aExp(-C)+b（其中VB是击穿电压,C是电解质浓度,a与b是电解质成分和金属类别相关的常数）;在电解质溶液浓度一定时,击穿电压与微弧氧化时施加的电流密度值大小没有明显关系。     

土壤激光诱导击穿光谱的实验研究

在大气环境下测定了土壤在可见光谱区的激光诱导击穿光谱,对测定的光谱进行了分析和归属.实验结果表明,土壤中Al、Fe、Ti、K、Na、Mg、Ca等元素含量高,且Fe、Ti、Al元素谱线非常丰富、强度较强,而Ba、Cr、Cu、Li、Mn、Pb、Sr等元素含量低,且元素谱线不多、强度较弱;由实验测定的一系列国家标准土壤样品的激光诱导击穿光谱,得到了多种微量元素的定标曲线和检测限(ug/g)(Ba(3.4)、Cr(3.9)、Cu(70.2)、Li(1.0)、Mn(52.2)、Pb(21.0)、Sr(11.4) 、Ti(35.0)).     

论500kV变压器绝缘击穿事故防范措施

主要对500kV变压器运行时发生的绝缘击穿事故进行简要分析，综合了各种事故因素，在常规预防措施的基础上认为建立变压器油腐蚀性硫的预防措施是十分必要的。     

浅谈铁路专用线接触网各类绝缘子

针对目前在接触网设计中可能遇到的各类绝缘子，及结合既有运营线路，从绝缘子的电气参数，不同情况的分类，在自然环境中绝缘子积污的特点，论述各种绝缘子在理论与实践中的利与弊，并分析不同情况下对铁路运营所造成的经济和维护工作的影响，重点介绍了复合绝缘子目前在铁路系统中的应用，提出其具有机械强度高、防污闪能力强、防爆性好等特点，是电气化铁路专用线更好的选择。     

芳香酮异构化反应影响聚乙烯电击穿强度的理论研究

对芳香酮在基态和三重态异构化反应机理进行了理论研究,提出芳香酮的异构化反应是影响聚乙烯电击穿强度的重要因素.通过采用密度泛函理论,计算了芳香酮在基态和三重态异构化反应的稳定点几何构型,完成了简谐振动频率分析,并利用内禀反应坐标理论计算了反应的最小能量路径.研究数据显示,芳香酮在基态和三重态酮式与醇式互换异构反应的能垒均低于聚乙烯碳碳键平均键能.     

半导体二极管的特性分析与应用

本文从分析PN结的单向导电性入手,阐述了二极管的伏安特性、击穿特性及主要参数,进一步讲述了二极管的应用。     

基于衬底偏压电场调制的高压器件新结构及耐压模型

提出一种基于衬底偏压电场调制的薄层硅基LDMOS高压器件新结构,称为SB LDMOS.通过在高阻P型衬底背面注入N~+薄层,衬底反偏电压的电场调制作用重新分配体内电场,纵向漏端电压由源端和漏端下两个衬底PN结分担,器件的击穿特性显著改善.求解漂移区电势的二维Poisson方程,获得表面电场和击穿电压的解析式,研究器件结构参数对表面电场和击穿电压的影响.仿真结果表明,与埋层LDMOS相比,SB LDMOS击穿电压提高63%.     

以液体喷流方式利用LIBS定量分析水溶液中的Cr元素

为了提高激光诱导击穿光谱技术用于水溶液中痕量重金属检测的稳定性和灵敏度,采用液体喷流的方式,利用激光诱导击穿光谱技术对不同浓度的Cr溶液进行了检测和分析.通过对实验系统的激光能量、探测延时等的优化,以Cr元素的425.43 nm谱线作为分析线,得到水溶液中的Cr元素的检测限(LOD)为1.26ppm.这一结果比Nilesh K.Rai等人(参见文献1)的检测灵敏度提高了近24倍.     

氧气沿面放电臭氧合成机理

提出了一种氧气沿面放电过程中臭氧合成的"双区模型",即氧分子离解区和与之分离的臭氧形成区.臭氧的产生率由离解区氧原子的产生效率和形成区氧原子转化为臭氧的效率决定.沿面放电中臭氧的产生率低电场时随电场升高而增大,高电场时随电场增大而减小.在氧气的击穿电场附近和低温条件下可以获得较高的臭氧合成效率.     

芯片氧化层静电放电击穿模型研究

提出了芯片门电路硅氧化层静电放电介质击穿的物理模型.并使用该模型讨论了介质击穿场强与介质厚度的关系,讨论了介质击穿电压与ESD(静电放电)敏感度的尺寸效应,对于厚度为0.01μm、面积为9.09×10-6 cm2氧化层,其击穿电压约为208 V;若面积不变,厚度缩小为原来的1/10,则其击穿电压降为160 V;若面积也等比例缩小,则击穿电压降为20 V,其结果是耐ESD的能力大幅度降低.