变形温度、变形程度与退火方式对 TC11 钛合金显微组织的影响

文章采用金相跟踪法研究了变形温度、变形程度及随后的退火方式对ＴＣ１１钛合金显微组织的影响。     

类钙钛矿锰氧化物磁卡效应的研究

介绍了前一时期人们对不同材料磁卡效应研究的成果,重点讨论了类钙钛矿材料的磁卡效应,并将我们目前得到的实验结果进行了总结．结果表明,合适的掺杂、适当的成份改变及适当的工艺过程可使类钙钛矿材料在适中的磁场下获得一个较大的、稳定的磁熵变,其性能优于以前所报道的材料,是目前较为理想的磁致冷工质．     

棉花种子变温冷害的初步研究

以棉花种子新陆早１号为材料，研究了２０～１２℃、２０～８℃、２０～２℃、１６～８℃、１６～２℃、１２～５℃六种不同变温分别处理１天、２天、３天、４天、５天后的发芽率，初步认清了棉花种子变温与冷害的关系．结果表明，变温的幅度及低温的程度是决定冷害的主要因素，低变温的持续时间也是影响冷害的主要因素．     

阳极真空弧沉积装置及弧特性初步诊断

介绍一种新的真空弧沉积实验装置。在１５～４０Ａ的电流范围内，对Ａ１弧等离子体的特性进行了初步诊断。在２５Ａ弧电流下，电子温度为０．４～０．８ｅＶ，电子浓度为１０１５～１０１７ｍ－３。     

碳酸钙阻垢效果影响因素实验研究

为了研究多因素共同作用对碳酸钙阻垢效果的影响,采用静态阻垢法对筛选出的浓度为100 mg/L 的PESA 阻垢剂开展了碳酸钙阻垢效果影响因素研究。首先,采用单因素分析法开展了阻垢剂类型、浓度、碳酸钙过饱和度、含 盐量以及pH 值对碳酸钙阻垢效果的影响实验,然后,根据单因素实验结果设计正交实验,通过正交实验研究了含盐 量、温度、CO2 分压和pH 值共同作用时对碳酸钙阻垢效果的影响。单因素实验结果表明,随着碳酸钙过饱和度的增大 阻垢剂PESA 的阻垢率减小,随着含盐量的增大阻垢剂PESA 的阻垢率先增大后相对减小,随着pH 值的增大阻垢剂 PESA 的阻垢率先增大后减小;临界含盐量为50 g/L 时,阻垢率可达95.85%;pH 值为6.5∼8.0 时阻垢效果最佳,阻垢 率为90%。由正交实验结果可知,温度对PESA 阻垢剂的阻垢率影响最为显著,对应的极差为8.2,P 值为0.002,其次 为pH 值和CO2 分压,而含盐量的影响作用微乎其微。最优因素水平组合为温度60℃、pH 值7.5、CO2 分压1.5 MPa、 含盐量5.5 g/L,此时阻垢剂PESA 对碳酸钙的阻垢效果最好。     

微处理机应用系统容错设计之实例分析——温控仪容错设计

在微处理机应用系统容错设计理论的基础上,采用了过程通道、 Ｒ Ａ Ｍ 的备用容错以及系统恢复和重入技术,对温控仪容错进行了设计．     

等离子体的温度测量与光谱测温仪

论述了基于光谱学原理的温度测量技术．介绍了在上述原理下建立起来的光谱 测温仪。该仪器能测量符合局域热力学平衡与柱对称条件的电弧及高频等离子体的温度 剖面。测温范围为 ５ ０００—１５ ０００ Ｋ，不确定度约 ２．２％。     

陶瓷金属热障涂层组合筒的热弹塑性极限分析

对热障涂层组合筒进行了热弹塑性极限分析,导出了热弹塑性应力分布的计算式,分别就基体内层开始进入塑性及整个基体完全处于塑性两类极限状态下,得到了极限温差,并就 Ｚｒ Ｏ２ Ｔｉ － ６ Ａｌ－ ４ Ｖ 陶瓷热障涂层给出了计算结果,为热障涂层材料设计时参数的优化奠定了理论基础．     

TCR控制及数学模型的研究

阐述了微机无功动态补偿器中ＴＣＲ晶闸管控制线性电抗器的控制原理，并对其数学模型的建立进行了讨论．     

AMPS/AM的合成及其性能测试

利用抗盐性较好的阴离子单体AMPS与丙烯酰胺聚合,制备了一种阴离子型二元共聚物。一定浓度的共聚物溶液在NaCl、CaCl2存在下的粘度保留值与PAM同比增高1倍以上。