(SiC)TiN/Cu复合材料的显微组织和导电性能

以醇盐水解--氨气氮化法在SiC颗粒表面包覆TiN,然后采用放电等离子体烧结制备出(SiC)TiN/Cu复合材料.结果表明:醇盐水解--氨气氮化法能够制备出TiN包覆SiC复合粉末,TiN包覆层均匀连续,TiN颗粒的粒径为30～80nm.TiN包覆层能够促进复合材料的致密化并改善界面结合.(SiC)TiN/Cu复合材料的电导率介于15.5～35.7 m.Ω-1.mm-2之间,并且随着SiC体积分数的增加而降低.TiN包覆层和基体中网络结构TiN的存在能够有效提高复合材料的电导率.复合材料的电导率较接近P.G模型的预测值.     

A_r~+激光诱导氯气刻蚀硅

本文通过被局域刻蚀硅表面形貌的精确测量,考察了刻蚀速率对于激光功率、波长、反应室气压的依赖关系,讨论了在不同光斑尺寸和刻蚀深度下反应机理的变化,给出了衬底晶向和表面氧化层对刻蚀效果影响的一些新的结果。     

Al—11.7%Si合金锶变质效果的预报

针对Ｓｒ变质Ａｌ－１１．７％Ｓｉ共晶合金,通过实测获得冷却曲线,计算出结晶过程固相生长速率曲线。结果表明,固相生长速率最大值是表征Ａｌ－Ｓｉ合金变质效果的有效参数,通过计算机检测该参数可实现变质效果的准确预报。     

中碳高硅铸钢的复合热处理工艺

研究了成分(wt.%)为0.62C,2.0Si,1.6Mn,0.99Cr的高硅铸钢经过复合热处理(球化退火+等温淬火)的组织和力学性能.利用olympus金相电子显微镜观察组织、扫描电子显微镜分析冲击断口形貌;测试了实验钢的洛氏硬度和冲击韧性.实验结果表明,试样经过球化退火工艺之后硬度变化的幅度不大,而冲击韧性有明显地提高,试样的组织主要为下贝氏体组织,并含有少量的奥氏体.在相同的球化退火工艺下,320℃等温淬火60min,试样的硬度和冲击韧性值都较高.     

硅单晶中的氢催化氧沉淀

红外光谱法研究了硅单晶中的氢催化氧沉淀。     

结晶型二聚硅酸钠的制备

研究了合成结晶型层状二聚硅酸钠的方法。由于使用了助熔剂,使反应温度降低了200～500℃ ,从而降低了能耗。由X-Ray粉末衍射法的结果可知,合成出的产品中以所期待的δ型及其变形体β型为主,另外还有少量的α-Ⅲ型和偏硅酸钠。产品结合钙、镁离子的能力A ,B分别为:89.2～ 110.5 mg/g ,95.0～108.8mg/g。     

一种电源过压保护电路的设计

本文介绍一种用双向可控硅作为功率控制部件的电源过压保护电路.讨论了有关的技术问题.     

非晶硅太阳电池中缓变P-I异质结的光、热稳定性的研究

本文通过测量CP—I和GB—I异质结光照前、后以及在不同温度下的I—V和C—V特性,研究了光诱导和热诱导缺陷态对两种结的光稳定性和热稳定性的影响。结果表明,GBP—I结改进了P—I结的界面特性,但都明显地受到强光和高温的影响,使结特性退化。