中间多比特量化混沌扩频序列及其性能分析

利用伪随机数生成技术,提出了一种具有较好独立性与相关性的新的混沌序列中间多比特量化方案·研究了中间多比特量化方案产生扩频序列的平衡性和奇、偶相关性等与扩频系统性能相关的因素·仿真结果表明该方案在保持扩频序列性能不变的同时减少了序列生成的运算量,扩展了扩频序列周期,增加了序列的复杂度,有利于提高扩频通信系统的安全性·     

量子点量子阱中的极化子

首先研究了量子点量子阱中的电子态，对阱外及阱内的两种束缚态都进行了考虑，然后采用微扰方法，对量子点量子阱系统中的极化子效应进行了研究。最后采用CdS/HgS为材料的量子点量子阱 进行了数值计算，结果显示极化子效应对电子能级的修正明显并且不能被忽略。     

3，4—二甲氧基—4‘—硝基 的合成和晶体结构

合成了3，4－二甲氧基－4‘－硝基 化合物，用X－射线衍分析方法测定了该化合物的晶体结构。该晶体属单斜晶系，空间群P21／c,a=1.3460(3)nm,b=0.7658(2)nm,c=1.4851(3)nm，β＝113．46（1)^0,V=1.40411nm^3;Z=4,Dx=1.35g/cm^3,μ=0.91cm^-1。分子式C16H15NO4，Mw＝285．30，F（000）＝600。最终偏离因子R＝0．051，Rw＝0．067。结构分析表明，晶胞中的四个分子头尾对称堆积，形成具有对称中心的空间排列结构。虽然该化合物分子具有较高的二阶非线性极化率，但形成的中心对称晶体不具备二阶非线性光学性质。     

光学极化子内部激发态的性质

采用线性组合算符和么正变换相结合的方法,讨论了光学极化子内部激发态的性质.从数值计算的结果看出:当耦合常数α介于3.5～12.5之间时,能形成第一内部激发态,而更高的内部激发态不会出现.     

GaAs光致发射极化电子源的原理及其在极化(e.2e)中的应用

GaAs半导体光致发射极化电子源是70年代末国际上出现的一种新型极化电子源。它采用GaAs半导体晶片作为光阴极，并在高真空环境下将碱金属铯及氧化剂镀到光阴极上，以获得负电子亲和势（Negative lectron Affinity）表面，然后通过用波长合适的圆偏振激光阴极，来获得自旋极化的电子束，详细讨论了GaAs半导体光致发射极化电子源的原理及实验过程，并介绍了极化电子在极化（e.2e)反应中的应用。     

有机极化电致发光进展

对近年来极化电致发光及其材料的进展进行了综述 ,主要介绍了极化电致发光器件的制备、液晶薄膜取向方法以及有机功能材料的性能和应用     

防腐措施对低合金铸铁耐海水腐蚀性能的影响

本文介绍了海水阀用低合金铸铁在海水中的腐蚀行为。测定了该铸铁的腐蚀速率0.142-0.155毫米/年。通过对材质采取阴极保护和防腐涂层措施,使海水阀用低合金铸铁的耐海水腐蚀性能得到显著提高。     

电子与原子碰撞中关联极化势研究

本文根据文献~([3])中提出的不含自由参数的新的关联极化势公式,对低能电子被氖和氩原子弹性散射的截面进行了计算,获得了相当满意的结果。     

多元晶体非线性光学系数的计算-双原子键三中心静电模型的应用

本文应用双原子键三中心静电模型,导出了单键线性极化率的表达式,从而提供了计算多元复杂晶体二阶非线性光学系数的半经验方法;应用该方法计算了A~ⅠB~ⅡC_2~Ⅲ(如CuGaS_2、AgGaS_2、AgInSe_2等)、A~ⅡB~ⅣC_2~Ⅴ(如ZnSiAs_2、CdGeP_2、CdGeAs_2)、以及KH_2PO_4、LiNbO_3、LiTaO_3等复杂晶体的二阶非线性光学系数d_(ijk),计算值与实验测定值基本相符。     

偶图中独立边集的1—因子扩张

Ｇ＝（Ａ，Ｂ；Ｅ）是偶图，｜Ａ｜＝｜Ｂ｜＝ｎ≥２，若ｅ，ｆ∈Ｅ，ｅ≠ｆ，有ｄ（ｅ）＋ｄ（ｆ）≥３ｎ＋ｋ（ｋ≥１），则Ｇ中所有ｋ个边的独立集Ｍ皆可扩张成Ｇ的１－因子。