电子专业教学中的无铅焊接的研究

电子相关专业的高职毕业生进入企业前是否需要有无铅焊接等环保知识基础,电子专业教学在哪些环节与无铅焊接有密切关系,是高职电子专业教学值得研究的问题。高职院校电子专业开设的专业大多是为三新企业输送人才,毕业后大多进入电子制造业工作。电子相关专业的学生如果不知道电子产品在哪些环节有环保压力,需要开展无铅焊接生产,进入高新企业就不能尽快适应运用清洁生产理念和技术管理的先进企业。结合在实践中摸索的无铅焊接的基本理论可以提供给电子专业和环保专业教学参考。     

半导体量子点中磁极化子基态能修正的温度效应

采用Larsen方法研究了半导体量子点中磁极化子基态能量的温度效应．在有限温度下导出了磁场内半导体量子点中电子—体纵光学(LO)声子相互作用系统的基态能量及二级微扰能量修正．讨论了磁场、量子点尺寸以及温度对半导体量子点中电子—体纵光学(LO)声子相互耦合磁极化子的基态能量影响．为了更清楚、直观地说明半导体量子点中磁极化子的性质，以GaAs半导体为例进行了数值计算，得到在强磁场的作用下半导体量子点中电子—体纵光学(LO)声子耦合系统的基态能量修正与磁场强度、量子点厚度及温度的关系曲线．结果表明：强磁场中电子—体纵光学(LO)声子相互耦合磁极化子的基态能量修正随磁场强度的增加而增大，随量子点厚度的增加而减少，随温度的升高而增大。     

半导体激光器噪声测试系统

以PC机为主控单元,研制了半导体激光器噪声测试系统,通过PC机对频谱分析仪的远程控制,完成对器件噪声信号的自动采集和处理。用该系统对InP／InGaAsP V双异质结半导体激光器的电噪声和电阻的热噪声进行了测量。实验结果表明,该系统可重复性好,测试结果准确。     

半导体热敏电阻在温度控制中的应用

讨论采用一种新的电路设计方法,以半导体热敏电阻器作为温度传感元件,利用LM324集成运算放大器对测温数据信号放大和精确处理,三极管3DG12A、继电器J9V210Ω、双向可控硅BCR3AM与负载在控制电路中的有机结合,借以实现对温度的可调控制并得到成功的应用.该方法易于实现、成本低、精确度高、稳定性好、拓展应用较为广泛,不失为温度检测控制电路的一种较为理想的选择.     

Bias polarity-sensitive electrical failure characteristics of ZnSe nanowire in metal–semiconductor–metal nanostructure

The effect of bias polarity on the electrical breakdown behavior of the single ZnSe nanowire(NW) in the metal–semiconductor–metal(M–S–M)nanostructure under high current density and high bias conditions has been studied in the present paper. The experimental results show that the failure of the ZnSe NW in M–S–M nanostructure was sensitive to bias polarity since the NW commonly collapsed at the negatively biased Au metal electrode due to high Joule heat produced in NW at the reversely biased Schottky barrier. Thus, the electrical breakdown behavior of the ZnSe NW was highly dominated by the cathode-controlled mode due to the high resistance of the depletion region of ZnSe NW at the reversely biased Schottky contact.     

GS-DFB半导体激光器的优化设计

对ＧＳＤＦＢ半导体激光器的参数进行了优化设计。采用脉冲峰值功率、脉宽、谱宽、脉宽谱宽积以及峰值功率与脉宽谱宽积之比等参数来综合描述激光器输出脉冲特性,研究了这些参数随偏置电流、调制电流等外部参数的变化,并找出了相应的优化值。     

家用半导体制冷采暖系统的研究

本文在半导体制冷技术的理论分析和实验研究基础上，对家用半导体制冷采暖系统中各分系统的优化以及它们之间的最佳匹配问题进行了讨论，提出了基本的设计原则，对半导体制冷技术在家用空调系统中的进一步发展和应用具有一定的指导意义．     

解M/a-Si势垒区泊松方程

本文证明:(1)对任何形式的、连续的、a-Si隙态密度分布函数,只要我们利用Riemann-Stieltjes积分中值定理,势垒区的泊松方程都可以解析求解.(2)M/a-Si势垒区泊松方程的抛物函数解,是由假定空间电荷区自由载流子耗尽带来的.     

基于半导体光放大器的开关矩阵级联规模的研究

分析了几种基于半导体光放大器的开光矩阵的级联特性，结果表明矩阵—矢量(matrix—vactor)开关规模的大小严重受限于大的分光损失，波导损失和耦合损失，然而对于分布增益矩阵—矢量开关矩阵和Benes开关矩阵，放大自发辐射噪声(ASE)的积累和信号的非理想消光比是限制系统级联规模的主要因素，当信号光功率较大时，非理想消光比对级联的规模有大的影响。