衬底温度对磁溅射生长氮化碳薄膜的影响

通过非平衡磁溅射方法和改变衬底温度，在单晶Si（001）衬底上制备氯化碳薄膜材料．实验结果表明，氮化碳薄膜的沉积率、氮原子质量分数皆与衬底温度有关，薄膜中的氮原子与处于sp2和sp3杂化状态的碳原子相结合．随着衬底温度的改变，氮原子与处于这两种状态的碳原子结合的比例也发生改变．     

用IR及XPS研究Photo-CVD SiO2薄膜特性

在低温下采用以低压Xe气激发真空紫外光作光源,以SiH4和O2作为反应气体的直接光CVD技术在硅衬底上成功地淀积出SiO2薄膜.用红外光谱分析发现,薄膜中未出现与Si-H、Si-OH相应的红外吸收峰,Si-O伸缩振动所对应的吸收峰峰位在1 054～1 069 cm-1之间;通过高频C-V特性曲线计算出SiO2-Si系统中固定氧化物电荷密度在2×1010～3×10 11cm-2范围内;XPS分析表明,SiO2薄膜中Si的2p能级结合能为103.6 eV,界面处亚氧化硅的总含量为每平方厘米3.72×1015个原子.     

STM and XPS study on the self-assembled films of Schiff base on copper surface

SAMs (self-assembled monolayers) of Schiff base were prepared on the copper surface, and characterized by the modern technique of surface analysis. The results demonstrated that the well-ordered and densely packed SAMs of N-2-hydroxyphenyl-(3-methoxy-salicylidenimine), designated as V-bso, were formed on the Cu(111) surface. And two benzene rings in the V-bso molecule were not flat on the copper surface, but tilted at a certain angle. The development of this new system of self-assembly would be of significance to the application of the SAMs in the field of metal corrosion and protection.     

钐配合物[Et_4N][Sm(S_2CNEt_2)_4]的合成和表征

用含水稀土钐氯化物SmCl_3·6H_2O和NaS_2CNEt_2·3H_2O反应,然后加入溴化四乙基铵,生成钐配合物[Et_4N][Sm(S_2CNEt_2)_4]黄色晶体。对该配合物的红外光谱、固体反射光谱、X射线光电子能谱和电氧化还原性质进行了详细的研究。     

聚酯薄膜的表面化学

聚酯(即聚对苯二甲酸乙二酯,PET)薄膜是一种性能优异的高分子材料,用途广泛。在加工应用中人们都会遇到它的表面化学问题,如润湿、吸附、粘接等。本工作用光电子能谱(XPS)及扫描电镜(SEM)考察聚酯薄膜的表面结构,用接触角的测定研究聚酯薄膜的表面性质。 样品 聚酯电容器薄膜,日本Toray公司产品,C20型,厚度6μm。     

由氨解法制备的Si_3N_4粉末的表面元素状态

用XPS表面分析,研究了由氨解法在不同温度下热解所得的Si_3N_4粉末,并与由硅粉氮化所得的商用Si_3N_4粉末作了比较。由氨解法制备的Si_3N_4粉末其表面存在两种状态的氧:结合状态的氧和吸附态的氧,其表面组成为Si_(2.2-2.7)N_(2.9-3.7)O。由硅粉氮化所制得Si_3N_4其表面也存在两种状态的氧,其表面组成则为Si_(0.8)N_(0.8)O。     

AMT及其复合物在青铜表面形成保护膜的耐蚀性研究

经AMT复合物处理的青铜表面上形成的保护膜,通过电化学方法、盐雾试验、湿热试验和盐水浸渍试验结果表明其耐蚀性优于AMT和BTA 在青铜上形成的膜. AMT复合物已应用于战国时期青铜文物保护中,使青铜文物呈现"不改变文物原貌"的要求,并将此青铜文物置于冷热和干湿的环境下,历经4 a观察,未发现任何变化.此外,通过XPS、AES和STM分析表明AMT及其复合物在青铜表面上形成保护膜的结构为Cu|Cu2O|Cu+AMT,并由STM分析观察得到膜的微观结构特征是由一种结构单元呈线性,各线型结构单元之间是相互平行或呈一定角度排列在青铜表面上,且层与层之间是交错排列的致密的有机络合聚合物膜,揭示青铜上形成保护膜具有优良的耐蚀性的机理.     

Solvothermal synthesis of crystalline carbon nitrides

A solvothermal reaction of anhydrous C3N3Cl3 and Li3N using benzene as the solvent has been carried out to prepare crystalline carbon nitrides successfully at 350 ℃ and 5-6 MPa ,X-ray diffraction (XRD) indicated that the major part of our brown sample was mainly composed of α－C3N4 and β-C3N4 with lattice parameters of a=0.65nm,c=0.47 nm for α－C3N4 and α=0.644nm,c=0.246nm for β-C3N4,which match the latest ab-initio calculations quite well,The N/C ratio in the powder is about 0.66 The Fourier transform infrared spectroscopy (FTIR) and X-ray photoeletron spectroscopy (XPS) analyses suggested the presence of both single and double carbon-nitrogen bonds,The kinetics effect of our solvothermal reaction to prepare crystalline carbon nitrides are also discussed chiefly.     

氟化物溶液腐蚀后硅表面形态的STM与XPS研究

利用扫描隧道显微技术(STM)和X-射线光电子能谱(XPS)技术。研究了Si(111)在几种不同比例的NH4F-HCl溶液中被腐蚀后的表面形态及洁净度。通过分析表面的STM图像与XPS谱图，表明在较高pH值的NH4F-HCl 溶液中被腐蚀的Si(111)表面粗糙度较小，且表面洁净度及化学稳定性较好。