半导体drift-diffusion模型的局部间断Galerkin方法及数值模拟

考虑半导体drift-diffusion(DD)模型一维和二维问题的局部间断Galerkin(LDG)方法,并进行数值模拟。模拟一维问题时,在浓度变化剧烈的部分采用细网格,在浓度变化平缓的地方采用粗网格,并与均匀网格的数值模拟进行比较,实现了在非均匀剖分下节省空间剖分单元数并加快了运行速度的目的。模拟二维问题时,采用了Dirichlet和Neumann相结合的边界。数值结果验证了LDG方法的稳定性。     

Characterization and chemical surface texturization of bulk ZnTe crystals grown by temperature gradient solution growth

Using tellurium as a solvent, we grew ZnTe ingots of 30 mm in diameter and 70 mm in length by a temperature gradient solution growth method. Hall tests conducted at 300 K indicated that the as-grown ZnTe exhibits p-type conductivity, with a carrier concentration of approximately 1014 cm-3, a mobility of approximately 300 cm2·V-1·s-1, and a resistivity of approximately 102 Ω·cm. A simple and effective method was proposed for chemical surface texturization of ZnTe using an HF:H₂O₂:H₂O etchant. Textures with the sizes of approximately 1 μm were produced on {100}, {110}, and {111}_Zn surfaces after etching. The etchant is also very promising in crystal characterization because of its strong anisotropic character and Te-phase selectivity.     

用于高速PLL的CMOS电荷泵电路

提出了一种应用于高速锁相环中的新型CMOS电荷泵电路．电荷泵核心部分为一带有参考电压电路的双管开关型电路,并对运放构成的反馈回路进行了改进,降低了电荷泵输出电压的抖动．电路采用chartered0．35μm 3．3 V CMOS工艺实现,模拟结果表明电流源输出电压在1～3V区间变化,其输出电流基本无变化,上下电流的失配率小于0．6％,具有很高的匹配性．在3．3V电源电压下,电荷泵输出电压的范围为0～3．1V,具有宽摆幅和低抖动（约0．2mV）等优点,能很好地满足高速锁相环的性能要求．     

一种基于模拟退火的LUT结构FPGA工艺映射算法

SoPC中提供给FPGA IP核的有限面积使面积优化成为工艺映射的关键目标之一．减少实现电路功能的可编程逻辑单元数可以有效地减小所需芯片面积,还能降低对布线资源的需求．利用模拟退火算法从全局范围对LUT结构FPGA的工艺映射过程进行考虑,针对减少所用LUT数目的目标得出映射结果,实验结果表明用该算法可以快速地得出非常优化的结果．     

带有片上天线的非接触式IC卡设计

介绍了一种基于ISO／IEC14443协议的带有片上天线的近耦合非接触式IC卡的芯片设计,它将天线集成到芯片中并用状态机代替MCU作为芯片的控制器,采用0．35pm工艺模型,用HSPICE对天线、模拟电路进行了仿真,采用Verilog语言和Synopsys综合工具对数字电路进行了VLSI设计,芯片仿真结果表明功能及各项性能达到了原定指标。     

倾斜非线性介质热像效应的实验研究

高功率激光系统中,热像的强度可以达到光学元件的损伤阀值,从而威胁系统的安全运行.以往对热像效应的研究主要针对光束正入射非线性介质的情况,而实际片状放大器中的介质片往往倾斜放置.实验研究了倾斜非线性介质的热像效应,结果表明,非线性介质倾斜引起热像的平移,且随介质倾斜角度的增加,热像位置平移的距离增加,其增加量与理论分析光束通过介质后的平移量符合较好,而热像的强度变化很小.所得结果对适当排布高功率激光系统中的元件以避免热像带来的损伤具有重要意义.     

Ge_2Sb_2Te_5薄膜及其存储特性研究

采用磁控溅射制备了Ge2Sb2Te5相变薄膜.通过XRD以及四探针法研究薄膜在退火过程中的微结构演变以及电导率变化规律.通过电流-电压特性研究了存储器的存储转变机制.     

基于Volterra级数分析的半导体激光器非线性模型

根据非线性系统Volterra级数分析理论建立了半导体激光器的非线性模型.半导体激光器由本征激光器与寄生网络级联而成.本征激光器的非线性传递函数利用谐波输入法从速率方程得到,而寄生网络的非线性传递函数由影响其非线性的主要因素决定.在此基础上利用非线性系统的级联关系得到半导体激光器的非线性传递函数,并利用模型计算了半导体激光器的二次谐波、三次谐波和三阶交调失真.计算结果显示,在宽频范围内模型计算结果与仿真结果接近,且寄生网络对于激光器非线性的影响随频率升高而逐渐加大.通过比较Volterra模型与直接仿真之间的误差随输入信号功率的变化趋势可看出Volterra模型更加适用于分析弱非线性系统.所建立的模型有助于半导体激光器的器件表征与射频光传输系统的设计.     

半导体激光器非线性行为的参数依赖性

对外部光反馈结构的F_P半导体激光器模型进行了理论分析,根据微小信号理论,导出了激光器的一阶近似扰动方程,由此可判别激光器输出工作状态。改变外部光反馈结构半导体激光器的一些典型参数,并测试它们对激光器输出的影响。通过参数选择可以控制激光器输出工作在混沌状态,从而实现混沌保密通信应用的基本条件。     

人类终极能源梦——太阳光分解水制氢研究进展

 利用太阳光分解水制备氢气,从太阳照射能量中直接获得大功率的动力能源,被认为是人类能源的终极梦想.本文介绍了太阳光催化分解水制氢的原理,阐述了光解水对光催化材料的热力学和动力学要求.重点从新型光催化材料研发、共催化复合体系构筑、纳米形貌调控、器件化设计等4个方面综述了近年来国内外光解水制氢关键材料和技术的研究进展.结合实际应用,对制氢体系中牺牲剂应用、模拟自然光合作用、光解海水、光催化剂稳定性等方面的研究进行了分析.展望了未来太阳光催化分解水制氢技术的发展方向.