光快速热处理对化学水浴法合成的ZnS薄膜的微结构和光学性质的影响

采用化学水浴法,以乙酸锌、硫脲、氨水和去离子水为反应前驱物制备了Zn S薄膜.采用SEM、XRD、紫外-可见吸收光谱和荧光光谱研究了光快速热处理温度(Trtt)对Zn S薄膜的表面形貌、结晶和光学性能的影响,同时对Zn S薄膜的形成机理做了分析.研究结果表明:光快速热处理前后,Zn S薄膜均基本呈非晶态,这显示仅采用氨水做络合剂并不能在硅(100)衬底上制备结晶的Zn S薄膜;随着Trtt的升高,Zn S薄膜的吸收边趋于红移,该红移可归结于薄膜应力的变化;在250 nm的紫外光激发下,as-depo的Zn S薄膜在470 nm附近出现的宽峰可归结于Zn S薄膜表面硫的不饱和sp3轨道引起的空穴陷阱和Zn空位的缺陷.Trtt的升高起初增加了薄膜中的点缺陷,随后由于薄膜内部的原子重新排列导致点缺陷减少.薄膜中的点缺陷含量与可见光区的发光强度成正比.     

脉冲和连续激光双光束对嗜盐菌视紫红质膜的瞬态动力学研究

采用自行设计的“染料脉冲泵浦＋连续泵浦－探测光”的实验系统,用几种不同波长的脉冲光和连续光研究了在两束光共同作用下,细菌视紫红质膜（BR）各能态光瞬态吸收动力学过程,以及光吸收信号与两束光波长和强度的关系。     

Ba(Y1-xCex)2Si3O10的光声光谱分析研究

室温条件下测定了Ba(Y1-xCex)2Si3O10(x=0.05,0.07,0.09)的漫反射吸收光谱、光声振幅谱和光声相位谱.由于高浓度掺杂使得Ce3+与Ce3+之间发生有效能量传递,从而导致Ba(Y1-xCex)2Si3O10(x=0.05,0.07,0.09)的漫反射吸收光谱强度依次降低,光声光谱强度依次增大.利用光声振幅谱结合相位谱的方法研究发光效率随掺杂浓度的变化,发现Ba(Y1-xCex)2Si3O10(x=0.05,0.07,0.09)3种不同掺杂浓度试样的发光效率依次降低.     

引用物质的量概念推导光吸收定律

用量子化的观点，重新推导了朗伯特－－比尔定律。引用物质的量的概念，得出，能得获光子的吸光质点的面积正比于吸光物质的物质的量，即Ｄｓｉ∝ｄＭｉ，从而使得该定律推导过程逻辑性增强。还阐述了吸光度的加合性及当形成ＮｘＲｙ型吸光物质时，Ａ＝１／ｘ，ε．ｂ．ＣＮ等一系列问题。     

Fe^3＋离子的颜色初探

本从水解作用、晶体场理论、电荷迁移等方面讨论了Fe^3 离子的颜色，并通过实验总结出如何配制Fe^3 的淡紫色溶液。     

多孔硅的形成机制及吸收特性

用测量多孔硅反射谱的方法研究了多孔硅在吸收边附近的特性。由于多孔硅的微空洞和残余部分大约只有纳米量级，故采用波长为２００～２６００ｎｍ的红外到紫外范围的光照射，根据多层膜的反射公式，计算出多孔硅在吸收边附近的吸收系数。结果表明（αｈω）２与（ｈω－Ｅｇ）呈线性关系，表明多孔硅在一定程度上已转变为直接带隙半导体。     

超Ⅱ代像增强器光电阴极成分控制原理研究

研究用光电阴极反射率预测和确定多碱阴极的厚度与成分，并用反射率和光谱响应对其进行控制。如果用５２０ｎｍ单色光源来测量反射率和光谱响应，则“超Ⅱ代像增强器”的光电阴极的厚度应约在１２０ｎｍ，即峰值ＢＭ３出现后Ｊ／Ｓｍａｘ约为６０％时。根据（Ｒｍｌ，Ｒｍ）和（Ｒｍ，Ｒｍ２）确定ｎ、ｋ值及光电流在光谱响应峰值前的稳定上升和峰值后的近似线性下降规律，可通过调节锑、钾、钠源蒸发速率控制阴极成分。     

Li4团簇光吸收谱的含时密度泛函理论研究

光吸收谱是识辨团簇异构体的重要工具,常被形象地比作团簇的"指纹".为了研究之前实验中Li_4团簇光吸收谱的测量对象,在密度泛函理论框架下,通过构型优化获得5种Li4团簇异构体,优化所得键长与之前理论研究结果符合较好,其中,平面菱形构型的基态能量最为稳定,同时理论预测了四面体构型(C2v)和长方形构型(D2h).基于含时密度泛函理论方法研究了5种Li4团簇异构体的光吸收谱,理论模拟结果表明,平面菱形构型与之前实验测量谱的符合程度最好,为实验的测量对象提供了有力的理论支撑.此外,通过选取2种有代表性的Li4团簇异构体,详细阐述了团簇中原子的空间延展与光吸收谱之间的量子尺寸效应.     

等离激元微腔中的量子阱太赫兹光吸收

利用Zubarev’s格林函数方法研究了强太赫兹电场作用下微腔中的双量子阱激子光吸收特性.将腔场和太赫兹场处理为光子,根据哈密顿量得到运动方程.研究考虑了失谐、太赫兹场耦合常数以及电子数的衰减率.研究发现,在强太赫兹场作用时,光谱呈现丰富的非线性效应,如出现复制峰和Autler-Townes分裂.该研究为微腔-量子阱系统量子光学响应提供了一个简单、方便的全量子理论处理方法.