高活性极化聚合物生色团的分子设计

利用分子工程原理并充分考虑分子非线性与透明性、热稳定性之间的优化而设计了一系列高非线性光学活性极化聚合物生色团．一些生色团μβAM1/FF计算值已达10^-45esu量级,部分生色团的合成及实验结果证实了该设计的合理性．生色团的T_d最高已达377℃,生成的加成型给体嵌入聚酰亚胺极化聚合物的T_g最高已达324℃．     

双势垒结构Cu-Al2O3-MgF2-Au隧道结的发光效应

制备了Cu-Al2O3-MgF2-Au隧道发光结,与普通单势垒Al-Al2O3-Au隧道结相比,其发光效率(10-6～10-5)提高了近一个量级,发光稳定性及耐压性都有所提高.其光谱波长范围(250～700 nm)及谱峰主峰(460 nm)均较Al-Al2O3-Au结向短波长方向移动,这与双势垒的引入及势垒中分立能级的产生而形成的电子共振隧穿使表面等离极化激元的激发增强有关.     

铝合金表面防护体系的腐蚀疲劳性能

通过实验研究了 2 0 2 4 -T3铝合金四种表面防护处理工艺的腐蚀疲劳性能 .结果表明 ,在4 5℃酸性盐水中铬酸阳极化抗腐蚀疲劳性能优于硫酸阳极化 ;表面阳极化后涂H0 6-2锌黄底漆可显著提高抗腐蚀疲劳性能 .通过对实验结果的定量分析 ,分别给出铝合金四种表面防护处理工艺在加载频率为 1 .2 5Hz、4 5℃酸性盐水中的腐蚀疲劳寿命表达式 .     

基于恒电流充电法的涂装耐腐蚀性能

为快速评价涂装的耐腐蚀性能,采用恒电流充电法对6种涂装分别进行极化,依据建立的等效模型,采用Matlab语言编程进行数值解析,求得各涂装极化电阻。从而对各涂装的耐腐蚀性能进行评价。结果与传统的耐腐蚀测定相当吻合。表明该方法可以对防腐蚀涂装的耐腐蚀性能进行快速定量分析。     

部分极化波瞬态极化投影的统计特性

在电磁波瞬态极化理论的基础上,研究了部分极化波的瞬态极化投影的统计特性.提出瞬态极化投影到期望极化轨道的距离的概念,其本质是两个极化信号瞬态极化投影的距离度量.在正态假设下,推出了该距离所服从的概率分布密度解析公式,并证明了当对部分极化波的独立采样数足够多时,该距离近似服从正态分布.     

光晶格调制中的偶极物质波孤子

文章采用虚时间传播方法,研究了光晶格中势阱和缺陷在形成偶极物质波孤子中的作用.基孤子和偶极孤子都稳定地存在于晶格的中间位置.两种孤子的宽度都随着势阱深度的增加而急剧下降,并随着势阱深度超过某个阀值而趋向于一常数.增加系统的原子数目和增大势阱深度都可以让孤子更加稳定.我们还研究了缺陷对基孤子的影响.当缺陷的幅值超过某个临界值的时候,孤子被偏移晶格的中间位置,并且随着势阱的增大,缺陷的临界幅值也跟着增大,不过增大的幅度却逐渐减缓.     

高交叉极化隔离度的液晶极化相控阵天线设计与实现

针对小型化、低成本极化相控阵雷达应用背景，提出了一种基于液晶材料的高交叉正交极化隔离度的极化相控阵天线。与传统极化相控阵天线相比，该设计不需要成倍增加的收发组件和复杂的移相馈电网络。基于液晶传输线移相器特点，结合缝隙耦合辐射原理，提出一种基于斜交耦合缝隙的交叉极化抑制结构，在提升天线单元主极化辐射性能的同时，抑制交叉极化辐射幅度。天线阵列采用由中心向两侧180°反向馈电形式，进一步提升交叉极化抑制比，同时可以实现极化和波束的联合重构。样机实测表明，天线扫描角度可达±40°,增益最大可达16.8 dB,效率高于66%,法向交叉极化隔离度可以达到33.3 dB,法向波束旁瓣最大抑制可以达到36.3 dB;展示了液晶极化相控阵天线的实用性，并且具有低成本、低功耗以及结构简单的特点。     

