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41.
本文采用化学共沉淀和固相反应相结合的方法,制备掺杂和不掺杂的具有反尖晶石结构的锡和锌复合氧化物,还比较详细地研究了它的电导与氧分压、温度和掺杂物之间的关系以及相应的缺陷结构.并根据Seebeck 效应的测定推测其在700°—900℃的范围内具有小极化子的热激活跃迁机制. 相似文献
42.
采用高频溅射制备了Fe/SnO2非晶多层膜,当SnO2层厚度ds固定为5mm时,样品的饱和磁化强度Ms随Fe层厚度dm的减小而降低,这主要受死层效应和维度效应的影响,样品在dm很小时,呈现准二维磁性,样品的居里温度Ic随dm的减小而单调下降,当Fe层固定为2ng时,Ms随ds的减小而升高。 相似文献
43.
针对商用SnO2水分散液易发生颗粒团聚的问题和提升SnO2薄膜电学和表面性能的需求,提出了一种利用小分子螯合剂对SnO2进行优化的策略。该策略选用低成本的螯合剂柠檬酸钠(SC:Sodium Citrate)对SnO2传输层进行掺杂,制备的器件结构为ITO/SnO2+SC/FA1-xMAxPbI3/Spiro-OMeTAD/Au的PSCs。在引入浓度经过优化的SC后,PSCs的开路电压和填充因子最高可达1.135 V和78.23%,能量转换效率为21.53%,与未引入SC的器件相比获得了明显提升。对薄膜和器件进行表征后发现,SC的掺杂可提升SnO2薄膜的电学和表面性能,进而改善了钙钛矿的结晶。对集成的器件进行表征发现缺陷密度降低,载流子复合引起的电压和填充因子损失减少,电荷传输的效率得到明显改善。 相似文献
44.
脉冲激光溅射SnO2气敏膜 总被引:1,自引:0,他引:1
脉冲激光溅射镀膜是一种高质量的薄膜制备技术,本文研究分别以SnO2和纯锡作靶,用此技术生长的SnO2膜的结构及对氢,乙醇的气敏性,探索将此技术应用于气敏膜制备的途径。 相似文献
45.
MOPECVD法制备超微颗粒SnO2薄膜 总被引:3,自引:1,他引:2
以SnCl4液体为锡源用MOPECVDE方法制备出了SnO2薄膜,用X射线衍射仪和透射电镜(TEM)分析了薄膜的晶体结构和SnO2晶体的颗粒度,优化出制备超微颗粒SnO2薄膜的最佳工艺,并给出此膜蒸发上电极,制成SnO2气敏器件,测量其对乙醇的气敏特性,实验证明减小SnO2晶体的粒度可以改进元件的气敏特性。 相似文献
46.
47.
林碧洲 《华侨大学学报(自然科学版)》2000,(3)
以 Sn Cl4 · 5H2 O原料 ,用溶胶 -水热晶化复合法制备粒度较均匀 ,平均晶粒尺寸为 2 .5~ 4 .0nm的 Sn O2 纳米晶粉 .运用 X射线衍射 (XRD)、差热分析 (DTA)和红外吸收光谱 (IR)等分析手段对纳米晶粉进行表征 .结果表明 ,溶胶 -水热晶化复合法可以克服单纯水热法产率低的缺点 相似文献
48.
利用水热法制备了二氧化锡量子点,其粒径分布为4~7nm.高分辨透射电子显微镜(HRTEM)观察结果发现各种粒径的量子点均有良好的分散性;室温光致发光(PL)谱显示不同粒径的量子点在600nm处都有一个宽的发光峰,分析结果表明该发光峰与样品中的氧空位缺陷有关;样品的低频拉曼光谱显示在38cm-1处有一对称的声学声子拉曼峰,该峰随着样品尺寸的减小向高频方向移动. 相似文献
49.
研究了Cr对(Co,Ta)掺杂的SnO2压敏材料电学性质的影响。当Cr2O3的含量从0增加到0.15mol%时,(Co,Ta)掺杂SnO2压敏电阻的击穿电压从206V/mm增加到493v/mm;1kHz时的相对介电常数从1968猛降至498;晶界势垒高度分析表明,SnO2晶粒尺寸的迅速减小是样品击穿电压增高、相对介电常数急剧降低和电阻率迅速增大的主要原因。对Cr含量增加引起SnO2晶粒减小的原因进行了解释。掺杂0.15mol%Cr2O3的SnO2压敏电阻非线性系数为24,击穿电压达498V/mm,在高压保护领域有很好的应用前景。 相似文献
50.
通过传统电子瓷生产工艺,研究了掺ZrO21%Wt时制备SnO2的工艺控制过程,在得到最佳预烧温度和烧结温度的基础上,研究了预烧与烧结温度的互补性,使用埋粉烧结法,得到了对乙醇有较高灵敏度的SnO2陶瓷体。根据阻温特性曲线给出了最佳乙醇探测温度。 相似文献