纵向磁场沉积态(F/SiO_2)_3/Ag/(SiO_2/F)_3多层复合结构膜的巨磁阻抗效应

采用射频溅射法分别在零磁场和72kA/m的纵向静磁场下,制备了结构为(F/SiO2)3/Ag/(SiO2/F)3(F=Fe71.5Cu1Cr2.5V4Si12B9)的多层复合膜.研究了沉积态样品的软磁特性和巨磁阻抗(GMI)效应.结果表明,在无磁场沉积态样品中未探测到GMI效应.在沉积过程中加纵向磁场明显优化了材料的软磁性能,从而获得显著的GMI效应.在6.81MHz的频率下,最大纵向和横向GMI比分别高达45%和44%.同时还分析了磁阻抗比、磁电阻比、磁电抗比和有效磁导率比随频率变化的行为,发现磁场沉积态样品的纵向和横向GMI效应随频率变化的频谱曲线几乎重合.阻抗在低频下主要是巨磁电感效应.当频率f>9MHz时,磁电抗比变为负值,即电抗的性质从电感性变成了电容性.     

先天性白内障一家系报道

先天性白内障是目前儿童低视力和致盲主要原因[1],病因有多种,可由环境和遗传因素造成.其中约26%～51%的先天性白内障由遗传因素决定的.2008年3月我院发现一遗传性白内障家系,现报告知如下.     

国外科技期刊亮点

痘病毒与先天性免疫系统间的角力;新型“隐形衣”研制成功;保持心态平和可预防老年痴呆;大脑低血糖可能诱发早老性痴呆;找到瘦素蛋白减重原理     

科学家称100亿年前宇宙灾变致星系停止生长

据英国《每日邮报》报道，英国达拉谟大学的科学家表示，100亿年前发生的一场“灾变性事件”，使处于婴儿期的一个星系停止生成新恒星。他们认为，这或许可以解释为什么跟我们的银河系非常类似的早期巨星系在形成后很快便停止了生长。     

熵、巨势与开放的近平衡系统热力学第二定律的两种表现形式

从分析局域平衡理论框架内封闭热力学系统之熵产生与特性函数变率的关系入手，阐明了非平衡态的热力学特征，即非负耗散强度及非平衡线性区向最小耗散态演化的趋势，实际上是分别体现在热力学势的一阶及二阶变率层次上的状态演化方向。同时，提出了以巨势为基础的开放非平衡系热力学第二定律的表述形式，论证了在近平衡区与最小熵产生原理的等价关系。     

传统教育理念对构建现代教育巨系统的影响

本文试图通过对传统教育理念和教育价值体系的分析,提出构建现代教育巨系统所面临的问题及其解决的基本思路。     

准二维谐振势阱中有限尺度的非理想玻色气体

研究了准二维谐振势阱中粒子数有限的非理想玻色气体的热力学性质。利用巨正则系综的求和方法与平均场理论，给出了有限粒子数与原子间相互作用对系统势力学性质的共同修正；并将所得结果与三维时的情况进行了比较。结果表明：降低维数不能提高系统的临界温度；在准二维谐振系统中，有限粒子数对系统的影响随着粒子数的增大而减小直至消失，而相互作用的影响与粒子数无关，因此可以通过增大粒子数来提高准二维谐振系统的临界温度。     

99mTc-EHIDA肝胆显像对先天性胆道闭锁的诊断价值

目的：评价^99mTc－EHIDA肝胆显像诊断先天性胆道闭锁（BA）的临床价值。方法：对14例（其中5例最终诊断为BA，9例最终诊断为非BA）临床上有持续性黄疸的亲生儿及婴儿，进行^99mTc－EHIDA肝胆显像检查，并经手术病理和临床随访结果证实。结果：在5例最终诊断为BA的新生儿及婴儿中，^99mTc－EHIDA肝胆显像全部检出（100％），灵敏度、特异度和准确性分别为100％、88．9％、92．9％。结论：^99mTc－EHIDA肝胆显像是一种无创、安全、有效的检查方法，对于BA的诊断，有较高的临床价值。     

磁性多层膜中SiO2/Ta界面反应及其对缓冲层的影响

磁性多层膜常以金属Ta作为缓冲层，利用磁控溅射方法在表面有300nm厚SiO2氧化膜的单晶硅（100）基片上沉积了Ta/NiFe/Ta薄膜，采用X射线光电子能谱（XPS）对该薄膜进行了深度剖析，并且对获得的Ta4f和Si2p的高分辨XPS谱进行计算机谱图拟合分析，结果表明在SiO2/Ta界面处发生了化学反应；15SiO2 37Ta=6Ta2O5 5Ta5Si3，该反应使得界面有“互混层”存在，从而导致诱发NiFe膜（111）织构所需的Ta缓冲层实际厚度的增加。     

纳米Fe-In2O3颗粒膜的磁性和巨磁电阻效应

采用射频溅射法制备了纳米“铁磁金属-半导体基体”Fe-In2O3颗粒膜，研究了Fex(In2O3)1-x颗粒膜样品的磁性和巨磁电阻效应，实验结果表明；当Fe体积百分比为35%时，颗粒膜样品的室温磁电阻变化率△ρ/ρ0数值达到4.5%,Fe0.35(In2O3)0.65颗粒膜样品的磁电阻变化率△ρ/ρ随温度（T=1.5-300K)的变化关系表达；当温度低于10K时，△ρ/ρ0数值随温度的下降而迅速增大，在温度T=2K时△ρ/ρ0达到85%，通过研究颗粒膜低场磁化率X（T）温度关系和不同温度下的磁滞回线，证实当温度降低到临界温度Tp=10K时，颗粒膜中结构变化导致磁化状态发生“铁磁态-类自旋玻璃态”转变，Fe0.35(In2O3)0.65颗粒膜样品的磁电阻变化率△ρ/ρ0在温度低于10K时的迅速增大，可能是由于纳米“铁磁金属-半导体基体”Fe0.35(In2O3)0.65颗粒膜样品处于“类自旋玻璃态”时存在特殊的导电机制所造成的。