晶体管二次击穿特性研究

主要从器件的结构与制造角度,详细地讨论了与抗烧毁有关的大功率开关晶体管的二次击穿及其改善措施,并介绍了一种新型的大功率晶体管结构,对投片生产具有实际的指导意义．     

SOI双槽隔离结构的耐压特性

理论推导了绝缘体上硅(SOI)双槽隔离结构的耐压模型.该模型表明,在SOI双槽隔离结构中,因隔离氧化层压降的不均衡,高压侧隔离氧化层提前发生介质击穿,从而导致SOI双槽隔离结构的临界击穿电压小于理论值.增大沟槽纵横比和减小槽间距可以减弱隔离氧化层上压降的不均衡性,提高SOI双槽隔离结构的临界击穿电压.Sentaurus器件仿真软件的模拟结果和华润上华半导体有限公司0.5μm 200 V SOI工艺平台下的流片测试结果均证明,减小槽间距和增大沟槽纵横比是提高双槽隔离结构临界击穿电压的有效方法,同时也证明了该耐压模型的正确性.     

浅谈接触网绝缘设备的运营维护

针对电气化铁道接触网绝缘设备的故障类型,并结合兰州供电段2008年出现的绝缘部件故障,通过对其原因进行理论分析,制定出预防绝缘部件防闪络、击穿和机械损坏的措施,使接触网绝缘部件运营维护的管理做到有序可控,尽可能减少由于绝缘设备故障引起的中断供电事故,提高供电可靠性,确保铁路的安全生产和运输。     

终端场板结构对GaN基肖特基势垒二极管击穿电压的影响

为了提高肖特基势垒二极管(Schottky barrier diode,SBD)的击穿电压(breakdown voltage,BV),系统研究了终端场板结构的GaN-SBD.基于Silvaco TCAD软件,采用控制变量法即分别在不同场板长度(LFP)和绝缘层厚度(TFP)及GaN漂移区掺杂浓度(ND)条件下仿真了器...     

气体开关管稳态击穿特性的仿真研究

TR管在带内保护性能良好,而在带外其泄漏却大大增加。这一现象可能为高功率微波对雷达前端的攻击提供了新的机会,也对雷达的保护提出了新的挑战,本文在此基础上介绍了雷达接收机用气体开关管（TR管）结构和工作击穿机理。在输入连续波和单脉冲情况下,理论近似计算了TR管击穿场强和响应时间,给出了相应的表达式。另外通过仿真软件MAGIC,分析了TR管在输入连续波功率下的泄漏功率。     

PTC失效机理分析

概述2012年初,国内某公司销往国外的产品陆续有出现PTC(Postive Temperature Coefficient正温度系数热敏电阻器)烧毁事件的发生。客户反映极其强烈,并提出索赔款要求,针对此事件,三方(承制方、PCB板OEM商、元器件供应商)经过几轮技术分析、沟通,有两种意见:器件选型有问题,耐压30VDC过低,应该选用耐压值更高的,器件失效的原因是由于设计时     

电弧运动通道对低压限流断路器开断过程重击穿现象的影响

以双断口断路器模型为研究对象，分别从气流场数值分析和试验角度探讨了不同电弧运动通道结构的影响，提出了一种有利于抑制断路器开断过程电弧重击穿现象的收缩型电弧通道。     

激光在水中产生超声波的实验研究

用ＹＡＧ脉冲激光在自来水中产生超声波，用丹麦制造的水听器接收水中声波，在示波器上显示其波形并分析了产生声波的机理及特征．结果表明，当光源的脉冲宽度为８ｎｓ时，在混响声场中接收到声脉宽约为２ｍｓ；而在自由场中为１～２μｓ．所以，在理想的情况下，声脉冲宽度应和光脉冲宽度同数量级．     

晶体管击穿电压的数值分析

本文从物理概念出发，推导出载流子在集电结空间电街区发生碰撞电离时基极开路晶体管电流的表达式，并由此得到晶体管的雪崩击穿条件及ｐｎ结二极管的雪崩击穿条件。根据数值计算结果找到了快速、精确计算基极开路晶体管击穿电压的经验公式。     

背面氩离子轰击改善MOS系统界面特性和击穿特性

在室温下用低能量Ａｒ＾＋轰击ＭＯＳ电容器肾面，能改善ｉＯ２－Ｓｉ系统的界面特性和击穿特性。结果表明，随着轰击时间的增加，固定电荷密度、界面态密度和漏电流减少，高场击穿的比率增大，然后这些参数变化平缓并开始呈恶化趋势。轰击能量为５５０ｅＶ和束流密度为０．５ｍＡ／ｃｍ＾２时的效果比在３５０ｅＶ和０．３ｍＡ／ｃｍ＾２时的好。