Ti－H合金中γ氢化物与α－Ti界面结构的HRTEM研究

通过高分辨电子显微术（ＨＲＴＥＭ）研究了Ｔｉ－２１．７％（原子分数）Ｈ合金中γ氢化物与α－Ｔｉ基体之间的界面结构．取向关系为＜２　０＞α／／＜１１０＞γ，｛０　１　０｝α／／｛１　０｝γ的α／γ界面从［０００１］α，［２　０］α和［２　３］α．三个方向进行观察．结果表明：（０　１　０）α／（１　０）。界面保持共格关系，并且发现γ氢化物的长大是通过α／γ界面上的台阶的形成和侧向扩展而进行的．     

关于Meyer—Konig—Zeller算子

本文给出了Ｍｅｙｅｒ－Ｋｏｎｉｇ－Ｚｅｌｌｅｒ算子的一个新的逼近阶估计，推广了文〔１〕中的结果。     

非晶态Te_（81）Ge_（15）Sb_4薄膜材料的电学性能

对用熔体淬火再真空蒸发所制备的非晶态Ｔｅ＿（８ｌ）Ｇｅ＿（１５）Ｓｂ＿４薄膜的伏－安特性，直流电导率及玻璃转变温度等性能进行了研究。结果表明，这种材料具有较好的开关效应及较高的热稳定性，可用作开关器件等。     

英语构词活前缀anti-的剖析

英语活前缀anti-是现代英语中构词力最强的词缀之一。随着其构词力的不断增强，这个前缀的构调特点有了新的变化，语义范围也得以进一步的扩展。本文对前缀anti-的构词特点与变化进行探讨，对其语义特点和范围进行研究，以阐明这个前缀的应用规律，便于人们在阅读、翻译和撰写英语文章时，能正确理解和运用这个前缀及其派生词。     

气相法制备N－乙基苯胺催化剂的研究进展

对苯胺、乙醇气相Ｎ－乙基化反应催化剂的制备及其活性进行了评述，特别是对近十年来的发展作出了较详细而深入的论述，指出研制这类反应催化剂的重要性和今后的发展方向。     

高频MOS－CV特性的界面态形变及其测量

讨论了工艺过程中产生的界面态陷阱电荷Ｑ（ｉｔ）对高频ＭＯＳ－ＣＶ特性线的形变规律，提出了一种沿电压方向形变的数据处理方法，以此算出Ｑ（ｉｔ）密度在禁带中的分布，并对常规高频ＣＶ法的测量误差作了讨论和修正，由于数据的采集和处理可以由微机完成，使这种方法变得简便、准确并易于在工艺线上推广使用。     

He—Ne激光器的非稳定性研究：一个简化理论模型

本文从简化的激光方程出发，引入周期调制，建立－理论模型。数值计算表明，在某一参数范围内，发现方程中存在倍周期分周序列至混沌，理论与实验符合较好。     

Feller—Trotter算子的局部饱和定理

利用Bajsanski-Bajanic抛物线引理建立Feller-Trotter算子的局部小“ο”饱和定理,进一步地应用所得到结论建立了(C_)类算子半群概率表示的局部饱和定理。