浸涂法制备掺锑SnO_2透明导电膜

以三氯叔丁醇锡和三氯化锑为主的有机-无机溶液,采用垂直浸涂法,在普通Na-Ca-Si系玻璃基片上制备了透明的掺锑SnO_2导电膜。薄膜的主透过波长在480nm附近,膜厚达1.26μm时其透光率约为80％,薄层电阻R_s可低达35Ω。研究表明,预涂SiO_2致密膜对于消除由于界面上Na~+的扩散而造成的电性能下降是有效的。锑的掺杂浓度在Sb/Sn=6％(mol)时膜有最低的R_s值,可见光-远红外透射率随Sb的增加而下降。随膜厚的增加,R_s按指数规律下降,但光吸收增加。膜厚在1.2μm时其光电特性优化因子φ_(T(?))最大。适当提高热处理温度和延长热处理时间,膜中SnO_2主晶相的晶化程度提高,膜的光、电性能可以同时得到改善。     

石墨对含钴SnO2基气敏元件性能的影响

钴添入ＳｎＯ２中可增大对乙醇气体的灵敏度，但同时带来一些不利因素。将石墨添加到不同钴含量的ＳｎＯ２基酒敏陶瓷中可以改善其电气性能，克服钴的副作用。通过对样品室温电阻的大小、时间稳定性和老化性三个方面进行研究，得到的结论是：在１０６０℃添加１％Ｗｔ左右的Ｃｏ２Ｏ３，并掺入１％￣５％Ｗｔ的石墨，其各项指标均较好。     

SnO2中空球和纳米粒子结构的光谱对比分析

以SnCl4.5H2O作为锡源,采用共沉淀法制备SnO_2纳米粒子,以碳球为模板制备了SnO_2中空球。对产物进行了TGA,XRD,TEM,EDX表征,以检测产物的微观结构和形貌为纯SnO_2样品金红石结构。与SnO_2纳米粒子相比,SnO_2中空球结构具有较大的比表面积,因此在表面产生大量的氧空位,造成中空球结构的禁带宽度较小,拉曼光谱中四方金红石的固有模式Eg和A1g发生蓝移现象,SnO_2中空球的PL光谱强度比纳米粒子要强。     

SnO_2纳米晶的胶溶法合成及气敏性质

用胶溶法合成SnO2纳米晶及液体浆料,利用X光衍射、红外光谱等对SnO2纳米晶进行表征,并对SnO2纳米晶的气敏性质进行初步测试．     

络合水热法合成介孔SnO2简

二氧化锡（SnO2）作为一种n型宽禁带半导体氧化物材料,广泛用于有机物催化、固态电子器件和锂离子电池电极材料领域。介孔SnO2具有较大的比表面积和纳米级有序孔道,与周围介质之间存在更强的相互作用力,可提高其在气敏传感器、催化反应中的应用效率。本文以SnCl4·5H2O为锡源,P123为模板剂,采用络合水热法合成了具有金红石结构的介孔二氧化锡,并考察了pH值、表面活性剂和添加剂等因素对介孔结构形成的影响;采用X射线衍射、透射电镜、荧光光谱等手段综合分析了产物的结构、形貌、成分及光学性质。结果表明所制备的介孔SnO2具有蠕虫状孔结构,表面积大,孔径集中分布在2～8 nm。合成的样品具有良好的光学性能,在光学材料领域具有应用前景。     

Nb2O5掺杂对SnO2-Zn2SnO4系压敏陶瓷电学性质的影响

研究了Nb掺杂对SnO2-Zn2SnO4系压敏材料电学性质的影响,研究结果表明:当Nb2O5的含量(摩尔分数)从0.05%增加到0.80%时,压敏电阻的压敏电压从28V/mm增加到530V/mm;对晶界势垒高度的分析表明:晶粒尺寸的迅速减小是样品压敏电压增高、电阻率增大的主要原因。本文对Nb含量增加引起晶粒减小的原因进行了解释。     

基底预处理对水热法制备SnO2纳米阵列生长的影响

采用水热法,在磁控溅射铺膜后的ITO-基底(MST-基底)上制备出取向一致的SnO2纳米线阵列.用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)等手段对制备的纳米线阵列进行了表征.考察了不同的基底铺膜方式和退火温度对产物形貌、尺寸和取向性的影响.结果表明,不同的基底铺膜方法对产物的形貌和尺寸有较大的影响:在磁控溅射法铺膜的基底上生长出SnO2纳米线阵列;在旋涂法铺膜的基底上生长出SnO2纳米棒阵列;在未铺膜基底上生长出SnO2纳米颗粒薄膜.另外,退火温度对生长在磁控溅射铺膜基底上的产物的取向性有较大的影响,随着退火温度的升高,产物的取向性增强.     

SnO2纳米晶的溶胶—凝胶法制备及气敏性质

采用溶胶－凝胶法制备出ＳｎＯ２纳米晶材料,经Ｘ光衍射和透射电镜研究表明,该材料具有金红石结构,晶粒为球形,粒径约４ｎｍ。气敏特性研究表明,该材料具有很好的乙醇敏感特性。     

SnO_2及掺杂CuO的SnO_2纳米粉末的制备与表征

本文用溶胶 -凝胶法制备了纯SnO2 和CuO掺杂的纳米粉末 ,并利用TG -DAT、XRD等测试手段对样品进行分析 .结果表明 ,以无机盐为初始原料 ,用溶胶 -凝胶法可得纳米级SnO2 粉末 ;且CuO掺杂使颗粒度减小 ,有利于其作为气敏元件     

电子束辐照对氟掺杂二氧化锡导电玻璃的影响

运用XRD分析氟掺杂二氧化锡导电玻璃导电面SnO2的晶型,发现其属于四方晶系,晶粒尺寸为32.35nm。运用XPS分析氟掺杂二氧化锡导电玻璃导电面的元素组成主要是Sn和O,未能检测出F。进一步研究表明,电子束辐照前后Sn所处的化学状态相同(以Sn4+的形式存在),O以2种化学状态存在,分别对应氧充足和氧缺乏状态,且随着电子束辐照注量的增加,会有少量的氧失去而使氧充足状态的O1s逐渐减少。