降雨因素对土壤表面结皮发育的影响

为研究降雨因素在土壤表面结皮发育过程中的作用,结合物理模型实验方法和基于物理概念的水文响应数值模拟,以土壤表面的饱和水力传导系数Ks值作为评价指标,研究分析了雨强和累积降雨量两个降雨因素对结皮发育程度的影响。结果显示:Ks值随累积降雨量的增加而减小,且在累积降雨量较小时,Ks的减小速度更快,约为后期速度的23倍;最终累积降雨量近似的情况下,雨强较大时Ks更容易达到一稳定值;在降雨过程中,雨强与Ks的关系前后不一致。研究结果表明:降雨过程中结皮发育是个复杂的动态变化过程。     

B群脑膜炎球菌lpxL2基因敲除突变株的构建及初步鉴定

 应用基因敲除技术的方法和原理,通过PCR扩增B群脑膜炎球菌lpxL2基因及载体pGBK T7上的Kan抗性片段,lpxL2片段与puc-18载体连接得到重组质粒msb-puc,以重组质粒msb-puc为基础,分别通过反向PCR和酶切2种方法构建lpxL2基因中间片段的缺失,并在缺失位点连入Kan抗性表达盒,从而得到重组质粒mpK,mpK转化B群脑膜炎球菌,并用PCR的方法对转化子进行初步筛选鉴定,初步确定突变株1株.本研究通过基因敲除MenB中LPS合成途径相关基因lpxL2的方法,降低LPS毒性,为B群脑膜炎球菌OMV疫苗的研发做了铺垫.     

抗迟缓爱德华氏菌单克隆抗体制备及初步鉴定

用灭活迟缓爱德华氏菌菌株AL60306NA1免疫Balb/c小鼠,采用杂交瘤技术制备抗迟缓爱德华氏菌的McAb,获得3株可持续分泌抗迟缓爱德华氏菌McAb的杂交瘤细胞株3A7、4F11和4C9;腹水效价分别达到1.0×10-6、1.0×10-6和1.0×10-5;细胞亚型分别为IgG1、IgG2b、IgM.交叉反应结果...     

广都裴氏本《文选》刊刻年代考

广都裴氏本《文选》在《文选》版刻史上是非常重要的一个本子,然而对其初刊年代却众说纷纭,大量伪本的存在混乱了对其初刊时间的准确认定。从宋代当时科举考试中诗赋一科地位的沉浮、政治文化环境、刻工、避讳等诸方面因素,对诸本一一进行辨伪,基本可以认定广都本《文选》并非初刊于北宋末期的崇宁、政和年间,而是刊于南宋孝宗朝末期。     

基于AT89S52玻尔兹曼常数测量仪的设计

应用PN结电流电压特性关系,采用硅三板管接成共基极电路,由集成运放实现电流电压转换以实现弱电流测量．利用AT89S52单片机所具有的智能测控特点,由AD转换对数据进行采样,采用最小二乘法对数据进行处理,从而较准确测定玻尔兹曼常[k=0．41-1．44）×10^-23J／K],误差小于5％．测量仪有手动、半自动及自动测量三种模式．     

有机半导体异质结电荷产生层及其在叠层有机发光二极管中的应用

叠层有机发光二极管因其具有更高的亮度、效率以及稳定性, 其研究备受关注.本文综述了叠层有机发光二极管的最新进展; 总结了作者研究小组基于有机半导体异质结的概念, 设计了由一种p 型有机半导体和一种n 型有机半导体层层组成的双层有机半导体异质结电荷产生层, 并用它们作为连接单元制备了叠层有机发光二极管, 器件的电压得到了降低, 功率效率得到了提高. 通过对电荷产生层的工作机制的深入剖析, 揭示了降低电压、提高功率效率的内在物理原因, 为进一步设计高性能有机电致发光器件提供了新的思路; 最后对叠层有机发光二极管的未来发展方向进行了展望.     

XRCC2在结直肠癌中的表达及其临床意义

目的 通过对300例结直肠癌病例的研究,分析结直肠癌患者中XRCC2的表达以及临床意义.方法 应用免疫组化和qRT-PCR的方法,检测癌组织、癌旁组织中的XRCC2表达水平,探讨其与病理及预后的关系.结果 癌组织XRCC2水平较癌旁组织更高(P<0.05);免疫组化提示癌组织XRCC2阳性者占比69.67％;qRT-P...     

反应离子刻蚀剥层的微分霍耳法表征超浅pn结

用反应离子刻蚀(RIE)剥层的微分霍耳法(DHE)对等离子体掺杂、离子注入制备的Si超浅p n结进行了电学表征.通过对超浅p n结样品RIE剥层的DHE测试和二次离子质谱(SIMS)测试及比较,发现用反应离子刻蚀(RIE)剥层的DHE测试获得的杂质浓度分布及结深与SIMS测试结果具有良好的一致性,DHE具有良好的可控性与重复性.测试杂质浓度达1021cm-3量级的Si超浅结样品,其深度分辨率可达nm量级.     

燃气发电机组蒸发器上不明结垢物的分析及解决对策

金属腐蚀和结垢问题常常发生在大型燃气轮机组设备上,影响整个装置的正常运行,运用扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、能谱分析(EDS)、热失重分析(TGA)和等离子发射光谱(ICP)等分析测试技术,表征和分析了上海宝钢股份有限公司的燃气轮机组蒸发器上的不明结垢物.结果表明,该结垢物的主要成分为碱式硫酸铁的混合物,腐蚀类型为高温硫腐蚀,还探讨了发生高温硫化腐蚀的原因与机理,并提出相应的解决方案.     

铁磁/半导体/铁磁隧道结中的隧穿磁电阻

采用相干量子输运理论和传递矩阵方法研究了具有不同自旋指向的极化电子渡越铁磁/半导体/铁磁隧道结的隧穿几率和隧穿磁电阻。研究表明隧穿几率和隧穿磁电阻随半导体长度的改变发生周期性变化、随Rashba自旋轨道耦合强度的改变发生准周期变化,并且在两铁磁电极中磁矩取向平行时,选择适当的半导体的长度和Rashba自旋轨道耦合强度可以得到较大的隧穿磁电阻。