钠纳米团簇的光吸收和体等离激元:理论分析

指出了体等离激元是一种重要的元激发,在固体里它不能与光波耦合所以无法用光波分波来研究,但是在团簇里由于边界的存在,情况不太一样.此外,光与物质之间的相互作用是非常根本的,但简单金属团簇在紫外光区的光吸收从未被实验研究过,尽管这方面的理论计算非常多.采用光倒空技术对N a20和N a92团簇进行了光吸收实验,覆盖了近紫外部分以及可见光范围(2.0~5.5 eV);实验还研究了其它一些团簇在近紫外范围内的吸收截面.在可见光部分N a20的实验数据与现有的数据非常吻合.除了表面等离激元在可见光区域很强的吸收峰外,还观察到紫外区域明显的光吸收.对吸收截面光谱进行洛伦兹拟合揭示了中心略高于4eV宽峰的存在,这个宽峰的频率与权重均与理论预测非常接近,被确定为纳米团簇"体等离激元"共振.这些吸收光谱是金属纳米团簇由光子激发的"体等离激元"集体电子态的首次实验观测与证实,这种实验现象只存在于有限体系.     

纳米TiO2-SnO2复合材料的合成及光催化性能

以TICl4和SnCl4·5H2O为原料。采用共沉淀法,制备了复合纳来TiO2--SnO2粉体。同时发现Sn元素的加入量对复合粉体光催化性能的影响很大,最佳复合量约为4％至8％。XRD结果表明,产品前驱袖为非晶态,经500℃灼烧后为锐钛矿型。TEM照片可以看出,产品粒子基本为球形,约为20nm,且粒度分布很窄,均为软团聚。光吸收及光催化实验发现sn含量为6％时,光催化效果最好,在日光照射50min后,此TiO2--SnO2复合材料对酸性红3R染料溶液降解率接近100％。     

形变对InAs/GaAs量子点光学性质的影响

在有效质量近似下,结合外场对材料性质的改变,并考虑压电电子学相关观点,从计算上研究了外场对闪锌矿InAs/GaAs量子点光学性质的影响,并与实验结果进行了比对.结果 表明:形变会导致量子点光吸收谱线强度降低,但吸收峰峰位向高频方向移动.考虑因形变增大而加强的压电势影响时,量子点的光吸收强度降低更加明显,向低能方向快速移...     

超临界干燥和普通干燥方法对多孔硅的结构及性质的影响

对经超临界干燥与经自然干燥处理的多孔硅样品的表面形貌,光致发光、Ｒａｍａｎ光谱和光吸收特性进行了对比研究。扫描电子显微镜和Ｒａｍａｎ光谱分析表明,经超临界干燥自理与自然干燥处理的多孔硅样品的微结构存在显著的差异。     

高功率、长寿命GaAs光电导开关

通过改进GaAs光导开关衬底材料研制工艺、机械结构设计、欧姆电极研制工艺、绝缘封装工艺和脉冲电源馈电方式,研制了3mm异面电极的GaAs光导开关.在56.12μJ光能激励、1kHz重频、15kV偏压、50?负载实验条件下,测得光导开关使用寿命超过3.6×106次,输出电脉冲峰值功率2MW、脉冲宽度2ns、触发抖动方均根值为65ps;最高工作电场达到100kV/cm,对应峰值功率达到10MW;实验还给出了光导开关电压转换效率、触发抖动随偏压升高的测试结果;考虑GaAs对1064nm光吸收系数随电场的变化,定量分析了光导开关电压转换效率随偏压变化的实验现象.     

光散射法测烟尘浓度的实验研究

设计制作了光散射法测定烟尘浓度的实验装置，对典型烟尘样品进行了检测。结果表明，相对于光吸收法来讲光散射法有更高的灵敏度。     

Cu2〖KG-*3〗O/Ag复合催化剂的合成及红外光激发下的光催化性能研究

采用液相还原法合成不同摩尔比的Cu2O/Ag(x)复合型催化剂,应用X-射线粉末衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外可见漫反射(DRS)等分析手段对样品进行表征.结果显示,纳米金属Ag的存在使得Cu2O/Ag(x)样品对光的吸收扩展到了整个可见和近红外区,且随样品中Ag含量的增加,该区域的吸收逐渐增强,证明Cu2O/Ag(x)复合催化剂对太阳光具有高的吸收能力.以甲基橙（MO）为目标降解物,研究催化剂在黑暗条件下的降解性能,结果表明Cu2O/Ag(005)催化剂具有最高的降解能力,在120 min内黑暗条件下MO(30 mg/L) 降解率达到892%.另外对Cu2O/Ag(x)复合催化剂的降解机理进行了探讨.     

Ga＿（1－x）In＿xAs＿（1－y）Sb＿y四元合金系光学性质的研究

对以ＧａＳｂ为衬底、外延生长的四元化合物Ｇａ＿（１－ｘ）Ｉｎ＿ｘＡｓ＿（１－ｙ）Ｓｂ＿ｙ（组分在ｘ＝０．０３２，ｙ＝０．９４到ｘ＝０．２６，ｙ＝０．９范围内）进行了远红外反射谱、喇曼散射、光吸收和光致发光的测量。结果给出外延层晶格振动的性质及不同温度下（８３Ｋ—３００Ｋ）四元合金的能隙，并详细讨论了能隙随温度的变化。     

S20光电阴极光谱响应特性的理论研究

该文根据光电阴极的量子产额谱，导出了光谱响应Ｓ（λ），通过选择合适参数，计算的Ｓ２０光谱响应曲线与实验基本吻合。该文也分析了阴极厚度Ｄ，阴极结构参量Ｐ，光电阴极光谱响应截止波长λ＿ｊ和光电子逸出深度Ｌ对Ｓ（λ）的影响，认为Ｄ、Ｐ和λ＿ｊ是决定Ｓ２０阴极性能的主要因素。