非共沸混合工质R22／R152a水平单管外凝结换热的实验研究

在系统温度为３０℃时，对纯工质Ｒ１２、Ｒ１５２ａ及五种Ｒ２２组分浓度配比下Ｒ２２／Ｒ１５２ａ非共沸混合工质，在水平单管外凝结换热特性进行实验研究。实验结果表明：（１）在五种Ｒ２２组分浓度配比下Ｒ２２／Ｒ１５２ａ混合工质的管外凝结换热系数均低于纯质Ｒ１５２ａ，但高于纯质Ｒ１２；（２）对于光管，Ｒ２２／Ｒ１５２ａ管外凝结换热系数是纯质Ｒ１２的１．３４￣１．４３倍。低助管为１．１５￣１．３５倍、双侧强化     

等离子体增强CVD氧化硅和氮化硅

利用红外吸收谱等微观分析对氧化硅和氮化硅薄膜的成分和结构进行了研究。采用高频Ｃ－Ｖ测试和准静态离子电流法测量了氧化硅、氮化硅及其复合膜的界面特性，结果表明ＰＥＣＶＤＳｉＯ２－ＳｉＮ双层结构的复合膜对半导体器件表面有良好的钝化效果。     

光学介质膜在短型格兰.汤普逊棱镜中的应用

提出了一种冰洲石晶体－光学介质膜结构的短型格兰．汤普逊棱镜设计，研究了全反射光在薄膜上的透射深度，以及透射深度与棱结构角和光波长的关系。     

单晶硅衬底上金刚石成核密度的研究

本文研究了用热灯丝化学气相沉积方法在单晶硅衬底上制备金刚石薄膜时其成核密度与制备条件的关系。结果表明,衬底表面状态、衬底温度、灯丝温度、灯丝与衬底表面间距离等对金刚石成核密度有明显的影响,且表面状态的影响最大。     

GD a-C:H膜对硅半导体器件的钝化作用

将氢化非晶碳薄膜(GDα-C:H)应用于硅半导体晶体管的表面钝化,取得了与α-Si:H 膜相类似的效果。对α-C:H 的钝化机理进行了初步探讨。     

铬电沉积过程及H2SO4的作用

在铬镀液(CrO_3/H_2SO_4=250/2.5Wt.)中,电流扫描实验结果表明,铬在玻璃碳电极上沉积需要成核过电位;而在铜电极上不需要成核过电位,其晶核由电极表面氧化膜(CuO CrOH)还原生成的金属Cr提供。铬电沉积前后,CrO_3还原机理不同,H_2SO_4 的作用也不同,沉积前,H_2SO_4的作用主要是活化电极表面,促使CrO_3还原,同时还使表面氧化膜溶解。沉积后,H_2SO_4 则起着保持电极表面附近阴极膜相对稳定的作用,还可能与 Cr(Ⅳ)形成易还原的配合物。     

硫化锌发光薄膜中铒发光中心

观察硫化锌发光薄膜中铒离子各激发态发射光谱的瞬态特性,测量时间常数随外加电压的变化规律,分析硫化锌薄膜中铒发光中心的能量状态。     

新型絮凝—缓蚀剂处理油田污水的研究

以油田污水为处理对象，系统地研究了新型絮凝-缓蚀剂（ＣＭＴ-Ａ）的絮凝和缓蚀性能．试验结果表明，ＣＭＴ-Ａ不仅有优异的絮凝净水能力，而且对污水的腐蚀有良好的抑制作用，特别是对点蚀有突出的抑制效果．本文对ＣＭＴ-Ａ的絮凝-缓蚀机理也作了探讨．     

电子束蒸发a－Si_（1－x）Cr_x薄膜的电导特性研究

本文研究了电子束蒸发的掺过渡金属元素Ｃｒ的非晶硅基薄膜ａ－Ｓｉ_（１－ｘ）Ｃｒ_ｘ的变温电导特性。实验结果表明，ｘ≤１０ａｔ％的组分范围内，室温电导率由８．７×１０－７增大到７．２×１０－１Ω－１·ｃｍ－１；在２９０Ｋ到５００Ｋ的范围内，薄膜的电导机制为载流子激发到导带扩展态的传导导电和ＥＦ附近的杂质定域态的载流子热激活的跳跃导电，Ｃｒ３＋离子在非晶薄膜中的存在形式，它对硅悬挂键的补偿以及掺Ｃｒ引人的结构无序是决定薄膜电导特性的主要因素。