半导体加热器性能的优化分析

应用非平衡态热力学及有限时间热力学理论导出半导体加热器在导热、热漏及焦耳热等三种主要不可逆因素影响下的供热率和供热系数,并由此讨论了加热器的优化性能,得到一些对半导体加热器的最佳设计和运行均有指导意义的结论。     

烧结氧化铁电极的阻抗谱研究

本文通过测量耗尽层电容,确定了N型和P型两种电极在碱性溶液中的平带电势及导带和价带位置,得出了一个详细的能级图,并利用N型和P型两种电极构成了一个光化学电池,即可得到光解水的目的.     

Gd–La codoped TiO_2 nanoparticles as solar photocatalysts

Gd–La codoped Ti O2 nanoparticles with diameter of 10 nm were successfully synthesized via a sol–gel method. The photocatalytic activity of the Gd–La codoped Ti O2 nanoparticles evaluated by photodegrading methyl orange was significantly enhanced compared to that of undoped or Gd or La mono-doped Ti O2. Ti4+tmay substitute for La3+tand Gd3+tin the lattices of rare earth oxides to create abundant oxygen vacancies and surface defects for electron trapping and dye adsorption, accelerating the separation of photogenerated electron–hole pairs and methyl orange photodegradation. It is believed that the formation of an excitation energy level below the conduction band of Ti O2 from the binding of electrons and oxygen vacancies decreases the excitation energy of Gd–La codoped Ti O2, resulting in versatile solar photocatalysts. The results suggest that Gd–La codoped Ti O2 nanoparticles are promising for future solar photocatalysts.     

浅谈增强MD机的抗震措施

简述了MD机如何利用半导体存储器进行增强抗震能力的。     

跨国公司本土化过程中知识管理局限性初探——以三星半导体为例

跨国公司海外子公司正成为跨国公司全球知识管理和全球学习的重要承担者.以三星半导体母子公司知识管理为例,介绍了其知识管理模式,从其本地化过程中知识管理的局限性入手,进而分析了跨国公司知识管理过程中产生局限的原因及解决对策.     

硅半导体放电加工中的肖特基势垒特性研究

金属夹具与半导体接触会形成肖特基势垒,为了研究该势垒对半导体放电加工的影响,利用二极管和电阻模型建立了等效电路.固定端和放电端形成的肖特基势垒,都可等效成二极管,在放电回路中一个处于正向偏置,另一个处于反向偏置.本文通过两端金属进电的方法,研究了肖特基势垒对放电电流的影响,理论研究发现了半导体放电伏安曲线的3个特征量:导通角、击穿点和击穿角,并通过实验方法测量伏安曲线,找到了这3个特征量的关系.击穿角由电路中的电阻决定,与肖特基势垒无关,而导通角和击穿点由肖特基势垒决定,与电阻无关.     

利用半导体激光衍射条纹测丝径和缝宽

根据惠更斯-菲涅耳原理,导出了衍射物尺寸与光波长、衍射距离、条纹级数和条纹偏距的参数方程,分析了半导体激光衍射条纹的光强分布规律,依此进行了实验验证。结果表明：可以利用半导体激光衍射条纹测量丝径和缝宽,测量值的准确度相当高,从而拓展了一种测量丝径和缝宽的新方法,为光学实验的创新教学提供了理论依据。     

金属氧化物半导体纳米气敏材料研究进展

由于社会需求紧迫,金属氧化物半导体纳米气敏材料成为当今研究的热点。本文综述了从材料元素的组成、形貌及尺寸的控制以及制备方法等方面来提高金属氧化物半导体纳米材料气敏性能的研究进展。     

基于半导体光放大器非线性效应的波长变换技术研究

由于半导体光放大器具有的高非线性特性,使得基于半导体光放大器的光子器件在光网络中得到了广泛的应用,本文对基于半导体光放大器的全光波长变换技术进行了讨论,并对各种波长变换技术的优缺点进行了分析。     

用单纯形法确定DH激光器载流子寿命

从DH激光器的激射延迟时间与注入脉冲电流的关系,可得到的激光器的载流子寿命。本文从实验数据出发,在数学上采用最优化法中的单纯形法,对实验数据进行拟合处理,从中求得DH激光器的载流子寿命,修正了理论公式,并对修正后的结果进行了讨论。