基于量子微粒群优化算法的半透明介质光学参数反演

针对半透明介质光学参数估计问题,建立了脉冲激光辐照下半透明介质光学参数反演模型,采用量子微粒群优化(QPSO)算法反演了折射率和吸收系数,分析了测量误差、热物性参数对反演结果的影响,并利用敏感性分析揭示了反演精度与测量误差的关系.计算结果表明：建立的反演模型和采用的QPSO算法可以精确估计折射率和吸收系数,即使人为添加10%的测量误差,反演结果依然具有较强的鲁棒性和准确度.本研究可为半透明介质物性参数获取提供技术参考.     

基于掺铕钨酸盐荧光强度比的非接触温度传感

为了突破传统测温技术应用的局限性,利用NaY （WO₄）₂：Eu³⁺玻璃陶瓷（glass ceramics,GC）实现了具有非接触、实时响应、自校准等优势的双模荧光强度比（luminescence intensity ratio,LIR）测温。采用高温熔融淬灭法制备出含NaY （WO₄）₂：Eu³⁺纳米晶的透明GC样品,并进行系列光谱测量和热敏性能分析。结果表明,样品中Eu³⁺的激发态能级⁵D₁和⁵D₀和基态能级⁷F₂和⁷F₀为两对独立的热耦合能级,可分别基于这两对热耦合能级实现性能优异的双模LIR温度传感。该双模LIR测温技术数据可靠、测温范围广、灵敏度高,再结合GC材料优势,是可用于光纤温度传感器的核心技术材料。     

用于智能材料与结构的NiTi丝的电阻特性研究

研究了拉伸过程中,ＮｉＴｉ形状记忆合金丝的应变与电阻的关系．结果表明,对于初始组织为马氏体的ＮｉＴｉ丝,在拉伸过程中,电阻与应变之间成线性关系．对于初始组织为奥氏体或奥氏马氏体两者混合的ＮｉＴｉ丝,当发生应力诱发马氏体相变后,曲线的斜率降低,相变前后电阻－应变保持线性关系．对于初始组织含有Ｒ相组织的ＮｉＴｉ丝,在拉伸过程中,电阻的变化规律较为复杂,取决于初始组织中各相的比例和温度．在卸载阶段,当没有相变过程发生时,电阻－应变之间呈线性关系;当有相变过程发生时,电阻－应变曲线的斜率会发生改变．     

质心层次特征的无约束手写体数字识别

光学字符识别（ＯＣＲ）是模式识别最为成功的应用之一．目前,ＯＣＲ的研究重点是无约束手写体字符识别．采用了基于字符质心的层次特征对无约束手写体数字进行分类识别．基于字符质心的不均匀分块方法,在一定程度上可以克服无约束手写体数字字形千变万化所引起的不稳定性．层次特征将字符在空间的二维分布转化为一维,特征抽取过程简单,易于实现．将该算法应用于无约束手写体数字的信函分拣系统,单字的平均识别率达９７％以上．     

新型压电陶瓷涡街流量计

介绍一种新型的压电陶瓷涡街流量计,该流量计采用ＢＳＴ压电陶瓷元件来检测旋涡释放频率,使该流量计能在高温工况下工作,一年多的工业现场运行试验结果表明,新研制的涡街流量计可靠性高、稳定性好,在４００℃高温和１０ＭＰａ高压下能长期连续正常运行。     

The Relation between the Sensitivity and HeatingVoltage of ZnSnO 3 Gas Sensor

对ＺｎＳｎＯ３气敏元件特性的测试结果表明,元件灵敏度随加热电压的变化而变化．当加热电压小于某一特定值ＶＨ０时,灵敏度不变;当加热电压大于３倍ＶＨ０时,灵敏度降低,元件失效。通过Ｘ射线衍射和ＳＥＭ二次电子能谱等检测实验,找出了气敏元件灵敏度降低的原因．     

1,3—对称取代方酸衍生物的分子结构,非线性光学性质及其 …

利用ＡＭ１和ＰＭ３方法研究了１,３－对称取代方酸衍生物的分子结构、电子结构、非线性光学性质及其相互关系。从理论上证明了这类分子在不同强度的外加电场作用下的主要共振形式和电子转移机理。通过定义一套新的分子结构参数ＢＬＤ,建议了一种非线性光学系数α,β,γ与分子结构的定量构效关系。     

纳米结构硅研究的发展动态*

本文综合归类了目前制备纳米结构硅的主要方法：等离子体化学气相沉积．激光诱导化学气相沉积和热蒸发法（制纳米晶硅）及电化学腐蚀法（制多孔硅）,给出各种方法的典型参数及其对纳米硅结构的影响,分析了纳米硅结构特征,比较分析了各种方法制备的纳米硅的光学性能,如光学能隙Ｅｏｐｔｇ,光致／电致发光谱峰位波长、半高宽及影响因素等,并对纳米硅研究的发展前景进行展望．     

O形密封环的弹塑性大变形和循环松弛分析

采用非经典大变形弹塑性理论和相应的结构分析有限元程序对压力容器法兰密封结构元件Ｏ形环的压扁及回弹进行了分析。进而对Ｏ形环元件的反复加卸载过程中压紧力的松驰进行了分析,结果与实验吻合得很好。分析还表明所采用的方法收敛速度快且便于工程应用。     

髓核假体的制备及应力松弛特性的影响分析

对聚乙烯醇水凝胶髓核假体进行了应力松弛性能的研究,比较不同溶胀率和不同初始聚乙烯醇含量对应力松弛性能的影响.等时线法的研究分析表明,髓核假体的力学行为符合线性粘弹性行为,三元件线性粘弹模型能较好地模拟其粘弹力学行为(模拟拟合度均在0.96以上).三元件线性粘弹模型参数分析表明,对于髓核假体来说,溶胀率的增大可以增加髓核假体消散冲击力的速度,但对消散冲击力的总量影响不大,初始PVA含量的提高将降低髓核假体消散冲击力的速度和总量.