一类具混合变元时滞微分方程解的振动性

利用极限的方法研究一类具混合变元时滞微分方程的解，得到了解振动的充分性判据。     

非线性拟抛物型复方程Riemann初边值问题近似解的误差估计

本文利用文献［１］中的先验估计，给出文献［１］中近似解的误差估计。     

一阶非线性时滞微分方程解的振动性

给出了一阶非线性时滞微分方程解的振动性的一个充分条件。     

φ16cm宽束离子源的设计

本文介绍了一种口径为φ１６ｃｍ的宽束离子源的设计．该源采用了多极场型放电室，结构紧凑合理，便于清洁维修以及更换离子引出系统．使用二栅引出系统时，可获得５０～１５００ｅＶ的离子束．距源１０ｃｍ处，５００ｅＶ的氩离子束的束流密度可达０．９５ｍＡ／ｃｍ２，且±８％均匀性的均匀区域达φ１４ｃｍ．     

特解函数插值法解薄板弯曲问题

本文采用薄板弯曲问题中的基本解，按一定的规律将它们的源点布置在板外，来构造整个板平面内及边界上的插值函数．利用这一插值函数，通过板的边界条件所确定的Ｂ知边界节点值便可直接确定板内及边界上任意一点的挠度、转角及其它物理量．从这一插值函数所需满足的插值条件可谁知，这一插值解完全等同于该问题的边界该全特解场法．同样不必积分，避免奇异处理．计算非常方便、精度特高     

标定气体流量计的热力学方法

本文分析了用热力学原理精确测定喷管流量系数的方法，在此基础上提出了标定气体流量计的喷管装置，并用微机系统进行检测运算，这种装置结构简单，准确可靠。     

背面氩离子轰击改善MOS系统界面特性和击穿特性

在室温下用低能量Ａｒ＾＋轰击ＭＯＳ电容器肾面，能改善ｉＯ２－Ｓｉ系统的界面特性和击穿特性。结果表明，随着轰击时间的增加，固定电荷密度、界面态密度和漏电流减少，高场击穿的比率增大，然后这些参数变化平缓并开始呈恶化趋势。轰击能量为５５０ｅＶ和束流密度为０．５ｍＡ／ｃｍ＾２时的效果比在３５０ｅＶ和０．３ｍＡ／ｃｍ＾２时的好。     

由Dirac方程研究Kerr黑洞的新方法

从Dirac方程出发，经广义Tortoise坐标变换后，在视界曲面附近求解直接导出Kcrt黑洞的视界位置及视界表面重力，证明了Kerr黑洞的视界是球对称的。     

隐式微分方程的存在唯一性定理

本文应用压缩映象原理证明了一阶隐式微分方程解的存在唯一性定理。本定理可以看成是Ｐｉｃａｒｄ存在唯一性定理的推广。     

非线性二阶泛函微分方程解的振动性

本文研究了非线性二阶泛函微分方程解的振动性。本文的结论推广和改进了已知的一些结果。