锗纳米团簇膜的发光

Novel luminescence behaviors of the semiconductor nanostnlctures have drawn more anention recently. A great deal of research has been done on the physical and optical propenies of these materials, especially Si and Ge, and to reveal the origins of these propenies. We know     

基质〔Cd_xMg_(6-x)Al_2(OH)_(16)〕~(2 )〔S·2H_2O〕~(2-)中Cd~(2 )含量和Ni~(2 )含量对Ni~(2 )光致发光的影响

研究了在可见光激发下 ,基质〔CdxMg6-xAl2 (OH) 16〕2 〔S·2H2 O〕2 -中Ni2 的发光性质 ,探讨了基质中Cd2 含量、Ni2 含量对样品发光性质的影响 .     

热氧化硫化锌薄膜制备高质量纳米ZnO薄膜的表征

本文报道了利用低压-金属有机化学气相沉积（LP-MOCVD）技术生长ZnS薄膜，然后，将ZnS薄膜在氧气中于不同温度下进行热氧化制备高质量的纳米ZnO薄膜。采用有效的手段对榈的质量表征：X-射线衍射（XRD）结果表明，纳米ZnO薄膜具有六角纤锌矿多晶结构。喇曼光谱观测到典型的多声子共振过程。在光致发光（PL）光谱中，自由激子（FE）和束缚激了（BE）发射都很明显。低温下，束缚激子（BE）复合发射占主要地位，而自由激子（FE）复合发射也容易观察到。这些结果都说明我们制备的样品是高质量的。     

铈锰铽激活硼酸镁的光致发光

研究不同组成铈锰铽激活硼酸镁的发射光谱和激发光谱表明:只含Mn~(2+)的硼酸镁发光很弱;Ce~(3+)能很好地吸收254nm紫外光并能把能量传递给Mn~(2+),Ce~(3+)→Mn~(2+)能量传递效率最高可达99.8％,从而获得发明亮红光的荧光粉。Ce~(3+)→Mn~(2+)能量传递的机理为共振传递。铈锰铽共激活的硼酸镁中,Tb~(3+)和Mn~(2+)都有较高的发光效率,增加Tb~(3+)浓度使色坐标x值降低,y值升高;相反,增加Mn~(2+)浓度使色坐标x值升高、y值降低,改变Tb~(3+)、Mn~(2+)的浓度可调整荧光粉发光的颜色。     

ZnO微纳米结构的制备及其光学性能

在没有催化剂的情况下,空气中直接加热氧化锌片成功制备出ZnO纳米线/纳米片.通过改变反应温度,分别能够获得紧密排列的ZnO纳米线和纳米片.ZnO纳米线和纳米片的直径为几个微米,厚度约为280 nm.室温光致发光测试研究表明其最大可见发射波长在508 nm.该研究工作为纳米器件研制提供了一种简单直接氧化方法,可望高产率制备高质量半导体纳米线和纳米片阵列.     

铕掺杂的硼锌多金属氧酸盐的合成与发光性研究

制备了高发射率的的稀土多金属氧酸盐BPOM:Eu及ZnPOM:Eu的荧光体,用红外吸收谱及X-射线粉末衍射谱进行了表征,结果表明样品具有Keggin结构.发射光谱结果表明Eu在两类样品中均有肉眼可见的在红光区的强发射,但在BPOM:Eu中以5D0→7F1磁偶极跃迁发射为主;在ZnPOM:Eu中以5D0→7F2电偶极跃迁发射为主.在BPOM:Eu中以铕浓度2.0%发射最强,在ZnPOM:Eu中并未出现浓度猝灭现象.铕离子在两荧光体中均被八个氧以反棱柱配位(EuO8),发射光谱结果表明铕离子在BPOM:Eu中配位环境的对称性高于ZnPOM:Eu.在ZnPOM:Eu中可能由于阴离子的结构松散易受周围次级配位环境的影响,铕离子的配位环境的对称性随浓度增加有所下降.     

纳米ZnO梳状结构的生长机制及表征

通过简单的化学气相沉积的方法获得了氧化锌梳状结构,并且通过X -射线衍射仪和扫描电镜以及透射电镜对它的外部及微观结构进行了分析和研究．纳米梳主干的厚度只有20 nm左右,长度达几百微米。梳齿部分的宽度仅20～30 nm,整齐均匀地排列在梳干的一侧,是由于自催化作用沿[0001]方向生长出来的．氧化锌梳状结构有强的紫外发光峰和弱的可见峰,显示出了好的成晶质量．     

掺镓ZnO微米棒的制备和光学特性研究

利用化学气相沉积法(CVD)在Si(100)衬底上成功制备了掺镓ZnO微米棒.从场发射电子显微镜可看出具有六角棱柱形的棒长度约为70μm.能谱结果说明该样品中镓掺杂浓度较高.X射线衍射结果表明其具有六角纤锌矿结构.在背散射拉曼光谱中观测到由于镓掺杂而引起的63l cm~(-1)峰,同时没有发现与结构缺陷有关的E_1(LO)模,说明样品的晶体质量较高.利用变温光致发光研究了样品的光学性质,发现在室温时仍能观察到明显的中性施主束缚激子(D~0,X),表明Ga已经形成了稳定的施主能级.微米棒的生长遵循气-固原理.     

HNO3处理多孔硅高效发光的研究

在实验室条件下对P型单晶硅片进行阳极电化学腐蚀制成多孔硅（Porous Silicon）样片。同时用适当配比的HNO3对多孔硅进行处理。比较了HNO3作用前后样片的光致发光（PL）谱,结果发现用HNO3处理的多孔硅的发光效率有显著提高。用XPS和SEM对样片测试的结果表明：酸处理后样片表面形成Si-O结构,其表面平均孔径增大,而且分布更均匀。     

稀土五硼酸盐中锰（Ⅱ）的光致发光研究

通过稀土五硼酸盐ＬａＧｄＭｇＢ５Ｏ１０中掺杂离子Ｃｅ３＋、Ｍｎ２＋在紫外光激发下的发射光谱测定，发现Ｍｎ２＋离子呈现６２２ｎｍ发射峰和５９２ｎｍ发射峰。根据相应的发射峰的激发光谱，结合晶体场理论分析，前者来源于Ｍｎ２＋离子的跃迁；后者来源于Ｍｎ２＋离子的跃迁。并初步探讨了双峰结构形成的基本原因。