Dielectric properties of spark plasma sintered AlN/SiC composite ceramics

In this study, we have investigated how the dielectric loss tangent and permittivity of AlN ceramics are affected by factors such as powder mixing methods, milling time, sintering temperature, and the addition of a second conductive phase. All ceramic samples were prepared by spark plasma sintering (SPS) under a pressure of 30 MPa. AlN composite ceramics sintered with 30wt%–40wt% SiC at 1600℃ for 5 min exhibited the best dielectric loss tangent, which is greater than 0.3. In addition to AlN and β-SiC, the samples also contained 2H-SiC and Fe₅Si₃, as detected by X-ray difraction (XRD). The relative densities of the sintered ceramics were higher than 93%. Experimental results indicate that nano-SiC has a strong capability of absorbing electromagnetic waves. The dielectric constant and dielectric loss of AlN-SiC ceramics with the same content of SiC decreased as the frequency of electromagnetic waves increased from 1 kHz to 1 MHz.     

多孔硅在射频/微波电路中的研究进展

多孔硅介质膜在射频/微波电路中具有很好的应用前景. 阐述了多孔硅作介质膜的优点,比较研究了不同厚度的多孔硅厚膜上平面电感器的性能参数比较和不同介质膜上螺旋电感性能比较,介绍了多孔硅在射频/微波电路的研究进展,并对存在的主要问题作了讨论.     

耐摩擦抗高温钻头胎体材料研究

主要阐述了热机钻头的工作原理及工作环境 ,论述了碳化硅 (陶瓷 )替代硬质合金作为热机钻头摩擦材料的可行性以及陶瓷热机钻头的应用效果。     

高铝硅氰化渣中铁回收工艺

研究一种处理磁选前高铝硅氰化渣的新工艺。采用复合添加剂焙烧-水浸-磁选工艺对一种铁品位为27.69%(质量分数),SiO2含量为23.9%,Al2O3含量为6.35%的高铝硅氰化渣进行杂质与铁分离的研究。研究结果表明:在最佳焙烧条件下,当水浸温度为60℃,液固比为15:1,水浸时间为5 min,转速为20 r/min,在激磁电流为2 A时,可获得铁品位57.11%,铁的回收率为72.58%的铁精矿。铁的品位和回收率都比单纯的复合添加剂还原焙烧-磁选法所获得的铁精矿的指标高,铁的品位提高了10%左右,回收率提高了30%左右。X线荧光(XRF),X线衍射(XRD)及能谱(EDS)分析研究结果表明:经水浸后,复合添加剂焙烧过程中所产生的可溶性复杂杂质化合物被洗除,不溶性物质经磁选后随之进入非磁性物,实现铁与杂质矿物之间的有效分离。     

二氧化硅增强石英纤维复合材料高温电性能温度特性

运用静电学理论,建立计算二氧化硅增强石英纤维复合材料介电参数的经验模型,实现材料高温介电性能的温度特性模拟,并对材料介电性能的变化规律作出预测.模拟结果与实际结果基本相符,为材料改性提供依据.     

类脂液晶中PC对MO构象影响及释放行为

利用傅立叶变换红外光谱(FT-IR)技术研究了盐酸普鲁卡因(PC)对类脂立方液晶中甘油单油酸酯(MO)分子构象的影响。研究表明,PC对MO分子疏水部分的影响较大,同时促进了MO分子极性头中羰基的氢键作用,证明PC可以参与形成脂质双层膜。同时研究了PC在MO/水立方液晶中的释放行为,发现PC浓度不同时,其释放行为相似,释放的两个阶段都符合Higuchi平方根定律。     

云南德宏硅工业发展问题探析

发展德宏硅工业,必须坚持以科学发展观为指导,从战略高度进行系统思考,充分把握当今世界经济发展的新趋势和国家经济社会发展的新形势给其发展带来的机遇和挑战,清楚认识其自身存在的优势和劣势,并在此基础上结合当地实际情况进行整体谋划,明确其发展定位,理清发展思路,才能促进德宏硅工业的可持续发展。     

编码真核启动因子4E的毛尖紫萼藓基因GH425电子克隆及验证分析

GH425基因(genebank EST#:GPE204)来自毛尖紫萼藓干旱胁迫cDNA文库。本实验在小立碗藓核酸数据库中,以GH425基因为基因探针进行电子克隆,最终得到全长序列GH425NO.1。经ORFfinder分析,以最长ORF设计引物,对毛尖紫萼藓进行RT-PCR验证,得到了与之对应的条带,证明了毛尖紫萼藓中含有电子克隆的片段,即电子克隆结果正确。经Blastx分析,确定该序列编码真核启动因子4E。     

硅作为元素名一开始就读作gui而不读作xi

之前有文章论证了元素硅始造出后读作xi。经调研大量公开发表的文献,推定硅作为元素的中文名一开始就读作gui,而不读作xi。     

金属-有机-金属电激发表面等离激元器件

在p型硅衬底上, 制备了金属-有机-金属(metal-organic-metal, MOM)电激发表面等离激元器件。器件结构是p-Si/Au/V₂O₅/NPB/Alq₃:DCM/Sm/Au, 掺杂DCM的Alq₃为发光层。高倍显微镜下, 器件侧面发光图像显示, 绝大部分光被限制在双金层结构波导中传播。采用微区共焦拉曼光谱仪, 分别测量了侧面出射的非偏振模式、TM模式和TE模式电致发光谱。TM模式强度约为TE模式强度的2倍。分析认为, 具有TM偏振特性的表面等离激元(surface plasmon polariton, SPP)在侧面电致发光中起重要作用。 发光体的能量耗散谱表明SPP模式能量约占总能量65%。利用时域有限差分法(finite-different time-domain, FDTD)对简化结构进行模拟, 得到了泄漏模和SPP模式的二维电场强度分布。