高频全集成MOSFET-C THOMAS-TOW滤波器的极点分析

Thomas-Tow(T-T)电路是有源RC滤波器设计中常用的一种基本二次块,全集成MOSFET-C T-T电路往往采用平衡结构来实现,在高频下工作时,由于MOSFET的分布电容及运算放大器的有限增益带宽乘积(GB)的影响,集成T-T电路的主极点频率ω_0及品质因数Q_0值均会发生明显变化,本文用极点分析方法详细探讨了这些影响,所得出的结论对这类高频集成滤波器的设计有应用意义。     

X射线透视对MOS电容性能的影响

MOS电容在计算机电路中有着广泛的应用,受X射线辐射后的平带电压和阀电压的飘移,对计算机性能的稳定有着很大的影响.作者利用SOFRON-1505C型X光机,对3种MOS电容CD130,CE28,CG28受X射线后的平带电压和阀电压的飘移量进行测试和分析,从而分析X射线辐射对MOS电容的影响.     

集成MOSFET跨导结构非线性的谐波分析法

MOSFET 金属氧化物半导体场效应晶体管跨导结构是全集成 MOSFET-C连续时间滤波器的基本电阻结构.本文根据导出的 MOSFET 伏安特性的傅里叶公式,提出了失配情况下 MOSFET 跨导结构非线性的谐波分析法,并给出了详细表格以供应用时参考.     

准谐振开关电源高效设计方法

开关电源开关管和控制电路的集成,使电源设计可实现程序化和标准化。通过研究目前消费电子常用的开关电源模块仙童(Fairch ild)KA5Q系列,按照电源设计程序化和标准化的思路,提出了一种步进式理论计算结合经验参数的高效设计方法,并通过实验验证了该设计方法的可行性及有效性。     

500 V/11 A VDMOSFET 的研究

在理论分析的基础上,设计制作了５００Ｖ／１１ＡＶＤＭＯＳＦＥＴ芯片,并且进行了失效分析,从而进一步解决了设计和工艺中存在的问题,提高了成品率．最后指出了今后努力的方向．     

Interface dipole engineering in metal gate/high-k stacks

Although metal gate/high-k stacks are commonly used in metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors (MOSFETs) in the 45 nm technology node and beyond,there are still many challenges to be solved.Among the various technologies to tackle these problems,interface dipole engineering (IDE) is an effective method to improve the performance,particularly,modulating the effective work function (EWF) of metal gates.Because of the different electronegativity of the various atoms in the interfacial layer,a dipole layer with an electric filed can be formed altering the band alignment in the MOS stack.This paper reviews the interface dipole formation induced by different elements,recent progresses in metal gate/high-k MOS stacks with IDE on EWF modulation,and mechanism of IDE.     

移动网络MOS值优化方案研究

平均意见值(MOS,Mean Opinion Score)测试是通过对用户通话习惯的模仿,用评分的方式来真实反映用户通话质量。提高MOS值对于改善当地网络覆盖水平,提高用户感知度有重要的意义。从传输网、核心网侧以及无线网侧两个方面对影响MOS值的因素进行了分析及优化,通过实验验证了无线网侧MOS值优化的关键是要提升当地的无线环境质量。     

实时多媒体通信中话音质量的保证

从网络传输角度,为保证当前基于IP网络、实时话音通信质量,对所采用的方法进行了探讨,并比较了所采用的各种改善方法的优缺点。结合非实时操作系统线程调度的特征,提出在非实时操作系统中运营实时业务的方法。同时介绍了话音音质评估的方法,及对多媒体数据包封包大小的考虑。     

MOS表面反型层少子时变效应研究

为深入研究半导体表面过程，主要针对Ｚerbst方程，用数值拟合法，给出脉冲电压作用下ＭＯＳ器件半导体表面耗尽层宽度随时间变化近似解析解，进而得出与实验结果符合较好的表面少子时变关系解析式；分子表面少子时变过程，为表面电荷转移器件的模拟分析提供了有力的工具。     

一种改进的共源共栅电流源的设计

以基本的镜像电流源电路结构为基础,通过改进提出了一种改进的共源电流源,并应用到1.8GHz的VCO中,对VCO的振荡频率与电流源的关系作了研究,并以TSMC0.25μm工艺库在Hspice中进行了仿真,确定了MOS管的尺寸和电流源的静态指标,仿真结果表明基本达到VCO的要求。