Ag/SiO2介孔组装体系的结构与光吸收特性

纳米颗粒介孔组装体系的光学特性是纳米材料领域的重要研究内容,采用浸泡-氢还原的方法制得Ag/SiO2介孔组装体系,通过透射电子显微镜(TEM)对样品进行表征,使用分光光度计(Cary 5E UV-Vir)对在不同还原温度下制得的样品进行光吸收测量.TEM结果证明银颗粒近似为球形,呈高度弥散且均匀分布于介孔之中,颗粒直径约为5 nm.光吸收测量结果发现,在还原性气氛H2中制备的样品表现出Ag纳米颗粒的吸收,即由自由电子共振引起的表面等离子体共振(SPR)吸收峰,且随着处理温度的升高,吸收边红移.     

光电催化分解水和还原CO2研究进展

 介绍了光电催化（PEC）分解水和还原CO₂的基本原理、研究进展。探讨了提高PEC效率的关键策略，主要包括通过能带调控、形貌控制和敏化提高光吸收，通过助催化剂促进表面反应，以及通过构建局部偶极或异质电场、形貌调控和界面修饰促进电荷分离与传输等。     

纳米TiO2颗粒与介孔SiO2复合体系的光吸收边调制

用介孔固体浸泡水解的方法合成了纳米ＴｉＯ２／ＳｉＯ２介孔复合体,并对其结构进行了表征和评估。研究了介复合体的吸收边与ＴｉＯ２纳米颗粒复合量的减小,介孔复合体的吸收边蓝移量增加,随热处理温度的升高,蓝移量减小。     

纯钛酸铋晶体和掺铝钛酸铋晶体的光吸收谱

用自动分光光度计测量自己生长的光折变晶体钛酸铋（ＢＴＯ）光吸收谱．结果表明,室温下纯ＢＴＯ晶体的吸收谱在２．２～３．２ｅＶ之间存在一个宽吸收峰,说明在晶体的带隙内存在一个间接跃迁能级,离导带顶大约２．２ｅＶ;掺铝后该吸收峰消失,光折变效应也随之消失．     

掺杂a-Si∶H薄膜的非平衡热缺陷研究

通过直流暗电导率温度依赖关糸σ(T)和光吸收谱的测量,研究了退火降温速率对掺杂a—Si∶H薄膜中热缺陷的影响.     

准一维聚噻吩及以噻吩为基的共聚物的光学性质

利用半经验的ZINDO方法研究了聚噻吩及以噻吩为基的共聚物的电子光跃迁性质．以噻吩为基的共聚物具有阱-垒-阱结构特征，阱部分为具有不同共轭长度的聚噻吩，垒部分为具有大能隙的非可见的发光材料．计算发现，改变阱的共轭长度和垒的结构可控制聚合物的发光，跃迁能随链长的增加而减小，表现为光吸收谱红移．     

ZnIn2S4薄膜喷雾热分解制备及其光电化学性质

以ZnCl2、InCl3·4H2O和(NH2)2CS为原料,采用喷雾热分解方法在ITO玻璃上制备了高质量的ZnIn2S4薄膜,使用X射线衍射仪、扫描电镜和分光光度计对制备的薄膜进行了结构、形貌和光学性质的表征,利用基于密度泛函理论的平面波赝势方法对制备的立方相ZnIn2S4进行了能带结构计算,并采用锁相放大技术研究了ZnIn2S4电极的光电流作用谱图.结果表明:使用喷雾热分解方法能够制备结晶完好、无针孔的ZnIn2S4薄膜,制得的薄膜呈立方相,在可见光区(λ＞420nm)有很好的光吸收;薄膜为间接带隙半导体,价带最高轨道由S3p In5p构成,导带最低轨道由S3p In5s轨道构成,作为光电极使用可有很好的光电化学响应,在0.1 mol/L Na2SO3和0.1mol/L Na2S的混合电解质溶液中,0.3 V电极电势下400 nm处的光电转换效率(IPCE)达到了30%以上.     

SiH_n(n=1-4)和Si_2H_n(n=2-6)的结构和光吸收谱第一性原理研究

采用密度泛函理论的杂化密度泛函B3LYP方法和基于含时密度泛函理论的赝势平面波方法,结合含时局域密度近似,计算了SiHn(n=1-4)和Si2H6分子团簇结构和光吸收谱,结果与现有实验值相一致.并从理论上预测了Si2H2-5的团簇结构,同时为实验提供了Si2H2-5光吸收特征谱.对Si-H分子团簇结构研究表明:随着H含量提高,SiHn分子对称性有所提高,Si2Hn分子中原子数目为偶数的对称性较好.对于Si1-2Hn分子团簇,光吸收谱能隙随着n的增大整体而呈增大趋势,且不同分子团簇结构的吸收峰对应不同位置和形状.     

朗伯—比耳定律的物理意义及其计算方法的探讨

朗伯－比耳定律又称为光吸收定律,它是比色分析和分光光度法的理论基础和定量依据,因此准确地理解和掌握朗伯－比耳定律的物理意义及其计算方法更显得尤为重要。     

Zn_(1-x)Fe_xSe薄膜的光吸收特性

稀释磁性半导体(DMS),或半磁半导体(SMSC)是一类新型的半导体材料。它是以Ⅱ—Ⅵ族、Ⅳ—Ⅵ族、Ⅱ—Ⅴ族或Ⅲ—Ⅴ族化合物为基体,以磁性离子随机地部分取代其中的非磁性阳离子而形成的三元或四元化合物。这些化合物呈现了与成分有关的带隙