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71.
局部紧的拓扑群在 C~*-代数上作用可生成新的 C~*-代数——C~*-叉积.这种新的C~*-代数较为复杂,既使由 Z_n 在 AF-代数上作用生成的 C~*-叉积是否仍是 AF-代数,至今仍是未解决的问题.本文考虑了上述问题的特殊情况,证明了由 Z_n 在交换 AF-代数上作用生成的 C~*-代数叉积是 AF-代数.文中有关 C~*-动力系统、群在 C~*-代数上的作用及 C~*-叉积的概念可参考,AF-代  相似文献   
72.
设n≥ 2 ,m >3及xj,wj属于Rn,j=1,2 ,… ,m .若x1 ,x2 ,x3互不相同 ,w1 ,w2 ,w3互不相同 ,本文给出了存在Rn 中M bius变换g映射xj至wj(j=1,2 ,… ,m)的充分必要条件 并对g的唯一性也进行了讨论  相似文献   
73.
选择高阻N型〈10 0〉单晶硅材料 ,X射线探测器为PIN管结构 .为了减少器件表面缺陷对暗电流的影响 ,在器件P区的两侧使用离子注入形成浅层低浓度N区 ,以减小器件的暗电流 .通过对比实验发现 ,当N区的注量增大时 ,在相同反向偏压条件下 ,器件的暗电流密度随之减小 ,同时击穿电压也相应减小 .为了减小器件的工作电压并进一步减小工作时的暗电流密度 ,还将器件的背面进行厚度减薄、抛光和AuSb/Au合金形成欧姆接触 .对减薄后的器件进行I V特性测量 ,由于工作电压大幅降低 ,器件正常工作时的暗电流密度大幅度减小 .同时在实验中发现温度对暗电流的影响非常大 ,将器件温度降低到 - 15℃时 ,暗电流密度可降低到 1nA·mm- 2 以下 .  相似文献   
74.
用稳态极化法和交流阻抗法研究了2,3,5-氯化三苯基四氮唑对N80^#钢在含H2SO3酸性溶液中发生腐蚀时的缓蚀作用及其缓蚀机理.结果表明:2,3,5-氯化三苯基四氮唑是一种以抑制阳极过程为主的缓蚀剂.其还原产物在N80^#钢表面的吸附阻止了腐蚀性的酸性溶液与钢表面的接触,从而起到缓蚀作用.  相似文献   
75.
Bogomolny场方程是Yang-Mills-Higgs理论的一个重要方程,关于他的求解方法和解的 结构的研究,是理论物理中的一个重要课题。二重复函数方法是广义相对论中一种新颖、独特的理论。正是把这一独特方法应用于Bogomolny场方程的研究。首先,我们把Singleton的方法和二重复Ernst方程结合起来,从而得到二重Bogomolny场方程。其次,我们利用二重NK变换,二重Ehlers变换及其非交换性,由一个二重复Ernst势,就可生成无穷Bogomolny场方程解簇。  相似文献   
76.
金属钼表面MoSi2/Si3N4涂层的氧化性能研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
在金属钼表面分别制备了MoSi2涂层和MoSi2/Si3N4涂层,利用SEM和XRD分析研究了涂层的微观结构和物相组成,并比较了涂层在1 450℃大气环境下的抗氧化性能.结果表明:两种涂层与基体结合好且均匀致密;MoSi2涂层钼氧化16 h后出现贯穿裂纹,破坏了SiO2保护膜的连续性,导致涂层失效;Si3N4相的引入可明显改善MoSi2基涂层钼的高温抗氧化性,其抗氧化时间达76 h.  相似文献   
77.
设A∈C_r~(m×n),r≤min(m,n)。对于加权条件数K_(MN)(A)=‖A‖MN‖A_(MN)~+‖NM,本文指出在一定条件假设下,K_(MN)(A)在矩阵扰动问题中的极小性质。主要结果如下:1.设A∈C_r~(m×n),E是A的任意小扰动矩阵。R(E)(?)r(A),R(E~*)(?)R(A~*)且‖A_(MN)~+‖NM‖E‖MN<1,有(?)成立,则有K_(MN)(A)≤(?)MN(A)。2.设A∈C_r~(m×n),E为A的任意小扰动矩阵。r(A+E)=r(A),且‖A_(MN)~+‖NM‖E‖MN<1,有(?)成立,则K_(MN)(A)≤(?)MN(A)。其中(?)当r相似文献   
78.
为了解决合成聚酰胺-胺时回收液处理复杂、能耗大、并污染环境的问题,以合成N,N,N',N'-四(2-甲酯基乙基)乙二胺(TMCEDA)为研究对象,对不同真空度条件下的回收液进行了定性定量分析,在此基础上,采用分段减压蒸馏分离合成TMCEDA中的过量原料与溶剂,直接循环使用真空度在50 kPa-100 kPa的回收液的新工艺.应用气相色谱分析技术跟踪分析循环使用的回收液的成分,结果表明,经过40次循环使用的回收液,仍未见明显的杂质积累现象.该工艺对回收液的直接使用率高达98.0%,实现了TMCEDA的实验室绿色合成,可为其工业化生产提供参考.图7,表2,参11.  相似文献   
79.
设H为实可分Hilbert空间,若Ψ为B(H)上的线性映射且对任意的T∈B(H),有Ψ(T)(ketT*)真包含于ranT,则称ΨB(H)上的右*-核值保持映射,证明了B(H)上的关系弱算子拓扑连续的右*-核值保持映射是广义右*-内导子,即存在A,B∈B(H),对任意T∈B(H)有:Ψ(T)=TA BT^*。  相似文献   
80.
采用电化学还原技术制备了还原石墨烯.采用扫描电镜、Raman光谱、AFM等技术表征了石墨烯的形貌和结构特征.采用电化学测试技术研究了还原石墨烯修饰电极的电化学性能及对水合肼(N_2H_4·H_2O)的电催化氧化活性.结果表明,该石墨烯电极材料具有优异的电子传导性能.与裸玻碳电极相比,石墨烯修饰电极对水合肼表现出优异的电催化氧化活性.在最佳的实验条件下,将该石墨烯修饰电极用于水合肼的灵敏检测.在1×10~(-5)~1×10~(-4) mol/L范围内,氧化峰电流与水合肼的浓度呈良好的线性关系.该石墨烯修饰电极材料有望用于环境中水合肼等有机小分子的灵敏检测.  相似文献   
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