矿井低压选择性漏电保护

为了提高井下低压电网选择性漏电保护的可靠性,通过故障参数特征及影响因素综合分析,以AVR单片机为核心进行了硬件和软件设计,克服传统设计不完整,电磁兼容性差,灵敏度低的缺陷,通过矿井低压电网选择性漏电保护运行,证明装置具有较高的可靠性,有利于提高矿井低压电网供电安全性,保证矿井安全生产。     

数字图书馆与知识产权保护

在论述数字图书馆建设过程中所涉及的知识产权问题的基础上,从侵权的服务环节、服务项目、技术保护等方面对数字图书馆中知识产权保护问题进行了探讨。     

浅谈档案保护标准的缺失引发的问题及对策

分析了档案保护标准的缺失引发的问题,探讨了解决问题的对策。     

四川藏区传统藏文化对生物多样性保护的意义

本文在大量实地调查和分析基础上,较为详细地总结了四川藏区传统藏文化、传统生活与生产方式在当地生态系统、生物多样性的保护和可持续利用中的作用.几千年来,传统藏文化中的禁忌、倡导、宗教、文化和游牧等对维持藏区生态系统正常的服务功能、保存与永续利用当地生物多样性起到了不可磨灭的贡献.当代市场经济扩张和外来文化的冲击使当地生态系统和生物多样性面临诸多问题,因此,在促进社会经济全面发展的同时,应该大力弘扬传统藏文化中积极有效的因素,保护和恢复生态系统,保护和永续利用生物资源,实现人与自然的和谐发展.     

佛山城市现代化建设进程中文物保护初探

佛山拥有丰富的文物建筑遗产,然而在城市现代化建设过程中对文物保护工作重视不够。针对这一现状,提出了相应的文物保护对策。     

对未来建筑发展的四种探索

建筑物的暖气、冷气和照明方面的能源消耗占全世界2/3,而且会造成大量能源浪费和环境污染,是全球变暖的主因,因此未来的建筑物必须更加的节能环保。空气胶、混合太阳能照明系统、绿色屋顶、纳米光电电池这四项前卫科技,都可以有效的改善建筑的节能环保,比如更有效的防止热能损失,大幅减少未来建筑冷暖能源花费,并且减少温室气体的排放和污染;使用混合太阳能照明系统,达到节能80%以上的效果,而且更有益健康,得到高品质的照明;构建大规模的绿色屋顶,把大自然带进人工环境,大幅改善都市气温以及热岛效应;利用纳米光电电池技术使用太阳能,减少对石化燃料的依赖,使建筑物可以自行发电。     

基于DSP的煤矿动力开关负荷检测与保护设计

介绍以TI公司TMS320F2407数字信号处理器为核心的,矿用开关设备负荷检测和保护的设计,采用倍频锁相技术实现对工频的自动跟踪,DSP对采样后数据进行每周波多点数快速傅立叶计算,实时、准确、快速的得出电压、电流、有功功率、无功功率、功率因数等电力参数,实现谐波分析和电力线路的保护等功能。单片机经双口RAM实现数据通信,采用I^2C总线组成管理电路。该电路具有电力参数显示,整定值设定,人——机对话等功能。给出装置的硬件电路以及系统软件流程。该装置提高了矿用开关保护的实时性和可靠性。     

皖西红色旅游开发和保护一体化模式研究

皖西是大别山红色旅游区重要组成部分,红色旅游资源开发和保护尤为迫切。分析皖西红色旅游发展现状基础上,构建了皖西红色旅游的“旅游区-旅游功能区-产品组团-重要节点-中心城镇-旅游线路”五级空间要素结构和“增长极式-组团式-板块式”空间演变发展格局,提出独立型、共生型和依托型三类A级红色景区创建模式,梳理了红色旅游物质遗产和非物质遗产资源的保护方式和保护体系。分析认为,“分散保护＋集中展示＋红绿古结合”将是皖西红色旅游开发和保护一体化的主导模式。上述结论可为中国同类红色旅游地可持续发展提供借鉴。     

浙江企业遭遇“337”调查原因及措施

入世以来,浙江对美贸易迅速增长,出口产品的技术含量越来越高,对美国国内厂家造成一定威胁,因此美国企业频繁利用“337”条款投诉浙江出口企业,以期阻挡浙江产品的进口,浙江向美出口的电池、制笔、化工等产品都遭遇过美国国际贸易委员会基于“337”条款发起的调查,贸易利益严重受损。因此,通过对浙江企业遭遇“337”条款原因的深入探讨,笔者希望能为浙江企业走向国际市场、建立自主知识产权制度提供一些启发和参考。     

离子注入减小条形射线探测器表面漏电的研究

选择高阻N型〈10 0〉单晶硅材料 ,X射线探测器为PIN管结构 .为了减少器件表面缺陷对暗电流的影响 ,在器件P区的两侧使用离子注入形成浅层低浓度N区 ,以减小器件的暗电流 .通过对比实验发现 ,当N区的注量增大时 ,在相同反向偏压条件下 ,器件的暗电流密度随之减小 ,同时击穿电压也相应减小 .为了减小器件的工作电压并进一步减小工作时的暗电流密度 ,还将器件的背面进行厚度减薄、抛光和AuSb/Au合金形成欧姆接触 .对减薄后的器件进行I V特性测量 ,由于工作电压大幅降低 ,器件正常工作时的暗电流密度大幅度减小 .同时在实验中发现温度对暗电流的影响非常大 ,将器件温度降低到 - 15℃时 ,暗电流密度可降低到 1nA·mm- 2 以下 .