羟基对压载水中三态氮影响的实验研究

在强电离电场作用下,利用H2O和O2制成高浓度羟基溶液,处理压载水取得明显效果．针对处理后的水质问题,模拟低浓度羟基溶液处理船舶压载水过程,检测了其中三态氮的变化情况．实验结果显示,当羟基比值浓度达到0．68mg／L,亚硝酸盐含量降低了69％,氨氮含量也有所降低,硝酸盐的含量略微增加,并且在培养24h和48h后含量很稳定,表明了羟基溶液对压载水中的无机氮在三个价态上的分布更趋于无害,改善了水质,进而说明了羟基治理压载水的方法是可行的．     

香港电影文化生态研究

香港电影以其自在的生存方式打造了独特的化景观。香港电影深谙大众消费时代的整体特征,将商业与利润作为电影创作的首要前提,直接影响了香港电影化生态的形成。旨在从商品化、世俗化、标准化三个方面研究香港电影的化生态。     

电动汽车能量管理系统的研究

针对电动客车行驶工况对能量的需求,对动力电池和超级电容器电动客车的能量管理系统的控制策略进行了研究.采用模糊控制理论建立了控制策略模型,并用Matlab Simulink编程实现了该仿真系统.仿真结果表明:采用速度控制策略和电流约束控制策略后,在相同条件下车辆的动力性能得到了提高,可避免动力电池的过电流充放电.对安装了超级电容器和未安装超级电容器的电动客车分别在市区和市郊循环工况下计算平均比能耗.结果表明:超级电容器在市区循环中能够降低能耗.通过对电动低地板公交客车场地试验,验证了仿真得出的结论.     

面向反射程序设计方法

反射由于自身所具有的描述自身和动态修改自身的独特能力而受到越来越多的关注,在许多应用领域展开了相应的研究和应用.针对目前国内外发展趋势,在介绍反射思想的基础上,系统论述了反射的基本概念、反射的分类、反射理论、反射的语义及其在应用领域的发展.概述了当前反射应用特别是在程序设计领域发展的现状,分别总结了反射在函数式、过程式以及面向对象语言中的反射的实现技术,并对不同的反射实现技术作了系统的分析和比较,总结了不同模型的优点和缺点以及当前适用的反射模型,进而给出不同情况下,选用不同的适用模型的方法.最后提出如何结合部分求值技术提高反射技术的效率,是今后需要进一步研究的工作.     

用于纳秒级脉冲电场测试的加载天线研究

针对宽频带、大动态、高灵敏度的脉冲电场测试技术始终是电磁脉冲测试研究领域的1个难点,在国家自然科学基金资助下,研制成功了V型加载偶极子天线测试系统,并通过传输函数、方向图实验、计量标定和测试实验验证表明:该测试系统具有宽频带、快响应、小失真的特点,能够满足小于1 ns的静电放电辐射场的测试要求。     

磁控反应溅射直接生长绒面H化Ga掺杂ZnO-TCO薄膜及其特性研究

采用直流磁控溅射技术,在玻璃衬底上直接生长出了具有绒面结构的H化Ga掺杂ZnO(HGZO)薄膜。研究了H2流量对薄膜结构、表面形貌及光电特性的影响。实验表明,在溅射过程中引入H2明显改善HGZO薄膜电学性能,并且能够直接获得具有绒面结构的薄膜。在H2流量为2.0sccm时,所制备的HGZO薄膜具有特征尺寸约200nm的类金字塔状表面形貌,同时薄膜方阻为4.8Ω,电阻率达到8.77×10-4Ω.cm。H2的引入可以明显改善薄膜短波区域的光学透过,生长获得的HGZO薄膜可见光区域平均透过率优于85%,近红外区域波长到1 100nm时仍可达80%。为了进一步提高薄膜光散射能力和光学透过率,根据不同H2流量下HGZO薄膜性能的优点,提出了梯度H2技术生长HGZO薄膜;采用梯度H2工艺生长获得的HGZO薄膜长波区域透过率有了一定的提高,薄膜具有弹坑状表面形貌,并且其光散射能力有了明显提高。     

退火对非晶态碲镉汞薄膜稳定态光电导的影响

利用射频磁控溅射方法,在宝石衬底上制备了非晶态碲镉汞(a-HgCdTe)薄膜。对原生a-HgCdTe薄膜进行了不同退火时间和不同退火温度的热退火,在80～300K温度范围内,分别测量了原生和退火处理后的a-HgCdTe薄膜样品的稳定态光电导,研究了退火时间和退火温度对非晶态HgCdTe薄膜的稳定态光电导和激活能的影响。结果表明,原生和退火a-HgCdTe薄膜的稳定态光电导具有热激活特性;随着退火时间增加或退火温度升高,a-HgCdTe薄膜的晶化程度提高,导致光电导增大,光电导激活能降低。利用非晶-多晶转变机制讨论了实验结果。     

IWO缓冲层对MOCVD-ZnO:B薄膜性能的影响研究

金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术生长的绒面ZnO透明导电(ZnO-TCO)薄膜应用于Si基薄膜太阳电池上能够形成"陷光结构",以提高薄膜太阳电池效率和稳定性。本文将电子束反应蒸发技术生长的掺W的In2O3(In2O3:W,(IWO)薄膜作为缓冲层,应用于MOCVD-ZnO:B薄膜与玻璃之间,可促进ZnO:B薄膜的生长,并且有效提升薄膜的光散射特性。当IWO缓冲层厚度为20nm时,获得的IWO/ZnO:B薄膜的电阻率为2.07×10-3Ω.cm,迁移率为20.9cm2.V-1.s-1,载流子浓度为1.44×1020 cm-3;同时,薄膜具有的透过率大于85%,且在550nm处绒度较ZnO:B薄膜提高了约9.5%,在800nm处绒度较ZnO:B薄膜提高了约4.5%。     

分子（HX，X=F，CI，Br）的电学性质的全相对论研究

基于全对称群的Dirac方程,研究分子（HX,X=F,C1,Br）的电学性质,即偶极矩,四极矩,电场梯度和极化率及其随频率的变化．对这种轻元素分子的相对论和非相对论的能量差,即相对论效应随原子质量的增加仍然很快．偶极矩的电荷平衡分布,HF的差别最大,而对四极矩的电荷平衡分布,则HBr的差别最大．电偶极矩的一级近似是主要部分,电四极矩为二级近似则为次要部分．本文首次将力常数与电场梯度联系起来,因为从本质上讲,力常数是直接原因于电场梯度,而间接与光谱常数有联系,所以可由电场梯度可以计算分子的二阶力常数和谐振频率,对分子HF,HC1,HBr,其计算值与光谱值相合．计算所用的频率的数量级在108Hz范围,即在很低的射频区．极化率不应随频率而变化,但是,由于存在核自旋,如H核和F核的核自旋I均为1／2,C1和Br核的核自旋I均为3／2,都会产生核磁场．所以,对HF,HCl和HBr分子,极化率都随频率而增加;而对。He原子,无核自旋,亦无核磁场,所以极化率不随频率而变化．     

镍基合金和铬在高温下的腐蚀电化学特征

利用动电位极化和电化学阻抗(EIS)方法,分别研究了纯铬以及镍基合金UNS N08028在140℃和160℃两种温度下高含H2S/CO2环境所成钝化膜的电化学行为.结果表明:两种成膜条件下028合金钝化膜的耐蚀性优于纯铬.EIS表明电化学阻抗谱均有明显的容抗弧特征,028合金显示单一的容抗弧,纯铬在低频区显示扩散阻抗控制.