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121.
新疆西天山西段位于哈萨克斯坦 -伊犁板块的东南部边缘 ,包括伊犁石炭纪裂谷、那拉提地块、哈尔克早古生代被动陆缘褶皱带。主要已知矿床 (点 )按其容矿围岩可分为镁铁 -超镁铁岩型、斑岩型、花岗岩型、矽卡岩型、陆相火山岩型、陆相沉积岩型、浅变质含碳碎屑岩型。根据区内成矿地质条件、矿化特征 ,区内以找金矿主 ,兼顾铜镍矿等。金矿以穆龙套型和火山岩型金矿为主 ,同时注意卡林型和中 -酸性侵入岩内外接触带型 ;铜矿以镁铁 -超镁铁岩型和火山岩型为主。地质与成矿条件与中亚成矿域具有可比性 ,因此 ,新疆西天山西段金铜成矿带应为中亚成矿域东延部分 相似文献
122.
四川盐源西范坪斑岩铜矿床中存在大量钾长环斑结构。研究表明这一结构是由正在冷凝的岩浆分泌出的成矿流体与刚结晶的斜长石相互作用形成的。在流体 -矿物相互作用过程中 ,流体从已经结晶的矿物尤其是黑云母中萃取出大量铜等成矿物质 ,从而进一步提高了体系的成矿能力。钾长环斑结构的出现不仅为矿床的岩浆热液成因提供了佐证 ,而且是一种良好的找矿标志。 相似文献
123.
建立了用于新药阿斯匹林铜的高效液相色谱分析方法 .采用YWG C1 8柱 ,在室温下 ,n(乙腈 )∶n(水 )(内含 0 .2 %三乙胺 ,用H3 PO4调pH值至 2 ) =32∶68为流动相 ,药用标准品阿斯匹林和水杨酸为对照品 ,在紫外 2 30nm处检测阿斯匹林和水杨酸的含量 ;阿斯匹林铜和水杨酸铜的最小检测限为 0 .0 52mg·L-1 ,0 .0 4mg·L-1 ;阿斯匹林铜和水杨酸铜的平均回收率为 99.7% ,99.9% . 相似文献
124.
CSP薄板表面裂纹的形成机理与预防措施 总被引:9,自引:1,他引:9
对薄板坯连铸连轧生产线(CSP)生产的钢板出现表面裂纹及边裂进行了研究,并对CSP钢板表面裂纹的形成机理及其影响因素进行了分析,提出了防止裂纹的措施.X-射线能谱分析结果表明:在基体与氧化铁皮间的界面富集有铜等低熔点杂质元素,钢中残余元素含量偏高是产生表面裂纹的主要原因. 相似文献
125.
甲醇氧化羰基合成碳酸二甲酯原位红外研究 总被引:3,自引:0,他引:3
采用原位红外技术对甲醇氧化羰基合成碳酸二甲酯反应机理进行了系统的研究,原位红外实验结果表明,氧气在负载的Cu基催化剂上发生解离吸附,CO在催化剂表面的吸附为弱吸附,氧气与CO在催化剂表面发生共吸附,甲醇在催化剂表面吸附后产生甲氧基,压力提高有助于甲氧基的生成,吸附态的甲氧基诱导弱吸附的CO进行插入反应是生成碳酸二甲酯的途径,同时,原位红外技术研究结果表明,在碳酸二甲酯合成过程中,存在甲氧基与离解的氧进一步作用生成副产物CO2和H2O的可能,因此,应控制应料中O2的浓度为适宜值。 相似文献
126.
合成出化学式为 { [Cu(tren) ]2 (μ2 -CO3) } (ClO4 ) 4·H2 O(tren为N_氨乙基_二乙烯三胺 )的配合物。该配合物经过元素分析、红外和紫外 -可见光谱等结构分析 ,研究结果表明Cu (Ⅱ )具有三角双锥的配位构型 ,并被碳酸根CO2 -3阴离子桥联形成三核Cu (Ⅱ )配合物。变温 (5~ 30 0K)磁化率被测定和拟合 ,计算结果表明标题配合物中Cu (Ⅱ )离子之间存在着弱的铁磁性相互作用。 相似文献
127.
在含Cu^2 甲酸溶液的连续光催化氧化实验中,意外地观察到一个恒定的COD去除现象,归因于铜离子的光沉积和沉积铜的氧化溶解的循环过程,这一机理通过扫描电镜测试及pH值,铜离子浓度和光电流在反应过程中的涨落现象得到初步的证实。 相似文献
128.
利用花卉植物瓜叶菊,对排施于淤泥中的重金属铜离子的实验室内静态净化实验研究表明,瓜叶菊对淤泥中的Cu2+具有明显的吸收去除效果,富集强弱为根>茎>叶,最大富集能力分别为76.2%、64.7%、60%,说明瓜叶菊能明显改善铜污染状况.并通过丙二醛含量、过氧化氢酶含量和质膜透性的变化,探讨了其生理机制. 相似文献
129.
用离子浮选法以C_(5-9)异羟肟酸为捕收剂,在一定条件下分别得到Cu~(2+),Ni~(2+),zn~(2+)与C_(5-9)异羟肟酸形成的螯合物沉淀浮渣。用红外光谱法对其浮渣结构进行分析,结果表明:Cu~(2+),Ni~(2+),Zn~(2+)与异羟肟酸的配位方式基本相同,即: 相似文献
130.
金属有机聚合物一般通过金属有机化合物单体聚合来制备,但由于单体制备困难、性能不稳定,其发展受到限制.本文提出了用低压直流电弧等离子喷射法将有机单体和金属直接合成金属有机聚合物薄膜的方法,成功地制备了铜与丙烯腈、丙炔腈的金属有机聚合物薄膜.红外光谱和电子能谱的分析结果表明:聚合物薄膜中含有环状共轭结构,铜与聚合物以共价键、配位键结合.用改进的四探针法进行测量,铜与丙炔腈聚合物薄膜的电阻率在10~0~10~3Ω·cm范围内,铜与丙烯腈聚合物薄膜的电阻率在10~6~10~7Ω·cm范围内。 相似文献