运动细胞初始极化阶段胞内信号分子双向积聚的分子机制及动态数值模拟

真核细胞（Eukaryotes）,如盘基网柄菌细胞（Dictyo stelium）和白细胞（Leukocyte）等,受到前方传来的外信号刺激后,胞内物质发生两种方向相反的运动：胞质中与质膜结合的磷酸激酶PI3K及其在质膜上的生成物磷脂酰肌醇-3,4,5-三磷酸PI（3,4,5）P3以向前扩散的方式积聚到前沿;而胞质中与质膜结合的磷酸酶PTEN及其在质膜上的生成物磷脂酰肌醇-4,5-双磷酸PI（4,5）P2以向后扩散的方式积聚到质膜的后边.通过这种＂双向积聚＂,细胞形成头部和尾部,并在前沿生出伪足,完成初始极化.本文根据已知的实验,分析了＂双向积聚＂的分子机制,建立了相应的数学模型,通过数值模拟加以分析.以胞内被激活的小G蛋白（Rac）为触发信号,其梯度与外信号场的梯度一致;PI3K和PTEN作为调控因子,PI（3,4,5）P3和PI（4,5）P2作为标识细胞极化的信号分子,它们的浓度变化由一组耦合的非稳态二维反应-扩散方程描述.该反应-扩散体系源项中包含：PI（3,4,5）P3对PI3K,PI（4,5）P2对PTEN的识别和结合过程,是由蒙特-卡诺（Monte-Carlo）法处理;质膜结合态PI3K和PTEN对PI（3,4,5）P3和PI（4,5）P2施加的酶催化作用,由Michaelis-Menten动力学过程描述.反应-扩散方程组采用格子Boltzmann方法进行数值求解.数值试验显示,产生＂双向积聚＂的关键是受外信号梯度刺激后的胞内信号分子相互激发或抑制所形成的正反馈或负反馈回路：给细胞质膜头部一个较高的Rac激活率,Rac→PI3K？PI（3,4,5）P3将形成短程正反馈回路（亦即＂局部激励＂）,引起PI3K和PI（3,4,5）P3快速在细胞头部积聚;头部PI（3,4,5）P3增多,限制了PTEN与PI（4,5）P2结合,使得PI（3,4,5）P3？PTEN→PI（4,5）P2形成长程负反馈回路（亦即＂全局抑制＂）;引起PTEN和PI（4,5）P2慢慢在细胞尾部积聚.同时发现,PI3K和PTEN含量对细胞极化有明显的影响,并存在使细胞正确极化的最佳值.     

Fe~(25+)—Fe~(23+)电子碰撞激发截面及辐射K_α线极化性质的研究

基于全相对论扭曲波方法,系统研究了入射电子为1~15倍阈值能量范围,电子碰撞激发Fe25+离子1s2S1/2—2p 2P3/2,Fe24+离子1s2 1S0—1s2p 3P1,1P1和Fe23+离子1s22s2S1/2—1s2s2p(3P)4P3/2,1s2s2p(3P)2P3/2,1s2s2p(1P)2P3/2激发态精细结构能级及磁子能级的截面以及退激发辐射Kα线的极化度,并讨论了Breit相互作用的影响,以及总截面、磁子截面和X光的极化度随入射电子能量的变化规律.同时,计算结果与以往的理论及实验结果进行了比较,发现理论计算结果与实验结果具有较好的一致性.     

热老化对核电主管道Z3CN20.09M不锈钢点蚀性能的影响

采用极化曲线和电化学交流阻抗法研究了400℃长期热老化对压水堆核电站一回路主管道用Z3CN20.09M铸造奥氏体不锈钢点蚀性能的影响.结果显示,材料的点蚀击破电位和电荷转移电阻随着热老化时间的延长而降低.热老化材料经550℃退火处理1 h后的点蚀击破电位和电荷转移电阻值均恢复到未老化材料的水平.研究表明此时α’相已经回溶,G相仍然存在,导致热老化试样点蚀性能下降的主要原因是α’相的析出.