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1.
本文分析及研究了作者对绝缘栅PMOS场效应结构所进行的SUPREM—SEDAN联机模拟.重点在衬底电阻率(掺杂浓度)与MOS结构阈值电压之间的定量关系上得到了与实验完全一致的结果.同时,定量地描述了栅氧层中电离电荷的分布及其行为.揭示了上述效应的机理. 相似文献
2.
3.
4.
考虑了InGaAsP半导体激光器的俄歇效应后,对描述稳态运行的半导体激光器的行波速率方程组进行了修正,求得了隐函形式的解析解,并以此对激光器的一些重要持性进行了讨论。 相似文献
5.
本文把扩展电阻法应用于陶瓷微区电导性能研究.建立了微区的定位标识系统,可精确、方便地对选定的微区进行电导性能及组分的重复测定.该方法在研究Ba(Sn_(1-x)Sb_x)O_3、ZnO及BaTiO_3半导体瓷应用中得到有意义的结果. 相似文献
6.
器件表面保护用有机硅漆导电机理的探讨 总被引:1,自引:0,他引:1
通过测量不同固化条件下高压硅器件用有机保护材料聚酯改性硅有机漆SP的电阻率随温度变化的规律,并借助于对经各种条件固化后SP的热重、差热分析、红外光谱分析,研讨了它的高温导电机理.实验结果表明,在一定的固化条件下,固化后的材料在高温时具有最高的电阻率,材料中离子输运最弱,并具有较佳微观结构,这时材料的固化温度是210℃.提出了SP的高温电导主要是含羟基的分子产生的本征离子电导的新观点,建立了SP的高温导电模型,并对电性能测量结果作出了新的解释. 相似文献
7.
Semiconductor(ZnxCd1−x
S) doped silica glasses were prepared by Sol-Gel process andin situ growth technique. The structure of the materials was characterized by X-ray diffraction technique, the particle size of semiconductor
crystallites from X-ray patterns was estimated less than 10 nm. From absorption spectra, it is obtained that the absorption
edges shifted to short wavelength direction when Zn contents increased, and the absorption edge can be adjusted from 2.46
eV to 2.96 eV by controlling Zn contents. The third-order nonlinear optical susceptibility was studied at 532 nm with 8 ns
pulse laser by degenerate four wave mixing (DFWM) technique. 相似文献
8.
孙福芹 《天津师范大学学报(自然科学版)》2005,25(2):50-53
考虑一类半导体方程组的混合初边值问题。利用正则化算子和逼近过程,通过一系列先验估计,在迁移率既不为常数,又不满足速度饱和的条件下,证明了其整体弱解的存在性. 相似文献
9.
ITO透明半导体膜的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用直流磁控溅射ITO陶瓷靶的高温低氧工艺,在玻璃衬底上成功地镀制了ITO透明半导体膜,其可见光透过率达80%以上,电阻率降到3×10~(-4)(?)cm以下。 相似文献
10.
连续波激光诱导扩散区温度的不接触测量 总被引:11,自引:0,他引:11
激光诱导扩散中曝光区的大小在10μm数量级,其温度分布的测量是比较困难的,该文报道一种曝光区中极微小面元的不接触测量,文中介绍了测量原理,实验装置,给出了实验结果,并特地介绍了测量系统的定标。 相似文献