利用X射线对原木内部缺陷扫描识别方法的研究

由于原木木质部分与内部缺陷部分对X射线的吸收能力不同,在X射线底片上形成的影像也不一样,根据一定的识别算法分析,从而对原木内部缺陷进行测定。本文的研究内容既是利用X射线的扫描图像,提出一种缺陷识别算法来检测原木内部缺陷。     

4,4''''-二氨基二苯甲烷固化环氧树脂/粘土纳米复合材料的研究

首次采用离子交换法直接用十六烷基三甲基溴化铵处理钙基蒙脱土,制备出具有理想层间距的有机土,X射线衍射(XRD)分析的结果表明有机蒙脱土的层间距由1.49nm扩大到2.21nm.然后制备了环氧树脂/DDM/MMT纳米复合材料,并用XRD研究了有机蒙脱土在环氧树脂中的插层、剥离行为.研究表明,蒙脱土含量及环氧树脂与有机土的混合温度和时间均对固化后复合材料的剥离产生影响,只有在特定条件下才能得到剥离型纳米复合材料.     

生命进化大爆发——进化史上的重大事件—在5.4亿年前几乎同时出现了各类动物的祖先

在今天的地球上生存着远超过100万种动物。这些动物可以大致分为38个大类，它们差不多全都是在距今5．4亿年前被称为“古生代寒武纪”的时期一起出现的。这一进化史上的重大事件就是研究者们所称的“进化大爆发”或者“寒武纪物种大爆发”。[编者按]     

Cir X-1的时变性质

利用RXTE在不同时期的观测数据，分析了Cir X-1功率密度谱和交叉谱。功率密度谱表明，如果Cir X-1是Z源，那么所采用的数据将处于Z源的不同态，即垂直水平分支态、水平分支态、正常分支态和耀斑分态。各个态上的交叉谱显示，随着吸积率的变化，Cir X-1的交叉谱由硬向软转化，这和Cir X-1在一个完整Z形状上的时变性质一致。     

160Dy转动带和γ振动带之间偶合参数Zγ的计算

用GeLi和HpGe探测器,对由160Tb的β-衰变而产生的γ射线,进行了单谱和γ-γ符合谱的测量.根据γ射线强度的测量结果,用绝热对称转动模型对160Dy中转动带与振动带的偶合参数Zy值进行了计算,得出从振动带到转动带的γ跃迁几率B(E2)值之比不能通过唯一的Zγ值来描述.     

配位聚合物[Nd2(C8H5NO4)3·4H2O]∞的单晶结构

报道了具有菱形隧道的配位聚合物: [Nd2(C8H5NO4)3@4H2O]∞的单晶结构. 它有两个晶体学独立的金属Nd(Ⅲ)离子中心, 每个金属Nd(Ⅲ)离子处于8配位的环境中. 8个配位的氧原子中7个氧原子来源于6个5-氨基间苯二甲酸有机配体, 另一个氧原子由配位水提供. 羧基通过η1,1和η1,3方式连接两个Nd3+. 晶体数据: 三斜晶系, 空间群, a = 1.03680(5) nm,b = 1.66934(15) nm, c = 0.88221(14) nm, α= 99.754(2)°, β= 111.169(4)°, γ= 85.400(4)°. 一部分配体在平行于ab面连接金属Nd(Ⅲ)形成分子梯, 另一部分配体沿着c轴分子梯构成菱形隧道, 同时配位水分子和氨基悬挂在隧道中.     

大管径高温含尘气体流量计

介绍了一种新型β射线电离式气体流量计.该流量计基于标记分子法测气体流速,通过硬件模拟电路对所得微弱电流信号进行放大滤波,经A/D转换输入计算机,由软件寻峰定时,实现对大管径高温气体流量的非接触测量.设计并制作了硬件电路,给出了详细的软件设计流程图.     

o,o -二(β-叠氮乙基)-α-对甲苯磺酰胺基-对硝基苄基磷酸酯的合成与晶体结构

合成了o,o -二(β -叠氮乙基)-α-对甲苯磺酰胺基对硝基苄基磷酸酯(C18H21N8O7PS),通过元素分析、IR和1H NMR对化合物进行了表征,用X射线单晶衍射法测定了该化合物的晶体结构. 结果表明晶体属三斜晶系,P1空间群,a=0.8136(1)nm, b= 1.1872(1)nm , c=1.3412(1)nm, α=109.455(7)°, β=90.880(8)°, γ=96. 863(9)°, V=1.2106(3)nm3, Mr=524.46, ρc=1.439 g·cm-3, Z=2, μ(MoKα)=0.260mm-1, F(000)=544, 在0°< 2θ<50°范围内收集3560个独立衍射点,其中可观测衍射点2700个( |F|2≥6.0σ|F|2). 晶体结构用直接法解出,经全矩阵最小二乘法修正,最后的偏离因子为R=0.106,RW=0.095. 化合物的分子中,2个取代苯环位于分子主 链的同一侧,2个苯环平面近于平行. 2个取代的叠氮乙基的取向近于平行地指向同一方向, 向着几乎垂直于苯平面的方向伸展. 2个独立的分子之间以1对N-H…O氢键连接形成中心对称的二聚体,成为晶体结构的基本重复单元.     

磁性多层膜中SiO2/Ta界面反应及其对缓冲层的影响

磁性多层膜常以金属Ta作为缓冲层，利用磁控溅射方法在表面有300nm厚SiO2氧化膜的单晶硅（100）基片上沉积了Ta/NiFe/Ta薄膜，采用X射线光电子能谱（XPS）对该薄膜进行了深度剖析，并且对获得的Ta4f和Si2p的高分辨XPS谱进行计算机谱图拟合分析，结果表明在SiO2/Ta界面处发生了化学反应；15SiO2 37Ta=6Ta2O5 5Ta5Si3，该反应使得界面有“互混层”存在，从而导致诱发NiFe膜（111）织构所需的Ta缓冲层实际厚度的增加。     

配位聚合物[Nd2(C8H5NO4)3·4H2O]∞的单晶结构

报道了具有菱形隧道的配位聚合物:[Nd2（C8H5NO4）3·4H2O]∞的单晶结构.它有两个晶体学独立的金属Nd（Ⅲ）离子中心,每个金属Nd（Ⅲ）离子处于8配位的环境中.8个配位的氧原子中7个氧原子来源于6个5-氨基间苯二甲酸有机配体,另一个氧原子由配位水提供.羧基通过η1,1和η1,3方式连接两个Nd3+.晶体数据:三斜晶系,空间群P1,a=1.03680（5）nm,b=1.66934（15）nm,c=0.88221（14）nm,α=99.754（2）℃,β=111.169（4）°,γ=85.400（4）°.一部分配体在平行于ab面连接金属Nd（Ⅲ）形成分子梯,另一部分配体沿着c轴分子梯构成菱形隧道,同时配位水分子和氨基悬挂在隧道中.