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作为N型半导体材料,三氧化钼是最受瞩目的过渡金属氧化钼之一,并在电子产品中得到广泛应用。该文通过离子交换和超声波辅助制备出热力学亚稳态h-Mo O3纳米棒,并通过对产物煅烧,使其转变为热力学稳态微米带。同时对样品进行XRD和SEM分析,发现在500℃下对样品煅烧2h,样品的晶体结构发生变化,由热力学亚稳态的h-Mo O3转变为热力学稳态的α-Mo O3,同时产物形貌随之改变,六棱柱分割为层状结构用于装配,最终形成表面光滑的微米带。在煅烧过程中,温度对物相的转变及产物的结构的变化起到了决定性的作用。 相似文献
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利用理化和生物监测相结合研究了三氧化钼(MoO3)生产排放废水及废渣的理化特性及生物毒性.研究结果表明,废渣属于具有浸出特征(Ni、Cd)的危险物质,废渣浸出液和废水均显酸性,其中重金属(Ni、Zn、Cu等)含量较高,超出<污水综合排放标准>(GB 8978-1996)中规定的排放阈值,废渣浸出液和废水均具有极强的生物毒性,24h、48h、96h对隆线溞的半致死体积分数LC50分别为0.2542%、0.0995%、0.0652%及0.0257%、0.0240%、0.0209%,安全排放的体积分数分别为0.00065%、0.00021%,废水对水生生物的毒性比废渣浸出液的要强. 相似文献
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热分解法制备高纯三氧化钼工艺研究 总被引:3,自引:0,他引:3
吴晓林 《合肥工业大学学报(自然科学版)》1998,(6)
介绍一种用低品位钼精矿制备高纯三氧化钼的生产工艺,讨论了温度、气氛装舟量和推舟速度等工艺因素对高纯三氧化钼性能、粒度大小、形态的影响,研究得出的最佳工艺参数已经应用于工业生产并取得良好的效果。 相似文献
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Au/MoO3和Pt/MoO3薄膜光致变色反应的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
报道了金属Au或Pt与MoO3薄膜形成的肖特基结对MoO3薄膜光致变色的增幅作用。纯粹的MoO3薄膜只对紫外光有响应,但经过阴极极化处理后,薄膜就有产生可见光变色效应。为了提高变色效率,在薄膜表面蒸镀一层金属Au(或Pt),MoO3薄膜的紫外和可见光致变色能力都有大幅度提高。这可用金属Au或Pt与MoO3之间形成的特殊结构-肖特基结来解释。Pt与MoO3的Fermi能级差大于Au与MoO3的Fer 相似文献
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采用热蒸发方法,以红外烧结炉为制备仪器,在聚酰亚胺柔性衬底上制备正方形纳米片.通过扫描电子显微镜、X-射线衍射谱表征产物的形貌、尺寸、成分及物相,并对纳米片的形成机理进行了探讨分析.研究表明,此纳米片为三氧化钼(MoO3)的正交结构.生长时间、衬底和蒸发源的间距对纳米片的尺寸有显著的影响.生长时间越长,衬底和蒸发源间距... 相似文献
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通过在聚乙烯(PE)隔膜上引入三氧化钼(MoO3)和溴化锂(LiBr)涂层制备LiBr/MoO3/PE多功能复合隔膜,采用X射线衍射和扫描电子显微镜对膜的结构和形貌进行表征,并通过循环伏安、电化学阻抗和充放电性能测试等方法研究涂覆修饰层后的LiBr/MoO3/PE隔膜对Li金属负极稳定性和锂硫(Li-S)电池性能的影响.结果表明:LiBr提高了多硫化锂(LiPSs)的溶解度,MoO3层对LiPSs具有化学吸附作用,可提高活性物质S的利用率,并抑制Li-S电池的穿梭效应;以LiBr/MoO3/PE为隔膜的Li-Li对称电池在0.6 mA/cm2的电流密度和1 (mA·h)/cm2的容量下稳定循环时间为1 600 h, Li-S电池在0.2 C下的初始放电比容量可达1 229.2 (mA·h)/g, 500次充放电循环后的比容量为628 (mA·h)/g. 相似文献
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三氧化钼催化β-蒎烯环氧化反应的研究 总被引:4,自引:0,他引:4
以MoO3作催化剂,探讨了β-蒎烯与叔丁基过氧化氢(TBHP)在不同条件下催化环氧化反应的规律。研究结果表明:在优化反应条件下β-蒎烯于363K反应2h,β-蒎烯的转化率为24.9%,2,10-环氧蒎烷的选择性为91.4%。 相似文献
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1 000 nm以上红外波段在光纤通信等方面具有重要的应用,而能够在此波段响应的有机红外光敏材料数量较少,限制了有机光探测器在近红外的应用.有机光敏场效应管(OPT)集光信号的探测与放大为一体具有高的灵敏度和低的噪声.利用三氧化钼(MoO3)和有机小分子4,4′,4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)交替热蒸发沉积形成了一种在900~1 300 nm红外波段有显著增色效应的电荷转移复合物薄膜.采用该薄膜搭配高迁移率的并五苯沟道层制备的近红外OPT具有场效应光探测性能.对器件工作的物理机制进行了阐述.这种新型有机-无机超晶格红外光敏材料可以为有机红外探测器的研究开发提供新的选择. 相似文献
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采用离子交换和化学沉淀法在玻璃基底表面成功合成了h-MoO3和α-MoO3薄膜.分别用XRD、SEM等手段对产物进行表征,通过荧光光谱和紫外可见光谱对MoO3薄膜的光学性质进行了详细的研究.结果表明:h-MoO3薄膜有两个荧光峰,分别位于440、630 nm;α-MoO3薄膜仅在440 nm处有一个荧光峰.440 nm处的荧光发射峰来自于MoO3的导带-价带电子跃迁,630 nm处的发射峰来源于h-MoO3薄膜中氧空穴的存在.所制备薄膜的光致变色研究表明,相对于α-MoO3薄膜来说,h-MoO3薄膜具有更好的光致变色响应,这与h-MoO3的特殊结构中的某些氧空穴和缺陷有关. 相似文献
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