金刚石压机的单片机恒流控制

金刚石压力机其温度不易直接测量，控温较困难。本文从加热的原理出发，引入了单片机恒流控制，并给出了用单片机实现的具体步骤与方法。     

类金刚石碳膜在大气热退火过程中的稳定性

本文对双离子束溅射淀积法制备的类金刚石碳膜进行了大气中的热退火研究。退火温度３００℃，时间分别为１．５ｈ和３．０ｈ。对退火前后的样品分别作了红外透射谱、Ｒａｍａｎ光谱和电阻率的测量，并在退火过程中对膜层电阻率进行了即位测量。结果表明，３００℃的退火并不能使膜层中的Ｃ－Ｈ键断裂，而使膜层结构趋于完整，膜层氧化变薄，其电阻率和红外透过率过率增高；但退火对膜的影响程度只与退火温度有关，而与退火时间无关。     

用热解CVD方法合成的金刚石的结晶特性

本文研究了用热解CVD方法合成的金刚石的结晶特性,并与用高温高压法合成的金刚石的结晶特性做了比较。     

CVD金刚石薄膜表面晶形研究

本文较详细地研究了采用ＨＦＣＶＤ方法在Ｓｉ、Ｍｏ等衬底上生长出的不同表面晶形的多晶金刚石薄膜，讨论了生长条件（衬底温度、碳源浓度、反应压强）对金刚石薄膜晶粒形貌的影响．结果表明在ＨＦＣＶＤ方法中，金刚石薄膜表面晶形对生长条件十分敏感，生长条件的微小变化就会导致不同表面晶形的生长．     

MPCVD法沉积金刚石薄膜中等离子体光谱

从等离子体发射光谱变化这一角度研究在不同沉积条件下等离子体中电子平均能量的特点，分析碳源气体分析与电子的碰撞以及碳氢基团的能态变化，从而对等离子体法沉积金刚石薄膜微观机理进行初步探索。     

用TEOSPECVD氧化硅做掩蔽层选择性生长金刚石薄膜

本文研究了在ＨＦ—ＣＶＤ法中，衬底温度Ｔｓ对ＰＥＴＥＯＳ（等离子体增强正硅酸乙酯）氧化硅—硅衬底上选择性生长金刚石薄膜的影响。结果表明：Ｔｓ变化影响ＰＥＴＥＯＳ氧化硅掩蔽层区域和硅表面金刚石晶粒成核密度。Ｔｓ较低时（７５０—８２０℃），ＰＥＴＥＯＳ氧化硅区域成核密度远小于裸露硅表面；随Ｔｓ升高（＞８２０℃），氧化硅区域成核密度增加很快；当Ｔｓ＞８５０℃时，氧化硅区域成核密度超过硅表面。     

超精密切削加工技术的现状与发展

本文对超精密切削加工技术研究的现状进行了系统的概述和分析，提出了该研究领域中尚存在的问题及发展前景．     

金刚石圆锯片磨损过程的研究

通过对金刚石圆锯片锯切花岗石过程的试验研究和应用扫描电镜对金刚石锯齿的磨损表面进行的形貌观察，发现金刚石存在五种基本的磨损形态：初期磨损、抛光、局部破碎、大面积或整体破碎和脱落，金刚石一般都要经过初期磨损、正常磨损和剧烈磨损三个磨损阶段．应用统计学方法探讨了金刚石锯片的磨损过程与锯切性能的关系，为生产厂家改善锯片的锯切性能提供了理论依据和方法．     

Tin Oxide and Carbon Composite （Sn6O4（OH）4/AG） as the Anode in a Lithium Ion Battery

A tin oxide and carbon composite （Sn6O4（OH）4/AG） with a Sn content of 0.15-0.30 was prepared by chemical deposition at normal pressures and temperatures. The structures of the artificial graphite （AG）, the Sn6O4（OH）4, and the Sn6O4（OH）4JAG were analyzed using X-ray diffraction. The electrochemical lithiation was investigated by measuring the galvanostatic charge and discharge ratio. The electrochemical capacities of the three materials during the first discharge were 310 mAh/g （AG）, 616 mAh/g （Sn6O4（OH）4/AG）, and 1090 mAh/g （Sn6O4（oa）4）. The discharge capacity of the Sn6O4（OH）4/AG was larger than the simple sum of the capacities provided by AG and Sn6O4（OH）4 with the same content. The cyclic performance of Sn6O4（OH）4/AG was also better than that of Sn6O4（OH）4 for voltages of 0 to 3 V. The results imply that the interaction between Sn and C in Sn6O4（OH）4/AG is very strong and effectively inhibits the volume expansion of the Sn.