半导体漂移-扩散方程速度饱和情形的稳态解

考虑半导体方程稳态模型的混合边值问题 ,应用Schauder不动点定理证明了逼近解的存在性 ,通过一系列先验估计的获得 ,利用紧致性原理证明了稳态解的存在性     

有机半导体异质结电荷产生层及其在叠层有机发光二极管中的应用

叠层有机发光二极管因其具有更高的亮度、效率以及稳定性, 其研究备受关注.本文综述了叠层有机发光二极管的最新进展; 总结了作者研究小组基于有机半导体异质结的概念, 设计了由一种p 型有机半导体和一种n 型有机半导体层层组成的双层有机半导体异质结电荷产生层, 并用它们作为连接单元制备了叠层有机发光二极管, 器件的电压得到了降低, 功率效率得到了提高. 通过对电荷产生层的工作机制的深入剖析, 揭示了降低电压、提高功率效率的内在物理原因, 为进一步设计高性能有机电致发光器件提供了新的思路; 最后对叠层有机发光二极管的未来发展方向进行了展望.     

鲁棒的高速物理随机数发生器

基于宽带混沌激光作为物理熵源, 提出一个性能稳定的高速物理随机数发生器实现方案. 利用差分比较器对宽带混沌信号延迟作差, 再经由时钟控制的触发器进行采样保持以及后续异或处理, 实验获得了速率为1.44 Gbit/s 的随机数. 该方案免去了精确的阈值电压调节过程, 利用差分比较纠正了混沌幅值概率密度分布的偏差, 使混沌幅值分布的中值偏斜度系数为γ= 1.5×10^-6. 此实验系统可抗外界波动信号的干扰, 能够连续稳定工作至少12 h.     

MR-CGS:一种最小剩余CGS方法在DDM求解中的应用

从CGS方法入手,针对该算法在收敛过程中出现的残差不平稳的缺点,对CGS算法进行改进,给出了一种最小残差CGS(MR-CGS)算法.算例给出了该改进算法在求解DD模型中的应用.     

往复区熔对n型温差电材料性能均匀性的影响

本文采用往复区熔法生长了掺杂 Sb I3的 ( Bi2 Te3) 0 .90 ( Sb2 Te3) 0 .0 5( Sb2 Se3) 0 .0 5赝三元 n型半导体温差电材料 ,测定了晶棒轴向温差电性能 .所制备的质量为 2 0 0 0 g,直径为 33mm的 n型晶锭 ,6 0 %左右可利用部分的温差电参数分布为 :温差电动势率 α=2 0 9～ 2 0 6 μV/K;电导率 σ=935～ 1 0 30 /Ω.cm;热导率K=1 .5 2～ 1 .5 5 W/( m· K) ;温差电优值 Z=2 .6 9～ 2 .84× 1 0 - 3/K.     

用蒙特卡罗方法研究不同厚度的金对X射线在金 酞菁铜界面附近剂量分布的影响

用蒙特卡罗方法计算不同厚度的金在金 酞菁铜界面的剂量增强系数. 结果表明, 金的厚度影响界面附近的剂量增强效果. 当金的厚度为0~8 μm时, 剂量增强系数随金厚度的增加而增大.      

影响超快光电导开关关断特性的主次因素

超快光电半导体开关的最大重复工作频率由关断特性决定,而影响关断特性的因素很多。基于超快光电半导体开关的大量实验,分析了影响关断特性的主要因素和次要因素,认为关断特性主要取决于载流子的寿命、载流子的漂移速度、深能级陷阱作用,其中,载流子寿命是最重要的因素。触发光参数及光电耦合关系、电极工艺、电路参数对关断特性有一定影响。     

S—G方法的侧风扩散现象分析

本系统地分析了Ｓ－Ｇ方法内在的侧风扩散现象，给出了它的应用条件和适用范围，为Ｓ－Ｇ方法的应用提供了依据。     

一种基于随机规划的晶圆制造产能规划方法

针对晶圆制造过程中产能与需求的高度不确定性问题,采用基于场景(scenario)的随机规划方法进行设备购置决策.未来不确定的需求采用多个以发生概率相联系的预测场景来模拟,使得到的设备购置决策具有较好的鲁棒性.采用加工作为衡量产能的标准,考虑了优先设备与后备设备的区别,目标是尽量满足各阶段各场景中的需求.结果表明,当未来产品需求在一定范围内变动时,基于随机规划的决策优于基于线性规划的决策.