对十二烷氧基苯甲酸铕四元配合物的合成及其光致发光

合成了对十二烷氧基苯甲酸-二苯甲酰甲烷(DBM)-邻菲罗啉(phen)-铕四元配合物,用元素分析(EA)、红外光谱(FT-IR)、氢谱(1HNMR)和紫外光谱(UV)对所合成的铕配合物进行了表征;由于长链的引入,配合物在氯仿等挥发性有机溶剂中具有好的溶解性,为以后与高分子基体复合创造了条件;配合物在波长342 nm激发下,发出以铕的特征发谢谱线615 nm左右为主的强荧光.     

In团簇对InN光致发光特性的影响

通过光致发光方法研究了氮化铟(InN)材料的发光特性。实验发现,随着温度的变化,不同结构的InN样品的发光峰位置展现了不同的行为。在具有In团簇结构的样品中,其发光峰位置显示了反常的蓝移现象。这种发光峰能量的反常变化是由In团簇周围的界面态引起的。     

磷酸扩孔对阳极氧化铝薄膜光学性质的影响

采用自制电解槽、氧极氧化装置,并用磷酸腐蚀扩孔制备了阳极氧化铝薄膜.通过扫描电子显微镜、紫外-可见漫反射光谱仪、荧光分光光度计等对样品进行了表征.结果表明,随扩孔时间从10 min延长到30 min,阳极氧化铝薄膜的孔径由39 nm增大到69 nm,光致发光强度降低,带隙能由3.92 eV降低到3.85 eV.研究发现,腐蚀扩孔过程会导致薄膜中氧空位的数量发生变化,揭示了通过腐蚀扩孔调控氧化铝薄膜中氧空位数量的可能性.实验结果为获得预期物性的阳极氧化铝薄膜提供了一种可行的途径.     

一种增强多孔硅光致发光稳定性的方法

以n型单晶硅为基底材料,采用电化学阳极氧化工艺和光化学氧化后处理工艺制备氧化多孔硅,利用扫描电子显微镜、红外光谱仪、荧光光谱仪研究氧化多孔硅形成前后的表面形态、组成、光致发光、耐碱性的变化.结果表明:光化学氧化后处理使n型多孔硅表面岛状硅柱间沟槽变窄,结构中出现Si―O键(波数1 146 cm-1和1 140 cm-1)、OSi―H键(波数2 254 cm-1)振动峰,在碱性介质中具有一定的耐蚀性;空气中贮存50 d,氧化多孔硅光致发光强度下降缓慢,发光峰位置无明显变化,具有良好的光致发光特性.     

Li~+增强SrWO_4:Er~(3+)-Yb~(3+)上转换发射的研究

采用化学共沉淀法制备了纳米晶Sr WO4:Er3+/Yb3+/Li+发光粉体.室温下观察到Er3+的特征发射和上转换发射,强发射带分别对应着2H11/2-4I15/2,4S3/2-4I15/2和4I13/2-4I15/2能级跃迁.研究了Li+的掺入使Sr WO4:Er3+/Yb3+样品的上转换发光强度增加的原因.     

碳纳米管模板对 YBO3：Eu3＋（5％）结构、形貌及光致发光的影响

在前驱体溶液中添加和不添加碳纳米管，采用简单的水热合成法并在1000℃下烧结，获得树枝状和类球状纳米结构的 YBO3：Eu3＋样品．研究表明：对于树枝状结构的样品，其红色和橙色光的强度比更高，且其CIE 坐标为（0．67，0．33），几乎与商业红色荧光粉 Y2 O2 S ：Eu3＋的色坐标相同，可见树枝状结构的红色荧光粉YBO3：Eu3＋在纳米器件和照明器件中具有潜在应用价值．该文还对样品的发光性质和机制做了解释．     

物理气相沉积法制备TP/TFA纳米薄膜与光致发光特性探究

为了探究有机荧光材料在微纳尺寸上的荧光特性，采用低真空物理气相沉积方法制备了茶碱（TP）和2，3，5，6-四氟对苯二甲酸（TFA）有机纳米薄膜。通过对TP和TFA薄膜的荧光性质进行表征发现：与TP粉末相比薄膜的荧光发射峰由1个增加到4个，发射波长范围拓宽了100 nm，TFA的荧光发射峰之间的相对荧光强度发生了变化，与原料粉末相比在408 nm处的荧光发射峰蓝移了7 nm，362 nm处的荧光发射峰红移了3 nm。另外随着纳米薄膜厚度的逐渐增加，其荧光效率也逐渐增大。通过对TP和TFA纳米薄膜的表面形貌表征发现：随着薄膜厚度的增加，颗粒的聚集形态尺寸逐渐增大，从而验证了荧光效率随膜厚增加而逐渐提升的特性。     

Ca_8Mg(SiO_4)_4Cl_2:Ce~(3 ),Eu~(2 )的光致发光特性

对Ca8Mg（SiO4）4Cl2:Ce3 ,Eu2 系列荧光粉进行合成与测试,探讨Ca8Mg（SiO4）4Cl2：Ce3 ,Eu2 中Ce3和Eu2 之间的相互作用,初步判断Ca8Mg（SiO4）4Cl2：Ce3 ,Eu2 中Ce3 →Eu2 的能量传递主要是电偶极-偶极相互作用的结果.     

含1,3,4-噻二唑希夫碱衍生物及其金属配合物的合成和荧光性能研究

以水杨酸、氨基硫脲为原料,POCl3作为溶剂、催化剂、环合剂,合成了2-氨基-5-(2-羟基苯基)-1,3,4-噻二唑.通过其与相应的芳香醛反应,合成了3种含杂环1,3,4-噻二唑的希夫碱及其金属配合物.采用傅里叶红外光谱(FT-IR)和核磁共振(1H-NMR)对目标产物及其中间体进行了表征,通过荧光光谱研究了其光学性能.结果表明:所用方法反应时间短、操作简单、产率高,这些化合物具有较强的荧光发射光谱,有望成为较好的有机光电材料.     

掺Er的In_(1-x)Ga_xP的光致发光性质

金属有机物化学气相淀积（ＭＯＣＶＤ）用于制备掺Ｅｒ的Ｉｎ１－ｘＧａｘＰ外延层。低温（１０Ｋ）下,研究了温度与光致发光性质的关系作为合金成分的函数,其中合金成分为ｘ＝０—０．９８,发现所有掺Ｅｒ的Ｉｎ１－ｘＧａｘＰ外延层都在０．８０１ｅＶ处有一个强光致发光峰,与合金成分无关,在２９５Ｋ时观测到Ｉｎ０．５２Ｇａ０．４８Ｐ样品的Ｅｒ３＋离子的光致发光（ＰＬ）特征峰,发光强度明显降低。