CIGS薄膜太阳能电池光吸收层制备方法及国内相关专利的分析

CIGS光吸收层的制备工艺在CIGS薄膜太阳能电池的生产中起着关键性作用。本文主要介绍了CIGS光吸收层的真空沉积和非真空沉积的方法,以及国内相关专利的研究,以期能够有助于制备工艺的进一步研究。     

混相ZnO/ZnMgO多量子阱中电子子带间跃迁光吸收

考虑内建电场的作用,讨论ZnO/Zn_(1-x)Mg_xO多量子阱(MQW)阱间耦合、尺寸和三元混晶效应对电子子带间跃迁光吸收的影响。利用有限差分法自洽求解导带中电子的Schr9dinger方程和Poisson方程,获得MQW体系电子在基态、第一激发态、第二激发态能级和相应的波函数。采用费米黄金法则分别求出纤锌矿和闪锌矿两种结构子带间跃迁光吸收系数,并采用权重模型,拟合两种结构在0.37x0.62的混相区间光吸收系数。结果表明:在内建电场的作用下,量子阱数目(N_(qw))、尺寸和混晶组分可有效调节MQW结构的光吸收系数,提高光电器件的光吸收效率。光吸收系数峰值随着N_(qw)的增加先发生红移然后蓝移,随着阱宽和组分的增加而发生蓝移。所得结果可为红外光电器件的制备和相关实验提供参考。     

首席科学家谈纳米技术的应用前景

由于纳米微粒的小尺寸效应、表面效应、量子尺寸效应和宏观量子隧道效应等,使得它们在磁、光、电、敏感等方面呈现常规材料不具备的特性。因此纳米微粒在磁性材料、电子材料、光学材料、高致密度材料的烧结、催化、传感、陶瓷增韧等方面有广阔的应用前景——光学应用　纳米微粒     

半导体CdSSe量子点10K光致发光谱和光吸收谱研究

在10K温度下,通过光致发光和光吸收谱实验研究半导体CdSSe量子点,并进行了变温测量.分析了半导体量子点的量子尺寸效应、量子点电子能级的温度效应、量子约束效应和声子对光致发光谱的影响.     

新型银配位聚合物的制备、结构和光吸收性能

以AgNO₂, 4,4′-联吡啶和2,5-噻吩二甲酸为反应物，合成新型的配位聚合物[Ag₂(bpy)₂(H₂O)](tdc)•6H^₂O(bpy=4,4′-bipyridine, tdc=thiophene-2,5-dicarboxylate)。通过红外、元素分析和单晶X-射线表征该配位聚合物的结构。结果表明，该化合物属三斜晶系，P（-1）空间群；晶胞参数a = 0.70456 nm，b = 1.1415 nm，c = 1.8024 nm， a = 87.361 ^º，β = 88.838 ^º，γ = 72.414 ^º，V = 1.3803 nm³，和Z = 2；9648个独立衍射点（R(int) = 0.0636)，残差因子R1 = 0.0462，wR2 = 0.1122。此配位聚合物在紫外光区（350～320 nm）有较强的吸收。其在剑桥晶体学数据库的编号为290518。     

Cu+离子注入α-Al2O3晶体的光吸收与荧光谱测量

将注量为5×1016/cm2和能量为150～390keV的Cu+离子,在不同温度下注入α-Al2O3单晶试样,并在还原气氛中进行不同温度下的热退火处理,然后对试样进行光吸收和荧光测量.测试结果表明,不同能量及不同温度条件下的Cu+离子注入不同晶向的α-Al2O3晶体后,均发现该晶体在紫外可见光区域发生强吸收,而经退火后吸收强度大幅度下降.通过对光吸收谱进行高斯拟合以及荧光谱分析确认,Cu+离子注入蓝宝石晶体产生的点缺陷主要为F心,F+心,F2+心和F2+2等阴离子空位缺陷.     

Fe掺杂TiO2薄膜的低温制备及光吸收性能研究

将不同比例的Ti粉和Fe粉的混合粉末加入到质量分数为30%的H2O2溶液中,然后把Ti片浸入其中,保持80℃低温反应72h,在Ti片上形成了Fe掺杂TiO2薄膜。利用X射线衍射仪,扫描电子显微镜,紫外-可见光谱仪等多种手段对薄膜的结构及光吸收性能进行了研究。结果表明,在Ti片表面形成了结构较为疏松的锐钛矿相Fe掺杂TiO2薄膜;与未掺杂的TiO2薄膜相比,不同Fe粉含量生成的Fe掺杂TiO2薄膜的紫外-可见光吸收边均发生明显红移,禁带宽度均有所减小;掺Fe量为3%时,TiO2薄膜的禁带宽度减小至3.04eV。     

GaAs1—xPx：N中氮浓度的光吸收法测量

在液氮温度下利用光吸收法测量了一组混晶材料GaAs_(1-x)P_x :(0.60相似文献   

纳米TiO2颗粒与介孔SiO2复合体系的光吸收边调制

用介孔固体浸泡水解的方法合成了纳米TiO₂ /SiO₂ 介孔复合体 ,并对其结构进行了表征和评估 .研究了介孔复合体的吸收边与TiO2 纳米颗粒复合量和热处理温度的关系 .研究结果表明 ,随TiO₂ 纳米颗粒复合量的减小,介孔复合体的吸收边蓝移量增加 ,随热处理温度的升高 ,蓝移量减小     

(ZnSe)_n/(ZnS)_m应变层超晶格的光吸收系数

用L-K有效质量理论研究［001］方向生长的（Znse）n／（ZnS）m应变层超晶格的电子结构和光吸收系数．结果表明,光吸收系数与附宽和垒厚有关．