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31.
根据激光与材料相互作用温度是地空特性,分析了光斑尺寸对温度场的影响,并计算了防止硅钢片表面层破坏及避免产生热弯曲变形时激光脉冲能量阈值,为优化激光处理工艺参数,更有效地降低铁提供理论依据。 相似文献
32.
神经网络高炉铁水含硅量预报模型 总被引:4,自引:0,他引:4
研究了基于神经网络的高炉铁水含硅量预报模型,运用高炉生产过程中工艺参数,实现了铁水含硅量的中短期预报,仿真结果表明,本模型具有良好的预报效果。 相似文献
33.
34.
研究了有源层a-Si∶H的厚度对a-Si∶HTFT特性的影响.研究结果表明,a-Si∶H层的厚度对a-Si∶HTFT的静态特性(如开/关态电流比、阈值电压等)有较大的影响.理论分析表明,这是由于钝化层固定电荷在有源层背面引入了背面空间电荷层造成的.详细分析了背面空间电荷层对a-Si∶HTFT特性的影响,提出了一个a-Si∶HTFT有源层厚度优化设计的下限值,理论与实验相符合 相似文献
35.
利用PECVD方法及后处理工艺制备了具有室温可见光区光致发光效应的纳米晶硅(n-Si/SiO2)薄膜材料,对其光吸收,光能隙以及电导率等特性参数进行了测试研究。发现该薄膜的可见光区吸收比PECVE方法制备的微晶硅,非晶硅等薄膜的光吸收明显减弱,且光能隙增大。而电导率则大大提高,达到10-1-10-3cm-1Ω-1的量级。该材料光学性能的变化可用量子尺寸效应进行定性解释,但其电导率的大幅度增加还有待进一步的研究。 相似文献
36.
采用RF磁控溅射技术制备含纳米硅的SiO2薄膜.通过对Si-SiO2复合靶的比分进行调节控制,并在不同的温度下进行高温退火得到不同粒径的纳米硅.利用XRD对样品进行分析得出纳米硅的平均粒径;对样品测量光致发光谱,其发光峰分别位于361 nm和430 nm,比较发现光致发光的峰位随比分的改变有微小的蓝移.文中对发光机理进行初步讨论. 相似文献
37.
利用射频磁控溅射复合靶技术,通过调节复合靶的百分比制得富硅的氧化硅薄膜,并在不同的温度下退火,制得含纳米硅的氧化硅薄膜.通过Raman谱的测量,计算出800℃退火的薄膜中纳米硅晶粒的平均尺寸为5.6 nm,用X射线衍射测量同样的样品得出其粒径为6.0 nm.在室温下测量光致发光(PL)谱,探测样品的峰位为360 nm,并结合光致发光激发谱(PLE),研究相应的激发与发光中心. 相似文献
38.
NMMO工艺纤维素膜结晶结构 总被引:3,自引:0,他引:3
以纤维素为原料,N-甲基吗啉-N-氧化物(NMMO)为溶剂,采用相转化法制备非对称纤维素膜.利用X-射线衍射法对该工艺纤维素膜的结晶结构进行分析,讨论了铸膜液浓度、凝固浴温度及添加剂对膜结晶度的影响.结果表明:纤维素Ⅰ在NMMO.H2O中溶解并固化成膜后,得到的是纤维素Ⅱ,而不能形成纤维素Ⅰ;提高铸膜液中纤维素浓度、凝固浴温度及抗氧化剂(没食子酸丙酯)用量都可使该工艺纤维素膜的结晶度增大,添加少量的NH4Cl致使纤维素膜的结晶度有所下降. 相似文献
39.
40.
魏芹芹 《山东理工大学学报:自然科学版》2006,20(5):68-71
用阳极电流腐蚀法制备多孔硅(PS),并将其分散到无水乙醇中形成溶胶.用荧光光谱仪测定了多孔硅溶胶的荧光强度与浓度的关系,研究了不同表面活性剂的掺入对溶胶体系的稳定性及其荧光强度的影响.进行了多孔硅溶胶的电迁移实验,并发现不同的表面活性剂的加入可使多孔硅溶胶带不同电荷,从而使多孔硅溶胶的电迁移变的可控.用扫描电镜(SEM)和X光电子能谱(XPS)对多孔硅溶胶电迁移沉积层进行了对比分析.研究表明,溶胶体系中表面活性剂的加入对沉积层的成分没有影响,可以用这种方法实现多孔硅纳米粒子的可控组装. 相似文献