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51.
应用X射线衍射法测定了Pb-Sn-Bi三元系Pb基α相固溶体的点阵参数,发现点阵间距与成分呈线性变化,对两批实验数据分别进行回归分析,得到点阵参数-浓度关系的统一解析式: α=0.49495X_(Pb)+0.47813X_(Sn)+0.50629X_(Bi)。其F检验置信度大于99.9%,残余标准差σ=6.4×10~(-5) nm,分析点阵畸变的影响因素表明尺寸效应是控制固溶体点阵行为的主要因素。 相似文献
52.
利用Zn-蒙脱石作为固体电解质,组装成Zn/Zn-蒙脱石/MnO_2固态电池。研究了不同温度处理的电解MnO_2对电池性能的影响,发现以γ和β相共存的MnO_2具有较高的放电容量。电池的极化性能研究表明电解质的电阻所引起的欧姆极化是电池极化的主要因素。本文还初步探讨了离子在蒙脱石中的迁移机制对电池性能的影响,提出水合离子迁移的概念。 相似文献
53.
采取本底曲线扣除措施,扣除扭摆吊丝弹性恢复力矩非线性变化和环境温度变化产生的系统误差,可将扭摆的测量精度提高到9.6×10~(-3),周期的最大相对起伏减小到9.4×10~(-3)。 相似文献
54.
孔隙结构分布特征是影响固相颗粒在多孔介质中运移沉降规律的关键因素 .油藏砂岩孔隙大小分布在一定标度范围内具有统计自相似性 .采用地层砂岩压汞资料 ,通过对微分汞饱和度与孔隙半径进行对数回归来估计孔隙大小分布分维 ,并用三维多段组合式网络模型对注入颗粒在不同分维的多孔介质中运移沉降造成渗透率下降的规律进行了模拟研究 .探讨了颗粒运移沉降对地层伤害的程度和孔隙大小分布分维之间的关系 . 相似文献
55.
针对Sr变质Al-11.7%Si共晶合金,通过实测获得冷却曲线,计算出结晶过程固相生长速率曲线。结果表明,固相生长速率最大值是表征Al-Si合金变质效果的有效参数,通过计算机检测该参数可实现变质效果的准确预报。 相似文献
56.
稀土固体超强酸SO_4~(2-)/TiO_2/La~(3+)催化合成癸二酸二丁酯 总被引:5,自引:2,他引:5
赵汝琪 《河北科技大学学报》2000,21(1):23-25,29
研究了以稀土固体超强酸 SO2 - 4/Ti O2 /La3+为催化剂 ,癸二酸和正丁醇为原料合成癸二酸二丁酯 ,并考察了影响反应的因素。结果表明 ,醇酸量的比值为 4.0 ,催化剂用量为 1.0 g,带水剂甲苯为 15 m L (癸二酸为 0 .1mol的情况下 ) ,反应时间为 3 .0 h,反应温度为 110~ 14 0℃是最适宜的反应条件 ,酯化率达 98.0 %。 相似文献
57.
研究了聚联苯乙烯(SDB)和石墨化碳黑(GCB)固相萃取用于样品前处理对污水样中雌二醇(E2)和乙炔基雌二醇(EE2)的酶联免疫吸附检测(ELISA)定量分析可靠性的影响.采用GCB固相萃取可对E2和EE2进行分步洗提,相比SDB固相萃取在污水厂原水样中E2和EE2的加标回收率分别从181.4%和122.6%降至113.3%和109.4%,相对标准偏差均降至10.0%以下;在污水厂尾水样中E2的加标回收率则分别从144.2%降至93.5%,而EE2无明显变化,相对标准偏差均从接近10.0%降至8.0%以下.利用液相色谱-飞行时间质谱联用对污水厂原水样的平行分析的结果表明采用GCB固相萃取可比采用SDB固相萃取降低38%的E2检测假阳性和15%的EE2检测假阳性. 相似文献
58.
开发了新的富勒醇、异硫氰酸荧光素和N,N-二甲基苯胺(F-ol-(FITC)n-DMA)标记试剂.基于F-ol的活性-OH与FITC游离的-COOH反应生成含有多个FITC分子的复合物(F-ol-(FITC)n-DMA),增加WGA-AP-WGA-F-ol FITC-DMA(WGA和AP分别为麦胚凝集素与碱性磷酸酶)生物靶的发光分子数而进一步提高SSRTP(固体基质室温磷光法)的灵敏度.用F-ol-(FITC)n-DMA标记WGA方法的检出限为0.15 ag spot-1(F-ol)与0.097 ag spot-1((FITC),比F-ol-DMA、FITC-DEA单发光分子标记WGA方法的检出限(0.20 ag spot-1(F-ol),0.22 ag spot-1(FITC)低.用于血清试样中AP含量的测定结果与酶联免疫法相吻合. 相似文献
59.
以MgO固体碱为催化剂,采用加压气固相催化反应装置,对连续流管式反应炉中丙酮气相一步缩合制3,5-二甲基苯酚的反应进行了研究.考察了温度、时间、压力和溶剂等因素对丙酮转化率和产物选择性的影响.实验得出反应适宜的温度为500℃,压力为0.5 MPa;在氢气氛围、空速为2.4h-1条件下,使用环己烷和水的混合液为反应溶剂时... 相似文献
60.
半导体照明(亦称固态照明,solid state lighting,SSL),是继白炽灯、荧光灯之后的又一次光源革命.2016年,我国半导体照明产业规模达5 126亿元,关键技术与国际水平差距逐步缩小,示范应用居于世界前列,已成为全球最大的半导体照明生产、消费和出口国.当前半导体照明产业面临新的形势是:国际上技术快速进步,新兴应用崛起,市场渗透加速,竞争格局调整;国内产业集中度进一步提升,龙头企业加快扩张,海外市场拓展加速,整合并购成为主流.本文系统梳理了我国半导体照明产业发展的现状及趋势,分析了我国半导体照明产业发展面临的机遇与挑战,提出下一步推动我国从半导体照明产业大国向产业强国转变的主要工作. 相似文献