激光蒸发产生的GaxAsy—,GaxPy—与InxPy—及其质谱

在自制的激光等离子体源飞行时间质谱计上,以脉冲激光束轰击砷化镓、磷化镓、磷化铟等由Ⅲ A族和Ⅴ A族元素组成的半导体材料,可以产生Ga_xAs_y~-、Ga_xP_y~-与In_xP_y~-等二元原子簇负离子,质谱分析发现,在这些负离子中,所有含奇数个原子的簇离子的信号强度相对较高,说明这些原子簇均具有特殊的电子构型。     

近年来半导体激光的进展

本文综述了近年来半导体激光研究方面的重要进展，着重分析比较了半导体激光的振荡条件，横模特性、输出功率及效率，温度特性，介绍了各种短波段半导体激光。     

半导体中深能级的磁光关联效应

本文以掺金硅为样品,研究了在光注入时磁场对样品中深能级的影响,以及磁场方向改变对深能级的影响等问题,并在理论上对这些问题加以探讨.     

《半导体制造技术》双语教学的尝试和探索

“半导体制造技术”作为集成电路设计理论与其后端生产技术的知识纽带,对电子类专业学生面向集成电路科学的专业学习、兴趣挖掘及工程实践技能培养起着重要的作用。考虑半导体集成电路技术具有理论前沿性、发展快速性、应用普适性的特点,该文结合目前“国际化加专业化”的电子类专业人才培养目标,探讨采用双语教学模式的必要性和意义。提出“双语辅助专业”教学的改革思路,从教材、教学方法和课程体系改革三方面论述该专业课程改革的构想及成效。     

光声气体检测系统中半导体激光器的波长调制

在光声光谱法气体检测中,因为激光器发光波长需与待测气体吸收峰严格匹配,所以需对激光器波长精确调谐.由于半导体激光器发光的波长与温度、驱动电流间有确定的关系,采用波长调制的方法,在一定精度的温度控制下,对波长进行扫描,可确保激光器驱动信号在一个周期内能够产生稳定的光声信号.实验表明,该方案能满足光声气体检测系统的要求.     

GaAs光电导开关激子效应的光电导特性

从GaAs光电导开关的激子效应和光激发电荷畴理论基础出发,研究了强电场触发下GaAs光电导开关激子效应的光电导特性;光激发电荷畴与激子效应的相互作用以及激子的形成、传输及离解过程形成自由电子和空穴,为激子激发光电导提供了必要的条件。影响激子效应的光电导特性的主要因素有:激子能级的吸收,束缚激子及光激发电荷畴引起的能带重整化效应,多声子跃迁,束缚激子沿位错线发生分裂和漂移。在上述因素的相互耦合作用下,使得GaAs光电导开关激子效应的光电导呈现出一定的振荡特性。     

Pulsed metal organic chemical vapor deposition of InAlN-based heterostructures and its application in electronic devices

As a promising group III-nitride semiconductor material, InAlN ternary alloy has been attracted increasing interest and widespread research efforts for optoelectronic and electronic applications in the last 5 years. Following a literature survey of current status and progress of InAlN- related studies, this paper provides a brief review of some recent developments in InAlN-related III-nitride research in Xidian University, which focuses on innovation of the material growth approach and device structure for electronic applications. A novel pulsed metal organic chemical vapor deposition （PMOCVD） was first adopted to epitaxy of InAlN-related heterostructures, and excellent crystalline and electrical properties were obtained. Furthermore, the first domestic InAlN-based high-electron mobility transistor （HEMT） was fabricated. Relying on the PMOCVD in combination with special GaN channel growth approach, high-quality InAlN/GaN double-channel HEMTs were successfully achieved for the first time. Additionally, other potentiality regarding to AlGaN channel was demonstrated through the successful realization of nearly lattice-matched InAlN/AlGaN heterostructures suitable for high-voltage switching applications. Finally, some advanced device structures and technologies including excellent work from several research groups around the world are summarized based on recent publications, showing the promising prospect of InAlN alloy to push group III-nitride electronic device performance even further.     

半导体器件非线性系统的人工粘性有限元解法

文中采用有限元方法对动力模型进行了数值仿真.首先推导出动力模型的数学模型,即一非线性偏微分方程组,然后给出了对应于偏微分方程组的变分问题.为了对变分问题进行数值求解,应用有限元方法得到了对应的非线性方程组.由于动力模型的强非线性性,在数值求解中采用了人工粘性技术,根据动力模型偏微分方程组的具体特征,提出了具体的人工粘性方法.最后分别通过一维的n -n-n 硅二极管和二维的 GaAs MESFET算例,验证了算法的有效性.     

随杂质位置的变化异质结中的束缚极化子的性质

本文对GαAs/AlxGα1-xAs异质结,采用三角势近似异质结势,考虑外界恒定电场以及体纵光学声子和两支界面光学声子的影响,应用改进的LLP中间耦合方法处理电子-声子相互作用和杂质-声子相互作用,计算了极化子结合能随电场强度、杂质位置和电子面密度的变化关系.结果表明：结合能随电场的增强而缓慢增大.IO声子对结合能的负贡献受电子面密度的影响显著增加,LO声子的负贡献相对IO声子贡献较小.另外,三角势的选取说明,导带弯曲引起的势垒变化不容忽视.还须指出的是,电子像势对结合能的影响很小,可以忽略.