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141.
PDP选址驱动芯片高压管设计 总被引:4,自引:0,他引:4
PDP选址驱动芯片实现低压控制高压输出,其中高压管的设计是关键,文中提出了能与低压CMOS工艺相兼容的高压管HV—CMOS结构及其中的高低压转换电路,采用TSUPREM-4与MEDICI软件对其击穿特性进行了相应的模拟分析;通过对已流水的芯片中的高压管进行分析验证看出该结构击穿电压大于80V,工作电流大于40mA。 相似文献
142.
为了研究高温超导电缆绝缘材料聚丙烯层压纸(PPLP)在实际服役过程中的老化规律及机理,对PPLP绝缘材料进行了不同程度的电老化,通过交流击穿及等温表面电位衰减研究了电老化对PPLP绝缘材料击穿特性及陷阱分布特性的影响,并结合红外光谱、显微形貌观测和热重实验分析其老化机理。实验结果表明:随着电老化程度的增大,PPLP绝缘材料的交流击穿场强由113.3kV/mm降低至92.3kV/mm,浅陷阱密度逐渐增大,深陷阱密度逐渐减小;PPLP外层绝缘纸结构趋于松散,部分纤维素断裂,表面出现大量孔隙,绝缘纸内部氢键及糖苷键对应的红外吸收峰强度降低;同时,绝缘纸的最快热失重温度降低,而中层聚丙烯的热失重过程未发生明显变化,说明在老化过程中PPLP绝缘性能下降的主要原因在于外层绝缘纸的劣化。分析认为:纤维素分子主链上的糖苷键以及分子间的氢键在高能电子的撞击下发生断裂,分子间作用力减弱,结构致密性降低;绝缘纸内部自由体积增大,纤维素分子链段对电荷的束缚能力减弱,电荷更容易在分子链间进行迁移,进而导致PPLP绝缘深陷阱密度和交流击穿场强降低。 相似文献
143.
《西安交通大学学报》2016,(12)
为了对纳米复合电介质的电气性能变化与显微结构之间的关系进行深入研究,以双酚A型环氧树脂为基体,通过机械分散法制备了不同浓度的纳米Al_2O_3-环氧树脂复合电介质。利用扫描电镜对试样的断面进行了观测,研究了不同含量的纳米粒子对复合电介质介电响应和工频击穿特性的影响。结果表明:纳米粒子在环氧树脂基体中分散均匀;随着掺杂量的增加,复合材料的介电常数和低频损耗先下降后上升,在纳米粒子质量分数为1%时达到最低;工频击穿场强先增大后减小,在纳米粒子质量分数为1%时达到最大,为43 400V/mm,相对纯环氧树脂提高约11.8%。分析认为,纳米粒子与环氧树脂之间形成的交互区是影响短时击穿的主要因素。微量掺杂时,交互区的厚度小于载流子的自由程,抑制载流子迁移,进而增大击穿场强,随着纳米掺杂量提高,交互区会发生重叠,降低击穿场强。 相似文献
144.
冯允平 《西安交通大学学报》1988,(3)
本文报告了在六氟化硫与空气混合气体(SF_6/Dry Air)同轴电极系统中内电极固定导电微粒时,施加不同波形的冲击电压(250/2500μs操作冲击电压,1.5/50μs雷电冲击电压,1.5/2500μs短波前长波尾冲击电压)下的电晕稳定——击穿特性.实验结果表明,冲击电晕稳定与击穿电压决定于SF_6含量及波前时间,几乎与波尾时间无关. 相似文献
145.
为了给激光光分裂式眼科治疗仪的设计提供可靠的依据,讨论了激光的生物效应,穿孔机制与激光技术参数的制约关系。 相似文献
146.
本文用重正化群方法对介电击穿模型(DBM)的相变问题进行了研究。我们计算了2×2原胞和3×3原胞的多重分形谱和自然能以判断相变是否存在。为了寻找相变点,我们还敢从3×3原胞到2×2原胞重正化得来的自由能二阶导数。我们得到两个结论:一是对几乎所有的η值相变都存在;二是η值越大,则相变点qc的值越大。 相似文献
147.
在斜坡电压应力条件下对GaAsMMIC介质层Si3N4的击穿特性进行了测试,探讨了电容面积、周长以及斜率对与时间有关的介质击穿(TDDB)特性的影响.实验结果表明,电容面积越大,周长越长,介质中的缺陷就越多,其击穿电压也就越低,可靠性越差.根据TDDB线性电场模型,采用不同斜率的斜坡电压应力测试数据预测了正常工作电压下的Si3N4寿命.与温度加速实验相比,文中所提方法快速、成本低廉. 相似文献
148.
利用了平面结击穿电压的归一化表达式,研究了终端带单一场环的P+N结击穿电压特性,通过解峰值电场方程,给出了确定主结与单浮环最佳间距的简便方法,得到了在未穿通情况下,具有单场保护环平面终端端优化设计的理论公式。 相似文献
149.
150.
为保证带电作业绝缘杆的合格,对绝缘杆的加压时间、加多高试验电压比较合理进行了试验分析,经试验分析,对绝缘杆施加1分钟工频耐压试验就能考核绝缘杆绝缘性能的好坏。 相似文献