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451.
Organic–inorganic hybrid solar cells based on poly(3-hexylthiophene) and electrospun TiO2 nano bers were fabricated by solution process.The ef ciency of the device was improved by modifying CdS nanoparticles on the surface of TiO2 by electrochemical method.The CdS layer can lead to the increase of both open circuit voltage and short circuit current of the device,which are attributed to enhanced exciton dissociation and light absorption and suppressed carrier recombination by CdS at the heterojunction.However,too thick CdS layer led to increased series resistance and decreased ef ciency of the device.Therefore,the optimum condition of the CdS deposition was obtained,which increased the power conversion ef ciency of the device for about 50%.Our results indicate that the surface modi cation on the inorganic semiconductor layer is an effect way to improve the performance of the hybrid solar cells. 相似文献
452.
453.
用统计力学及Monte Garlo方法分别处理和模拟了单粒子自旋和团簇自旋点阵下的经曲Heisenberg模型。主要结果如下:①比较常规大块状单自旋态,纳米团簇自旋态组成的超顺磁体系具有增强磁热熵效应。②在纳米尺度存在一最佳团簇尺寸,磁热熵变△S达到最大值。 相似文献
454.
在分析气溶胶喷射打印技术工作原理的基础上,利用商用压电陶瓷雾化片和自行设计制造的喷印头,构建出由气溶胶喷射打印装置、温度控制装置和运动控制装置3部分构成的气溶胶喷射打印系统。以纳米银导电油墨为对象,采用单参量对比实验分析法,研究鞘气流量、载气流量、喷嘴与衬底间距、打印速度、打印层数等因素对打印成形宽度的影响。结果表明:随着载气流量增大、层数增加,纳米银导电油墨沉积成形宽度增加;在实验参数范围内,载气流量和打印层数对成形线宽影响明显,且呈正相关;线宽随着鞘气流量的增大先减小后增大;喷嘴与衬底间距在15~45 mm范围内对线宽无明显影响;在喷嘴直径为200 μm,鞘气流量为50 mL·min-1,载气流量为3 mL·min-1,喷嘴与衬底间距为3 mm,衬底移动速度为3 mm·s-1,打印层数为6~8层,加热板温度为80 ℃时,可获得最小宽度为26 μm,高度为7 μm的均匀线条,这也是纳米银导电油墨喷射打印的最优工艺参数。 相似文献
455.
纳米TiO2抑菌机理研究 总被引:10,自引:0,他引:10
在近荧光灯(10cm)照射下,纳米二氧化钛(TiO2)具有很强的光催化杀菌作用.作者通过TiO2对多种代表微生物的抑菌特性以及对TiO2光催化杀灭革兰氏阴、阳性细菌进行对比、常规培养验证和透射电镜观察得出结论:TiO2光催化灭菌首先是从细菌细胞壁开始,其产生的自由基能破坏细胞壁结构,使细胞壁断裂、破损,质膜解体,然后进入胞体内部破坏内膜和细胞组分,使细胞质凝聚,导致细胞内容物溢出,可出现菌体空化现象 相似文献
456.
以四氯化钛为原料、聚丙烯酸(PAA)为修饰剂,采用胶溶-水热处理工艺制备了超细PAA/TiO2纳米粉体.利用XRD、BET、XPS等分析技术对PAA/TiO2进行了结构表征.实验结果表明:由于PAA能有效抑制在水热过程中TiO2粒子的生长和团聚,从而制得同时具有小粒径、大比表面积、高晶化度的锐钛矿相PAA/TiO2纳米... 相似文献
457.
介绍了一种基于甲酸铜高温分解反应的纳米铜无压烧结工艺,旨在解决现有铜烧结技术中铜易氧化且需要辅助压力的问题。通过甲酸溶液对纳米铜颗粒(Cu NPs)进行预处理,生成致密的甲酸铜膜,经烧结后最终形成Cu-Cu接头。接头烧结质量试验表明,甲酸反应时间10 min、聚乙二醇(PEG)溶剂、0.048 mm砂纸打磨基材表面以及5℃/min的升温速率为最优烧结条件。在该条件下,实现了纳米铜无压烧结,制备的接头剪切强度可达16.18 MPa,电阻率低至570μΩ/m。经过200 h高温老化实验,接头的剪切强度仍可达到9.38 MPa,验证了该烧结工艺的可靠性。文中所提出的工艺为实现第三代半导体芯片的可靠互联提供了新思路。 相似文献