CuO掺杂纳米SnO2样品的低温电阻特性

采用液相化学法制备了CuO～SnO2纳米粉末，研究了样品在低温下(15-290K)的电阻持性．讨论了掺杂方式对样品电阻变化规律的影响．并给出简单的理论解释.     

微波辐射法制备活性二氧化锡并催化合成乙酰水杨酸

利用微波辐射处理五水四氯化锡溶胶制备出活性二氧化锡,小试研究活性二氧化锡催化合成乙酰水杨酸.并研究了酯化反应的优化条件,结果表明微波辐射法制备的二氧化锡呈现出较高的催化活性和选择性,其催化合成乙酰水杨酸产率比以浓硫酸为催化剂的产率高,也明显高于一般普通二氧化锡催化产率;活性二氧化锡催化酯化反应的最佳时间为45min,最佳温度为85℃,乙酸酐与水杨酸的最佳物质的量比为21.活性二氧化锡催化剂安全无毒,克服了浓硫酸的强腐蚀性、强氧化性、难于与产品分离、对环境污染大等诸多缺点,因此,活性二氧化锡可望成为一种较好的能取代液体浓硫酸并对环境友好固体酸催化剂.     

溶胶-凝胶法制备SnO2纳米粉体及表征研究

以无机盐为原料，采用溶胶－凝胶法制备SnO2纳米粉体。研究了反应控制参数，并利用TG－DCS、FT－IR、XRD、SEM和TEM等分析手段对所制纳米氧化锡粉体的结构、粒度、形貌、成分等进行了表征。结果表明：该法制备的SnO2纳米粉具有金红石型结构，晶粒为球形，平均粒径为8nm左右。     

SnO2电极电催化降解废水中酚

采用掺锑的ＳｎＯ２粉制成的半导体电极,研究了含酸废水的电催化降解反应。结果表明,在适当的条件下,对酚的降解率可达９０％。     

SnO2元件与Fe2O3元件热特性分析

引言近年来,SnO2系及Fe2O3系烧结型旁热式气敏元件应用越来越广泛．但由于两者导电机理不同,在选择使用时,对其工作区域的确定就显得极为重要．本文在测试大量数据的基础上,分别给出洁净空气中SnO2元件及Fe2O3元件阻值R．随加热功率PH变化的曲线,进行理论分析,为指导元件应用提供参考．1实验及结果1．1测量过程分别取SnO2元件及Fe2O3元件若干,通电老化后,使用RQ－2型气敏元件测试仪,在测试气箱里,从低加热电流60mA测起,每次改变5mA,测一次元件稳态阻值Ra,直测到高加热电流150mA.1.2特性曲线将测得数据绘图,作Ra～PH…     

SnO2及掺杂CuO的SnO2纳米粉末的制备与表征

本文用溶胶－凝胶法制备了纯SnO2和CuO掺杂的纳米粉末，并利用TG－DAT、XRD等测试手段对样品进行分析，结果表明，以无机盐为初始原料，用溶胶－凝胶法可得纳米级Sno2粉末；且CuO掺杂使颗粒度减小，有利于其作为气敏元件。     

正交相二氧化锡薄膜的制备与性能

二氧化锡(SnO₂)的一种晶体结构--正交相是高温高压相, 不易合成, 因此, 其性质探测和技术应用研究一直停滞不前. 利用脉冲激光沉积(pulsed laser deposition, PLD)技术, 在相对较低压力和较低温度下制备较纯的正交相SnO₂薄膜. 实验结果表明, 这种正交相SnO₂薄膜的透明度优于常规四方相SnO₂, 其半导体带隙大于四方相SnO₂.     

SnO2薄膜的激光化学雾状沉积

把ＣＯ２激光聚焦在玻璃基底上的小区域内，热解ＳｎＣｌ４·５Ｈ２Ｏ来实现ＳｎＯ２薄膜的沉积。用Ｘ－Ｙ扫描获得了选择性薄膜图形。薄膜的电阻率约为１×１０（－２）Ω·ｍ，可见光谱区透射率为７５％～８０％．用Ｘ射线衍射对膜层进行了物相分析，判定ＳｎＯ２薄膜基本为多晶结构，其最优方向为（１１０）。此外，还用扫描电子显微镜观察了薄膜的表面形貌。     

纳米SnO_2的拉曼光谱研究

SnO_2纳米晶体粉末是采用水热法制备的。将金属Sn粉末与硝酸溶液反应,得到的透明溶液置于聚四氟乙烯高压釜中,150℃处理24h后,冷却至室温,即可获得白色纳米固体SnO_2粉末,充分洗涤后,150℃烘24h再经10~5kg/cm~2压力压成片。样品的初始粒     

聚苯胺/掺锑二氧化锡导电复合材料的制备与表征

以十二烷基苯磺酸(DBSA)／HCl混酸为掺杂剂,过硫酸胺(APS)为引发剂,采用原位聚合法制备了聚苯胺／掺锑二氧化锡(ATO)导电复合材料．探讨了ATO用量对导电复合材料电导率的影响,在n(ANI):n(APS):n (DBSA)=1:1:0．7,m(ATO):m(ANI)=0．1:1时,复合材料室温25℃的电导率最高可达8．35 S·cm-1．通过FT-IR,XRD,SEM对其进行了表征．结果表明,ANI优先在ATO粒子表面聚合,形成聚苯胺包覆ATO的导电复合材料．