无杂质空位诱导InGaAs／InP量子阱结构的光荧光研究

用光荧光谱（PL）方法研究了无杂质空位诱导（IFV）InGaAs/InP多量子阱（MQWs）结构的带隙蓝移，实验中选用Si3N4作为电介质层，用以产生空位，并经快速热退火处理，产生扩散，实验结果表明，带隙蓝移同退火温度和退火时间有关，最佳退火条件的800℃，10s。同时二次离子质谱（SIMS）的分析表明，电介质盖层Si3N4和快速热退火（RTA）导致量子阱中阱和垒之间元素互扩，这种互扩是导致带隙蓝移的主要原因。     

一种新型电流开关网络结构的研究

新型电流开关网络结构用于多量子阱空间光调制器阵列,可以在保持驱动电压的一致的同时,极大提高输出精度。本文基于开关电容积分电路提出了一种用于多量子阱空间光调制器驱动电路的电流开关网络结构。通过改变开关网络结构及调整开关尺寸,不但可以保持开关电容电路的简单结构,低功耗等优点,还可以克服MOS管开关非理想特性带来的开关噪声提高输出精度。     

空心激光束的形成方法及其应用

首先讨论了空心激光束的定义,然后详细介绍了各种空心激光束产生的基本原理、方法及其实验结果。最后对空心激光束的应用进行了简单论述和总结。     

三项实验新技术对基本物理常数的影响

阐述光梳技术、彭宁阱技术和瓦特天平三项实验新技术对基本物理常数的影响越来越重要；实验技术的新成果为提高物理常数的精度提供了条件；高精度的物理测量为新的科学发现奠定了基础，进一步体现了基本物理常数与科学技术的发展起着相互促进的作用．     

量子阱器件的发展及其应用

随着半导体量子阱材料的发展，量子阱器件广泛应用于各种领域。本文主要介绍量子阱的基本原理，重点从量子阱材料．量子阱激光器、量子阱虹外探测器、量子阱LED、量子阱光集成器件等方面介绍量子阱理论在光电器件方面的发展及其应用。     

斜磁场作用下双阱中的混沌轨道

对斜磁场作用下双阱中的电子运动进行了分析 .磁场倾斜角θ=0°时 ,Hamiltonian系统是可积的 ,θ=2 0°时 ,系统的混沌特性比较明显 ;运动轨道的混沌特征还和无量纲能量的大小有着密切联系 ,无量纲能量越大 ,表现出的混沌特性越明显 ;轨道表现出的性质将取决于局部阱的形式 .     

GaAlN/GaN量子阱中电子的激发态极化

考虑了纤锌矿结构材料的各向异性造成的内建电场的作用，计算了GaN／GaAlN量子阱内电子的激发态极化．结果表明．电子偶极矩改变随Al浓度的增加非线性减小．一般情况下激发态极化产生的电场强度远小于内建电场．可忽略不记，但当n取较大值(10^19／cm^3以上)时，即材料被重掺杂时，激发态极化产生的电场强度对内建电场的影响不能忽略．     

量子斜阱中光学界面声子模在│kl0│《1时的近似解

在连续介电模型基础上，讨论了量斜阱中的光学界面声子；利用文献（６）所给数据，得到了在│ｋｌ０│〈〈时的电场分量和电位移分量的微扰解，以及相应的色散关系解析表达式，数值计算结果表明与方阱以及文献（３）的结果显然不同，色散关系曲线相当复杂，与方阱时相反，电场分量和电位移分量对频率十分敏感，而对│ｋｌ０│值的变化却不敏感。     

无限深阱势相干态的统计性质

应用非线性李代数方法研究了对称一维无限深阱势的新型相干态 ,并计算了该相干态中粒子数的平均值和平方平均值。发现在该相干态中 Mandel参数小于零 ,呈现出非经典效应。